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一種金屬載體的加工方法及封裝基板的制作方法

文檔序號:9868150閱讀:536來源:國知局
一種金屬載體的加工方法及封裝基板的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及電路板技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種金屬載體的加工方法及封裝基板。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著集成電路(integrated circuit,IC)技術(shù)的發(fā)展,引腳數(shù)量增多、布線密度增大、基板層數(shù)增多,近年來向薄型化和小型化的趨勢發(fā)展,要求線距更細(xì)、孔徑更小。因而埋入式線路(Embedded Print Process,EPP)技術(shù)應(yīng)運而生,此技術(shù)可以解決目前線路板發(fā)展的薄型化和高密度化發(fā)展趨勢,但此工藝流程的應(yīng)用必須需求一種可剝離載體的支持,現(xiàn)有的技術(shù)方案如下:
[0003]目前,在封裝基板埋入式加工工藝中,采用半固化片(Polypropylene,PP)和兩層超薄銅箔的壓合方式制作載體,其中第一層超薄銅箔與第二層超薄銅箔之間可以分離,通常情況下,第一層銅箔的厚度為3或5um,第二層銅箔的厚度為18或35um,為了確保載體在應(yīng)用過程中有一定的支撐作用,利用壓合工藝壓合PP和超薄銅箔,從而起到支撐和后段方便分離的作用。
[0004]但是,采用PP和超薄銅箔的壓合方式制作載體,制作成本過高,超薄銅箔之間容易進藥水,從而出現(xiàn)良率下降和設(shè)備損壞的風(fēng)險,分離層造成藥水污染,而且應(yīng)用范圍較窄。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明實施例提供一種金屬載體的加工方法及封裝基板,用于解決現(xiàn)有技術(shù)中制作的載體所存在的問題。
[0006]本發(fā)明第一方面提供一種金屬載體的加工方法,所述金屬載體用于制作封裝基板,包括:
[0007]選取金屬載體;
[0008]清洗所述金屬載體;
[0009]將所述金屬載體濺射第一金屬層,所述第一金屬層覆蓋在所述金屬載體的上表面和下表面,作為金屬底層;
[0010]在所述金屬載體上設(shè)置第二金屬層,完成所述金屬載體的加工,所述第二金屬層覆蓋在所述第一金屬層的表面,作為金屬加厚層。
[0011]結(jié)合第一方面,在第一種可能的實現(xiàn)方式中,所述選取金屬載體包括:
[0012]所述金屬載體的微觀不平度十點高度Rz小于lOum,輪廓算術(shù)平均偏差Ra小于3um,所述金屬載體的主要成分為Ni。
[0013]結(jié)合第一方面,在第二種可能的實現(xiàn)方式中,所述選取金屬載體包括:
[0014]所述金屬載體的厚度小于1_。
[0015]結(jié)合第一方面,在第三種可能的實現(xiàn)方式中,所述清洗所述金屬載體包括:
[0016]采用除油,超聲波水洗或等離子Plasma工藝清洗所述金屬載體。
[0017]結(jié)合第一方面,在第四種可能的實現(xiàn)方式中,所述將所述金屬載體濺射第一金屬層包括:
[0018]將所述金屬載體磁控派射第一金屬層,所述第一金屬層的厚度在0.01?Ium之間。
[0019]結(jié)合第一方面,在第五種可能的實現(xiàn)方式中,所述在所述金屬載體上設(shè)置第二金屬層包括:
[0020]在所述金屬載體上電解鍍或化學(xué)沉積鍍第二金屬層,所述第二金屬層的厚度在3-1Oum 之間。
[0021]結(jié)合第一方面或者第一方面的第一種至第五種任意一種可能的實現(xiàn)方式,在第六種可能的實現(xiàn)方式中,
[0022]所述金屬載體的成分包括不銹鋼或馬口鐵。
[0023]結(jié)合第一方面或者第一方面的第一種至第五種任意一種可能的實現(xiàn)方式,在第七種可能的實現(xiàn)方式中,
[0024]所述第一金屬層和所述第二金屬層的成分包括銅。
[0025]本發(fā)明第二方面提供一種封裝基板,包括:
[0026]金屬載體,所述金屬載體的厚度小于1mm,所述金屬載體的成分包括不銹鋼或馬口鐵;
[0027]所述金屬載體上設(shè)置有第一金屬層和第二金屬層;
[0028]所述第一金屬層的厚度在0.01?Ium之間;所述第二金屬層的厚度在3_10um之間;所述第一金屬層和所述第二金屬層的成分包括銅。
