磷酸水溶液)從低Si濃度磷酸水溶液供給源16B向蝕刻液用箱15B供給，但并不限于此，也可以是，從低Si濃度磷酸水溶液供給源16B將低Si濃度磷酸水溶液(Si濃度為零的磷酸水溶液)向蝕刻液用箱15B供給，從Si溶液用箱18向蝕刻液用箱15B供給Si溶液，高Si濃度磷酸水溶液的Si濃度被調(diào)整并向內(nèi)槽1a供給，將高Si濃度磷酸水溶液供給源16A作為Si濃度為零的磷酸水溶液供給源向外槽1b供給。
[0088]附圖標(biāo)記說明[0089 ] W、半導(dǎo)體晶圓(被處理體)；E、蝕刻液；1、處理槽；I Oa、內(nèi)槽；I Ob、外槽；11、板式加熱器;12、噴嘴；15、供給部；15A、蝕刻液用箱；15B、蝕刻液用箱；16A、高Si濃度磷酸水溶液供給源；16B、低Si濃度磷酸水溶液供給源；18、Si溶液用箱；19、Si溶液供給源;20、循環(huán)管線；21、循環(huán)栗;22、溫度控制器;23a、過濾器;23b、過濾器;26b、溶出成分測定部;27b、濃度測定部;30冷卻箱;40、DIW供給源。
【主權(quán)項】
1.一種蝕刻方法，其特征在于， 該蝕刻方法包括: 使用蝕刻液對收納于蝕刻處理部內(nèi)的被處理體實施蝕刻處理的蝕刻工序； 對所述被處理體進行的蝕刻工序和下一個對被處理體進行的蝕刻工序之間的間隔工序， 所述蝕刻工序包括第I部分更換模式，該第I部分更換模式具有將所述蝕刻處理部內(nèi)的提供于蝕刻處理的蝕刻液以第I設(shè)定量排出的工序和將新的蝕刻液以第2設(shè)定量向所述蝕刻處理部內(nèi)供給的工序， 所述間隔工序包括第2部分更換模式，該第2部分更換模式具有將所述蝕刻處理部內(nèi)的提供于蝕刻處理的蝕刻液以第3設(shè)定量排出的工序和將新的蝕刻液以第4設(shè)定量向所述蝕刻處理部內(nèi)供給的工序。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蝕刻方法，其特征在于， 所述蝕刻工序的所述第I部分更換模式具有將提供于所述蝕刻處理的所述蝕刻液以所述第I設(shè)定量連續(xù)地排出的工序和將所述新的蝕刻液以所述第2設(shè)定量連續(xù)地供給的工序。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的蝕刻方法，其特征在于， 所述蝕刻工序的所述第I部分更換模式具有將提供于所述蝕刻處理的所述蝕刻液以所述第I設(shè)定量斷續(xù)地排出的工序和將所述新的蝕刻液以所述第2設(shè)定量斷續(xù)地供給的工序。4.根據(jù)權(quán)利要求1?3中任一項所述的蝕刻方法，其特征在于， 所述間隔工序的所述第2部分更換模式具有將提供于所述蝕刻處理的所述蝕刻液以所述第3設(shè)定量連續(xù)地排出的工序和將所述新的蝕刻液以所述第4設(shè)定量連續(xù)地供給的工序。5.根據(jù)權(quán)利要求1?4中任一項所述的蝕刻方法，其特征在于， 所述間隔工序的所述第2部分更換模式具有將提供于所述蝕刻處理的所述蝕刻液以所述第3設(shè)定量斷續(xù)地排出的工序和將所述新的蝕刻液以所述第4設(shè)定量斷續(xù)地供給的工序。6.根據(jù)權(quán)利要求1?5中任一項所述的蝕刻方法，其特征在于， 所述間隔工序的所述第2部分更換模式包括以這樣的方式被確定的第3設(shè)定量和第4設(shè)定量:蝕刻液中的從在緊接著所述間隔工序之后的所述蝕刻工序開始時提供于所述蝕刻處理的所述被處理體溶出的溶出成分濃度恢復(fù)為預(yù)定值。7.根據(jù)權(quán)利要求1?6中任一項所述的蝕刻方法，其特征在于， 所述蝕刻工序的所述第I部分更換模式包括以所述蝕刻處理部的蝕刻液的濃度恒定的方式確定的所述第I設(shè)定值和所述第2設(shè)定值，所述間隔工序的所述第2部分更換模式包括以所述蝕刻處理部的蝕刻液的濃度恒定的方式確定的所述第3設(shè)定值和所述第4設(shè)定值。8.一種蝕刻裝置，其用于對被處理體實施蝕刻處理，其特征在于， 該蝕刻裝置包括: 蝕刻處理部，其用于收納被處理體并利用蝕刻液對被處理體實施蝕刻處理； 排出部，其用于將在所述蝕刻處理部中提供于蝕刻處理的蝕刻液排出； 供給部，其用于向所述蝕刻處理部供給新的蝕刻液； 控制裝置，其用于對所述蝕刻處理部、所述排出部和所述供給部進行驅(qū)動控制并執(zhí)行蝕刻方法， 由所述控制裝置執(zhí)行的蝕刻方法包括: 使用蝕刻液對收納于蝕刻處理部內(nèi)的被處理體實施蝕刻處理的蝕刻工序，; 對所述被處理體進行的蝕刻工序和下一個對被處理體進行的蝕刻工序之間的間隔工序， 所述蝕刻工序包括第I部分更換模式，該第I部分更換模式具有將提供于蝕刻處理的所述蝕刻處理部內(nèi)的蝕刻液以第I設(shè)定量排出的工序和將新的蝕刻液以第2設(shè)定量向所述蝕刻處理部內(nèi)供給的工序， 所述間隔工序包括第2部分更換模式，該第2部分更換模式具有將提供于蝕刻處理的所述蝕刻處理部內(nèi)的蝕刻液以第3設(shè)定量排出的工序和將新的蝕刻液以第4設(shè)定量向所述蝕刻處理部內(nèi)供給的工序。