環(huán)境的未處理基片W3。
[0044]接著，如圖3b所示，升降機(jī)構(gòu)30將基片支撐組件上升至第一位置，基片W2’被置于第一室11中進(jìn)行例如去光刻膠的等離子體處理P。因此，此時(shí)第一室11的排氣裝置112將第一室11內(nèi)的反應(yīng)副產(chǎn)物排出并控制其內(nèi)的真空度，因此不再與機(jī)械手工作腔50連通。真空側(cè)第一機(jī)械手51將其拾取的已處理基片Wl"放置于第二支撐件22的下層插槽222內(nèi)，第二機(jī)械手52則拾取上層插槽221中的未處理基片W3并傳送至真空處理環(huán)境的相應(yīng)真空處理室內(nèi)。
[0045]然后，請(qǐng)參照?qǐng)D3c，本步驟中將第二室12內(nèi)切換為大氣環(huán)境。具體地，通過門閥機(jī)構(gòu)124密封開口 122而隔斷第二室12與真空環(huán)境的機(jī)械手工作腔50的連通；通過門閥機(jī)構(gòu)123密封開口 121而隔斷第二室12與大氣環(huán)境的機(jī)械手工作腔40的連通，通過第二室的排氣裝置125通入大氣以改變第二室12內(nèi)的氣壓，使其為常壓。此過程中，機(jī)械手工作腔50和第一室11仍保持為真空環(huán)境。
[0046]請(qǐng)繼續(xù)參考圖3d，本步驟中進(jìn)行第二室12與大氣氣氛環(huán)境間的基片傳送。具體的，門閥機(jī)構(gòu)124仍然密封開口 122，門閥機(jī)構(gòu)123打開開口 121使得第二室12與大氣環(huán)境的機(jī)械手工作腔40連通。第二室12的排氣裝置125關(guān)閉，不通入或排出氣體。第三機(jī)械手41拾取第二支撐件22的下層插槽222中的經(jīng)第一室處理的基片Wl "并傳送至大氣氣氛環(huán)境如存儲(chǔ)盒中，第四機(jī)械手42將大氣氣氛環(huán)境中的未處理基片W4置于第二支撐件22的上層插槽221上。
[0047]接下來，如圖3e所示，將第二室12內(nèi)切換為真空環(huán)境。具體地，通過門閥機(jī)構(gòu)124密封開口 124而隔斷第二室12與真空環(huán)境的機(jī)械手工作腔50的連通；通過門閥機(jī)構(gòu)123密封開口 121而隔斷第二室12與大氣環(huán)境的機(jī)械手工作腔40的連通，通過第二室的排氣單元125進(jìn)行排氣以改變第二室12內(nèi)的氣壓為真空。此過程中，機(jī)械手工作腔50和第一室11仍保持為真空環(huán)境。
[0048]當(dāng)圖3a?3e所示的各步驟完成后，升降機(jī)構(gòu)30又將基片支撐組件20下降至第二位置，再次進(jìn)行第二室12與真空處理環(huán)境的基片傳送(如圖3a所示)。
[0049]需要說明的是，本發(fā)明中第二支撐件的插槽數(shù)量以及大氣氣氛環(huán)境的機(jī)械手工作腔內(nèi)的機(jī)械手?jǐn)?shù)量可根據(jù)實(shí)際需求設(shè)定。例如在上述實(shí)施例中，第二支撐件22具有兩個(gè)插槽，但在實(shí)際應(yīng)用中，第二支撐件22僅具有一個(gè)插槽也足以完成上述基片處理過程。在此情況下，在圖3b所示的步驟中，第二機(jī)械手52先將第二支撐件22插槽中的未處理基片W3并傳送至真空處理環(huán)境的相應(yīng)真空處理室內(nèi)，然后第一機(jī)械手51再將其拾取的已處理基片Wl"放置于第二支撐件22的該插槽中。而在圖3d所示的步驟中，第三機(jī)械手41先拾取第二支撐件22插槽中的經(jīng)第一室處理的基片Wl "并傳送至大氣氣氛環(huán)境如存儲(chǔ)盒中，然后第四機(jī)械手42再將大氣氣氛環(huán)境中的未處理基片W4置于第二支撐件22的該插槽中。