[0029]應(yīng)用以上技術(shù)方案,選取金屬載體;清洗所述金屬載體;將所述金屬載體濺射第一金屬層;在所述金屬載體上設(shè)置第二金屬層,完成所述金屬載體的加工。由于該金屬載體不是采用PP和超薄銅箔的壓合方式制成,因此不會出現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)中制作的載體所存在的問題,成本低,不會進藥水,應(yīng)用范圍寬。
【附圖說明】
[0030]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例技術(shù)方案,下面將對實施例和現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例,對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講,在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其它的附圖。
[0031]圖1是現(xiàn)有技術(shù)中載體的一個結(jié)構(gòu)示意圖;
[0032]圖2是本發(fā)明實施例中金屬載體的加工方法的一個實施例示意圖;
[0033]圖3是本發(fā)明實施例中選取金屬載體的一個結(jié)構(gòu)示意圖;
[0034]圖4是本發(fā)明實施例中將金屬載體濺射第一金屬層的一個結(jié)構(gòu)示意圖;
[0035]圖5是本發(fā)明實施例中在金屬載體上設(shè)置第二金屬層的一個結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0036]本發(fā)明實施例提供一種金屬載體的加工方法,用于解決現(xiàn)有技術(shù)中制作的載體所存在的問題。本發(fā)明實施例還提供相應(yīng)的封裝基板。
[0037]為了使本技術(shù)領(lǐng)域的人員更好地理解本發(fā)明方案,下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖,對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分的實施例,而不是全部的實施例?;诒景l(fā)明中的實施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例,都應(yīng)當(dāng)屬于本發(fā)明保護的范圍。
[0038]在現(xiàn)有技術(shù)中,制作用于封裝基板的載體如圖1所示,采用PPlOl和兩層超薄銅箔的壓合方式制作載體100,其中,其中第一層超薄銅箔102與第二層超薄銅箔103之間可以分離,通常情況下,第一層銅箔102的厚度為3或5um,第二層銅箔103的厚度為18或35um,由于采用PPlOl和超薄銅箔的壓合方式制作載體100,制作成本過高,超薄銅箔之間容易進藥水,從而出現(xiàn)良率下降和設(shè)備損壞的風(fēng)險,分離層造成藥水污染,而且應(yīng)用范圍較窄,因此展開本發(fā)明的論述:
[0039]下面通過具體實施例,分別進行詳細(xì)的說明本發(fā)明技術(shù)方案。
[0040]實施例一、
[0041]請參考圖2,本發(fā)明實施例提供一種金屬載體的加工方法,可包括:
[0042]201、選取金屬載體;
[0043]請參閱圖3,在本發(fā)明實施例中,直接選取金屬載體300進行加工,金屬載體300為主要成分為Ni的金屬載體。
[0044]可選的,所述選取金屬載體300包括:
[0045]所述金屬載體300的微觀不平度十點高度Rz小于10um,輪廓算術(shù)平均偏差Ra小于3um,所述金屬載體300的主要成分為Ni。
[0046]需要說明的是,通常情況下,Ra在0.1-0.3um之間,Rz在1.0-2.0um之間作為優(yōu)先,此處不做具體限定。
[0047]可選的,所述選取金屬載體300包括:
[0048]所述金屬載體300的厚度小于1mm。
[0049]與現(xiàn)有技術(shù)不同的是,本發(fā)明技術(shù)方案中,不是采用PP與超薄銅箔壓合制作載體,而是直接選取金屬載體進行加工。因此不會出現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)中制作的載體所存在的問題。由于金屬載體的膨脹系數(shù)小(17-19ppm/°C ),在后續(xù)制作圖形加工中其脹縮影響小,而同等條件下的PP價格昂貴,成本尚。
[0050]202、清
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