br>[0047]金屬層7覆蓋在裸露的重布線層部分，用以與外部電路形成電氣連接。這里，所述金屬層7為可焊接層，一般由焊料材料構(gòu)成，例如為W金屬。金屬層7用于電連接引線框或PCB板或其他的電子器件。
[0048]圖2所示為本發(fā)明封裝結(jié)構(gòu)的另一種示意圖，當(dāng)上述的金屬連接結(jié)構(gòu)的材料與所述重布線層的第一金屬層的材料為相同的材料時(shí)，則從外觀上看，所述重布線層和金屬連接結(jié)構(gòu)是一體的結(jié)構(gòu)，因此，通過這種結(jié)構(gòu)制作的封裝連接不會(huì)因?yàn)楹罄m(xù)的涂膜、曝光、開孔、清洗和濺射工藝對(duì)焊墊和芯片的連接造成太大影響，芯片封裝的穩(wěn)定性好。
[0049]本實(shí)施例的具有重布線層的封裝結(jié)構(gòu)通過首先用引線鍵合工藝在所述焊墊上形成金屬連接結(jié)構(gòu)，然后經(jīng)過涂膜、曝光、開孔在金屬連接結(jié)構(gòu)處形成一個(gè)開口，然后在金屬連接結(jié)構(gòu)開口處進(jìn)行重布線層連接。與現(xiàn)有技術(shù)中先經(jīng)過涂膜、曝光、開孔，然后形成重布線層的互連結(jié)構(gòu)相比，由于引線鍵合工藝簡(jiǎn)單，對(duì)焊墊與芯片的連接不會(huì)造成太大損壞，并且通過金屬連接結(jié)構(gòu)和重布線層形成的雙圓柱結(jié)構(gòu)可消減外應(yīng)力對(duì)芯片的影響，芯片穩(wěn)定性更好，且不易被損壞。
[0050]圖1a至Ih示出了制造的封裝結(jié)構(gòu)的方法實(shí)例中各個(gè)階段的截面圖。
[0051]首先，如圖1a所示，提供一半導(dǎo)體芯片I，半導(dǎo)體芯片I具有有源面和背面，放置有器件的一面為有源面，將半導(dǎo)體芯片的有源面朝上，在有源面上形成多個(gè)焊墊2。
[0052]進(jìn)一步的，如圖1b所示，通過引線鍵合工藝在所述焊墊2上形成金屬連接結(jié)構(gòu)，如圖1b中所示為穿過鍵合機(jī)劈刀的毛細(xì)管的金屬絲被高溫熔融在表面張力作用下熔融金屬凝固形成金屬球，之后，將金屬球放置于焊墊2上，即完成一次鍵合；
[0053]進(jìn)一步的，如圖1c所示，完成一次鍵合后，則切斷金屬絲，通過壓力將所述金屬球壓在焊盤上，以形成所述金屬連接結(jié)構(gòu)3。本實(shí)施例中，通過壓力將所述金屬球壓為扁平圓柱狀結(jié)構(gòu)，但不限于此。
[0054]在本實(shí)施例中，所述金屬連接結(jié)構(gòu)為金屬銅、金屬金或金屬銀合金。并且，多個(gè)焊墊2對(duì)應(yīng)多個(gè)金屬連接結(jié)構(gòu)3，并且，優(yōu)選的，金屬連接結(jié)構(gòu)的直徑小于所述焊墊的直徑。
[0055]進(jìn)一步的，如圖1d所示，形成第一鈍化層4，第一鈍化層4覆蓋于所述半導(dǎo)體芯片I的有源面、焊墊2以及金屬連接結(jié)構(gòu)3的表面，第一鈍化層4用以密封并保護(hù)半導(dǎo)體芯片1，形成第一鈍化層4的工藝為塑封工藝或半固化片工藝。
[0056]進(jìn)一步的，如圖1e所示，在第一鈍化層4上形成與所述多個(gè)金屬連接結(jié)構(gòu)3對(duì)應(yīng)的多個(gè)開口，以將金屬連接結(jié)構(gòu)3的部分裸露出來。形成金屬連接結(jié)構(gòu)開口的工藝可以為:首先在第一鈍化層4上形成一光刻膠層;然后對(duì)光刻膠層進(jìn)行曝光和顯影，以形成圖案化的光刻膠層，然后通過化學(xué)腐蝕或激光刻蝕在第一鈍化層4形成開口使金屬連接結(jié)構(gòu)3部分裸露;最后去除光刻膠層。當(dāng)然，形成所述金屬連接結(jié)構(gòu)開口的工藝還可以為化學(xué)腐蝕或激光刻蝕或化學(xué)腐蝕與激光刻蝕的組合等。