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的蝕刻裝置，其特征在于， 所述蝕刻工序的所述第I部分更換模式具有將提供于所述蝕刻處理的所述蝕刻液以所述第I設(shè)定量連續(xù)地排出的工序和將所述新的蝕刻液以所述第2設(shè)定量連續(xù)地供給的工序。10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的蝕刻裝置，其特征在于， 所述蝕刻工序的所述第I部分更換模式具有將提供于所述蝕刻處理的所述蝕刻液以所述第I設(shè)定量斷續(xù)地排出的工序和將所述新的蝕刻液以所述第2設(shè)定量斷續(xù)地供給的工序。11.根據(jù)權(quán)利要求8?10中任一項所述的蝕刻裝置，其特征在于， 所述間隔工序的所述第2部分更換模式具有將提供于所述蝕刻處理的所述蝕刻液以所述第3設(shè)定量連續(xù)地排出的工序和將所述新的蝕刻液以所述第4設(shè)定量連續(xù)地供給的工序。12.根據(jù)權(quán)利要求8?11中任一項所述的蝕刻裝置，其特征在于， 所述間隔工序的所述第2部分更換模式具有將提供于所述蝕刻處理的所述蝕刻液以所述第3設(shè)定量斷續(xù)地排出的工序和將所述新的蝕刻液以所述第4設(shè)定量斷續(xù)地供給的工序。13.根據(jù)權(quán)利要求8?12中任一項所述的蝕刻裝置，其特征在于， 所述間隔工序的所述第2部分更換模式包括以這樣的方式確定的第3設(shè)定量和第4設(shè)定量:蝕刻液中的從在緊接著所述間隔工序之后的所述蝕刻工序開始時提供于所述蝕刻處理的所述被處理體溶出的溶出成分濃度恢復(fù)為預(yù)定值。14.根據(jù)權(quán)利要求8?13中任一項所述的蝕刻裝置，其特征在于， 所述蝕刻工序的所述第I部分更換模式包括以所述蝕刻處理部的蝕刻液的濃度恒定的方式確定的所述第I設(shè)定值和所述第2設(shè)定值，所述間隔工序的所述第2部分更換模式包括以所述蝕刻處理部的蝕刻液的濃度恒定的方式確定的所述第3設(shè)定值和所述第4設(shè)定值。15.—種存儲介質(zhì)，在該存儲介質(zhì)中存儲有用于使計算機執(zhí)行蝕刻方法的計算機程序，其特征在于， 該蝕刻方法包括: 使用蝕刻液對收納于蝕刻處理部內(nèi)的被處理體實施蝕刻處理的蝕刻工序； 對所述被處理體進行的蝕刻工序和下一個對被處理體進行的蝕刻工序之間的間隔工序， 所述蝕刻工序包括第I部分更換模式，該第I部分更換模式具有將提供于蝕刻處理的所述蝕刻處理部內(nèi)的蝕刻液以第I設(shè)定量排出的工序和將新的蝕刻液以第2設(shè)定量向所述蝕刻處理部內(nèi)供給的工序， 所述間隔工序包括第2部分更換模式，該第2部分更換模式具有將提供于蝕刻處理的所述蝕刻處理部內(nèi)的蝕刻液以第3設(shè)定量排出的工序和將新的蝕刻液以第4設(shè)定量向所述蝕刻處理部內(nèi)供給的工序。
【專利摘要】(課題)不全部更換蝕刻液，而將蝕刻液中的從晶圓溶出的溶出成分濃度保持在確定的恒定的范圍，精度良好地對晶圓實施蝕刻處理。(技術(shù)手段)蝕刻方法具有多個蝕刻工序和各蝕刻工序間的間隔工序。各蝕刻工序包括第1部分更換模式，在該第1部分更換模式中，將提供于蝕刻處理的蝕刻液以第1設(shè)定量排出，將新的蝕刻液以第2設(shè)定量供給。間隔工序包括第2部分更換模式，在第2部分更換模式中，將提供于蝕刻處理的蝕刻液以第3設(shè)定量排出，將新的蝕刻液以第4設(shè)定量供給。
【IPC分類】H01L21/306, H01L21/304
【公開號】CN105612607
【申請?zhí)枴緾N201480053037
【發(fā)明人】古川孝弘, 二俁雄亮, 佐藤秀明, 原大海, 河津貴裕, 鹽川俊行, 佐藤尊三
【申請人】東京毅力科創(chuàng)株式會社
【公開日】2016年5月25日
【申請日】2014年9月19日
【公告號】WO2015046067A1