[0050]另一方面，當(dāng)?shù)诙渭?2具有兩個(gè)插槽時(shí)，大氣氣氛環(huán)境的機(jī)械手工作腔40內(nèi)可僅包括一個(gè)機(jī)械手，在圖3d所示步驟中，這一大氣氣氛環(huán)境側(cè)的機(jī)械手先將大氣氣氛環(huán)境中的未處理基片W4置于第二支撐件22的上層插槽221上，再拾取第二支撐件22的下層插槽222中的經(jīng)第一室處理的基片Wl"并傳送至大氣氣氛環(huán)境如存儲(chǔ)盒中。
[0051]圖4和圖5顯示為本發(fā)明另一實(shí)施例的雙真空鎖系統(tǒng)的剖視圖及俯視圖。在本實(shí)施例中，真空鎖系統(tǒng)I的數(shù)量為2個(gè)，這兩個(gè)真空鎖系統(tǒng)I相鄰并行排列。真空處理腔2和兩個(gè)真空鎖系統(tǒng)I耦接至真空機(jī)械手工作室50 (或基片搬送室)。在本實(shí)施例中，真空機(jī)械手工作室50具有5個(gè)側(cè)邊，其中2個(gè)相鄰側(cè)邊分別耦接2個(gè)真空鎖系統(tǒng)1，剩下3個(gè)側(cè)邊每個(gè)連接一對(duì)真空處理腔2。兩個(gè)真空鎖系統(tǒng)I的另一側(cè)經(jīng)大氣環(huán)境機(jī)械手工作室40連接至基片存儲(chǔ)盒。每一個(gè)真空鎖系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)與上述實(shí)施例相同，在此不另作贅述。但需特別注意的是，這兩個(gè)真空鎖系統(tǒng)的第一室11共用排氣裝置112，可采用分離的反應(yīng)氣體分配組成、分離的RF射頻源或其他工藝參數(shù)，從而兩個(gè)第一室11相當(dāng)于形成一個(gè)一體的等離子體處理腔。由于共用了一些設(shè)備和資源，如排氣裝置和反應(yīng)氣體等，雙真空鎖系統(tǒng)能夠同時(shí)一次處理兩片基片，能夠有效改善低產(chǎn)能及高生產(chǎn)成本的缺陷。
[0052]需要說明的是，對(duì)于雙真空鎖系統(tǒng)，真空環(huán)境的機(jī)械手工作腔50的第一機(jī)械手51和第二機(jī)械手52均為雙臂機(jī)械手，從而可同時(shí)傳送兩片基片。具體的，在圖3a所示步驟中，雙臂第一機(jī)械手51從兩個(gè)真空鎖系統(tǒng)的第一支撐件上同時(shí)分別拾取基片Wl "，雙臂第二機(jī)械手52則同時(shí)將真空處理環(huán)境處理的兩片基片W2’分別放置在兩個(gè)第一支撐件21上。在圖3b所示的步驟中，雙臂第一機(jī)械手51同時(shí)將其拾取的基片Wl"分別放置于兩個(gè)第二支撐件22的下層插槽222內(nèi)，雙臂第二機(jī)械手52則同時(shí)拾取兩個(gè)上層插槽221中的未處理基片W3并傳送至真空處理環(huán)境的相應(yīng)真空處理室內(nèi)。由此，實(shí)現(xiàn)在兩個(gè)真空鎖系統(tǒng)的基片支撐組件和真空處理環(huán)境之間，以及在兩個(gè)基片支撐組件的第一支撐件和第二支撐件之間同步進(jìn)行基片傳送動(dòng)作。第三機(jī)械手41和第四機(jī)械手42則可以是單臂或雙臂機(jī)械手，此處不加以限制。