[0057]進(jìn)一步的，如圖1f所示，在第一鈍化層4和金屬連接結(jié)構(gòu)的開口處通過沉積工藝形成重布線層5，并通過化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)使得位于第一鈍化層4表面的重布線層5平坦化。此外，必要時(shí)在沉積工藝之前通過等離子體清潔金屬連接結(jié)構(gòu)開口處。
[0058]進(jìn)一步的，如圖1g所示，形成第二鈍化層6，第二鈍化層6覆蓋于第一鈍化層4以及重布線層5的表面，第二鈍化層6用以密封并保護(hù)重布線層5，形成第二鈍化層6的工藝為塑封工藝或半固化片工藝。并且，在第二鈍化層6上形成與所述重布線層5對(duì)應(yīng)的多個(gè)開口，以將重布線層5的部分裸露出來。形成重布線層5開口的工藝可以為化學(xué)腐蝕或激光刻蝕或化學(xué)腐蝕與激光刻蝕的組合等。
[0059]其中形成重布線層開口的步驟包括:首先在第二鈍化層6上形成光刻膠層;然后對(duì)光刻膠層進(jìn)行曝光和顯影，以形成圖案化的光刻膠層，然后通過化學(xué)腐蝕或激光刻蝕在第二鈍化層6上形成開口以裸露出重布線層5部分;最后去除光刻膠層。
[0060]進(jìn)一步的，如圖1h所示，通過沉積在重布線層5開口處形成金屬層7，所述金屬層7為可焊接層，用于與外部電子器件形成電氣連接。
[0061]根據(jù)本發(fā)明的具有重布線層的封裝結(jié)構(gòu)及制造方法，首先是通過引線鍵合工藝在所述焊墊上形成金屬連接結(jié)構(gòu)，然后經(jīng)過涂膜、曝光、開孔在金屬連接結(jié)構(gòu)處形成一個(gè)開口，然后在金屬連接結(jié)構(gòu)開口處進(jìn)行重布線層連接，之后再次通過涂膜、曝光、開孔在重布線層處開口形成金屬層，以與外部電路電氣連接。本發(fā)明的封裝結(jié)構(gòu)工藝簡(jiǎn)單，并且通過金屬連接結(jié)構(gòu)和重布線層形成的雙圓柱結(jié)構(gòu)可消減外應(yīng)力對(duì)芯片的影響，芯片穩(wěn)定性更好，且不易被損壞。
[0062]以上對(duì)依據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例的一種具有重布線層的封裝結(jié)構(gòu)及制造方法進(jìn)行了詳盡描述，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員據(jù)此可以推知其他技術(shù)或者結(jié)構(gòu)以及電路布局、元件等均可應(yīng)用于所述實(shí)施例。
[0063]依照本發(fā)明的實(shí)施例如上文所述，這些實(shí)施例并沒有詳盡敘述所有的細(xì)節(jié)，也不限制該發(fā)明僅為所述的具體實(shí)施例。顯然，根據(jù)以上描述，可作很多的修改和變化。本說明書選取并具體描述這些實(shí)施例，是為了更好地解釋本發(fā)明的原理和實(shí)際應(yīng)用，從而使所屬技術(shù)領(lǐng)域技術(shù)人員能很好地利用本發(fā)明以及在本發(fā)明基礎(chǔ)上的修改使用。本發(fā)明僅受權(quán)利要求書及其全部范圍和等效物的限制。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種具有重布線層的封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，包括以下步驟: 在半導(dǎo)體芯片的有源面上形成多個(gè)焊墊； 通過引線鍵合工藝在所述焊墊上依次形成金屬連接結(jié)構(gòu)，多個(gè)焊墊對(duì)應(yīng)形成多個(gè)金屬連接結(jié)構(gòu)； 在所述半導(dǎo)體芯片的有源面、焊墊以及金屬連接結(jié)構(gòu)的表面覆蓋第一鈍化層、并將所述第一鈍化層進(jìn)行開口處理，以裸露出所述金屬連接結(jié)構(gòu)的部分； 通過掩膜在所述第一鈍化層和所述金屬連接結(jié)構(gòu)裸露的表面形成重布線層。 在所述第一鈍化層和重布線層的表面覆蓋第二鈍化層，并將所述第二鈍化層進(jìn)行開口處理，以裸露所述重布線層的部分； 通過掩膜在裸露的重布線層部分形成金屬層，用以與外部電路形成電氣連接。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述金屬連接結(jié)構(gòu)形成的步驟進(jìn)一步包括: 采用引線鍵合工藝進(jìn)行一次鍵合，熔融金屬絲以在所述焊盤表面上形成一個(gè)金屬球； 切斷金屬絲，通過壓力將所述金屬球壓在焊盤上，以形成所述金屬連接結(jié)構(gòu)。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述金屬連接結(jié)構(gòu)為扁平圓柱狀結(jié)構(gòu)。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述金屬連接結(jié)構(gòu)裸露部分的直徑小于所述金屬連接結(jié)構(gòu)的直徑。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述金屬連接結(jié)構(gòu)為金屬銅、金屬金或金屬銀合金。6.一種具有重布線層的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括， 半導(dǎo)體芯片，具有一有源面，所述有源面上包括多個(gè)焊墊； 金屬連接結(jié)構(gòu)，通過引線鍵合工藝在所述焊墊上依次形成金屬連接結(jié)構(gòu)，多個(gè)焊墊對(duì)應(yīng)形成多個(gè)金屬連接結(jié)構(gòu)； 第一鈍化層，覆蓋于所述半導(dǎo)體芯片的有源面、焊墊以及金屬連接結(jié)構(gòu)的表面，并將所述第一鈍化層進(jìn)行開口處理，以裸露出所述金屬連接結(jié)構(gòu)的部分； 重布線層，覆蓋于所述第一鈍化層和金屬連接結(jié)構(gòu)的裸露部分； 第二鈍化層，覆蓋于所述第一鈍化層和重布線層的表面，并將所述第二鈍化層進(jìn)行開口處理，以裸露所述重布線層的部分； 金屬層，覆蓋在裸露的重布線層部分，用以與外部電路形成電氣連接。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述金屬連接結(jié)構(gòu)為扁平圓柱狀結(jié)構(gòu)。8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述金屬連接結(jié)構(gòu)的裸露部分的直徑小于所述金屬連接結(jié)構(gòu)的直徑。9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述金屬連接結(jié)構(gòu)為金屬銅、金屬金或金屬銀合金。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種具有重布線層的封裝結(jié)構(gòu)及制造方法，通過引線鍵合技術(shù)在焊盤上形成金屬連接結(jié)構(gòu)，然后再經(jīng)過涂膜、曝光、開孔在金屬連接結(jié)構(gòu)處形成一個(gè)開口，然后在金屬連接結(jié)構(gòu)開口處進(jìn)行重布線層連接。本發(fā)明的封裝技術(shù)方案通過金屬連接結(jié)構(gòu)和重布線層形成的雙圓柱結(jié)構(gòu)可消減外應(yīng)力對(duì)芯片的影響，芯片穩(wěn)定性更好，且不易被損壞。
【IPC分類】H01L21/48, H01L23/498
【公開號(hào)】CN105632939
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201511008040
【發(fā)明人】尤文勝
【申請(qǐng)人】合肥祖安投資合伙企業(yè)(有限合伙)
【公開日】2016年6月1日
【申請(qǐng)日】2015年12月24日