[0053]根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了具有上述真空鎖系統(tǒng)或雙真空鎖系統(tǒng)的真空處理系統(tǒng)。真空處理系統(tǒng)除了具有至少一個(gè)真空鎖系統(tǒng)外，還包括真空環(huán)境中的對(duì)基片進(jìn)行處理的至少一個(gè)真空處理室(如圖5中的真空處理室2)以及在真空環(huán)境中與至少一個(gè)真空處理室相連的真空傳送室或真空機(jī)械手工作腔(如圖5中的機(jī)械手工作腔50)。每一個(gè)真空鎖系統(tǒng)一側(cè)通過真空機(jī)械手工作腔與至少一個(gè)真空處理室相連，另一側(cè)通過大氣氣氛環(huán)境中的機(jī)械手工作腔與大氣氣氛環(huán)境如基片存儲(chǔ)盒相連。
[0054]根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種利用上述單一真空鎖系統(tǒng)或雙真空鎖系統(tǒng)進(jìn)行的基片處理方法。圖3a?圖3e顯示的是上述真空鎖系統(tǒng)對(duì)多片基片進(jìn)行處理的實(shí)施例，接下來將結(jié)合圖6以單一真空鎖系統(tǒng)對(duì)一片基片處理為例說明本發(fā)明的基片處理方法。該基片處理方法包括以下步驟:
[0055]步驟S1:將基片支撐組件下降至第二位置，將真空處理環(huán)境處理的基片放置在第一支撐件上。本步驟中，通過第二機(jī)械手將真空處理環(huán)境處理完畢的基片傳送到第一支撐件上，以在后續(xù)步驟中對(duì)該基片進(jìn)一步進(jìn)行等離子體處理。本步驟中，通過第二室和第一室的排氣裝置將第二室和第一室保持在與真空處理環(huán)境均衡的真空環(huán)境。
[0056]步驟S2:將基片支撐組件上升至第一位置，通過真空鎖系統(tǒng)的第一室對(duì)放置在其中的經(jīng)真空處理環(huán)境處理的基片進(jìn)行等離子體處理。本步驟中，通過第一室的排氣裝置將第一室保持在符合工藝條件要求的真空環(huán)境，必要時(shí)通過基片支撐組件的加熱器對(duì)基片加熱。
[0057]步驟S3:將基片支撐組件下降至第二位置；拾取第一支撐件上經(jīng)第一室處理完成的基片。本步驟中，通過第一機(jī)械手進(jìn)行經(jīng)第一室處理的基片的拾取動(dòng)作。此時(shí)，通過第二室和第一室保持在真空環(huán)境。
[0058]步驟S4:將基片支撐組件上升至第一位置，將經(jīng)第一室處理完成的基片通過第二室傳送至大氣氣氛環(huán)境，通過第二室將來自大氣氣氛環(huán)境的另一基片傳送至真空處理環(huán)境。
[0059]步驟S4中將基片支撐組件上升至第一位置后的基片傳送步驟包括:
[0060]首先，通過第一機(jī)械手將經(jīng)其已拾取的經(jīng)第一室處理的基片放置于第二支撐件。
[0061]然后，切換第二室內(nèi)為大氣壓環(huán)境，之后通過第三機(jī)械手拾取該第二支撐件上的經(jīng)第一室處理的基片并傳送至大氣氣氛環(huán)境，通過第四機(jī)械手將來自大氣氣氛環(huán)境的另一未處理基片放置于第二支撐件。
[0062]接下來，切換第二室內(nèi)為真空環(huán)境。
[0063]優(yōu)選地，第二支撐件具有上下兩層插槽，將來自大氣氣氛環(huán)境的未處理基片放置于第二支撐件的其中一層插槽，將經(jīng)第一室處理完畢的基片放置于第二支撐件的另一層插槽。
[0064]優(yōu)選地，第二室內(nèi)的環(huán)境切換均包括兩個(gè)步驟，首先將第二室側(cè)壁的兩個(gè)開口均密封，進(jìn)行氣體通入或氣體排出步驟，之后相應(yīng)將與大氣氣氛環(huán)境或