高抑制低損耗調(diào)螺免調(diào)試tem介質(zhì)雙工器及其制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本申請設(shè)及一種通信設(shè)備，特別是設(shè)及一種高抑制低損耗調(diào)螺免調(diào)試TOM介質(zhì)雙 工器及其制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 通訊系統(tǒng)中通常采用波導濾波器將特定頻段范圍內(nèi)的干擾信號或雜波信號濾除。 傳統(tǒng)波導濾波器結(jié)構(gòu)為金屬腔體結(jié)構(gòu)，即采用金屬或金屬合金等貴重材料(如:侶、儀合金 等)將中間或局部掏空，其金屬材料主要起到電磁屏蔽和結(jié)構(gòu)支撐的作用。采用此種方式設(shè) 計出來的濾波器雖然具有較高的Q值，但其體積及重量較大，不利于安裝、拆卸及運輸;而且 由于貴重金屬價格較高，導致波導濾波器成本也較高。
[0003]傳統(tǒng)介質(zhì)雙工器還存在功率小的技術(shù)問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的在于提供一種高抑制低損耗調(diào)螺免調(diào)試TEM介質(zhì)雙工器及其制作方 法，W克服現(xiàn)有技術(shù)中的不足。
[0005]為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案：
[0006]本申請實施例公開了一種高抑制低損耗調(diào)螺免調(diào)試TOM介質(zhì)雙工器，包括由固態(tài) 介電材料制成的本體，所述本體呈矩形體，其5個表面包覆有金屬層，所述本體的中部沿其 長度方向開設(shè)有隔離槽，所述隔離槽的兩側(cè)分別陣列設(shè)置有多個調(diào)試盲孔，所述每個調(diào)試 盲孔中分別配合設(shè)置有一個調(diào)諧螺釘，所述介質(zhì)雙工器相鄰的兩個側(cè)面分別連接有一MBX 組件，所述每一MBX組件分別包括一射頻線纜和一連接器，所述射頻線纜的一端通過線纜接 頭套連接于所述本體的側(cè)面，另一端與所述連接器連接，所述本體與所述MBX組件相對的一 個側(cè)面設(shè)有SM接頭。
[0007]優(yōu)選的，在上述的高抑制低損耗調(diào)螺免調(diào)試TEM介質(zhì)雙工器中，所述隔離槽的兩側(cè) 分別設(shè)置有20個調(diào)試盲孔。
[000引優(yōu)選的，在上述的高抑制低損耗調(diào)螺免調(diào)試TEM介質(zhì)雙工器中，相鄰兩個所述調(diào)試 盲孔之間的中屯、距為11+0.1mm。
[0009]優(yōu)選的，在上述的高抑制低損耗調(diào)螺免調(diào)試TEM介質(zhì)雙工器中，所述本體底部的兩 側(cè)分別凸伸有2個安裝板，所述安裝板上開設(shè)有安裝孔。
[0010] 優(yōu)選的，在上述的高抑制低損耗調(diào)螺免調(diào)試TEM介質(zhì)雙工器中，所述固態(tài)介電材料 為陶瓷。
[0011]優(yōu)選的，在上述的高抑制低損耗調(diào)螺免調(diào)試TEM介質(zhì)雙工器中，所述導電層為銀或 銅。
[0012] 相應(yīng)的，本申請還公開了一種高抑制低損耗調(diào)螺免調(diào)試TOM介質(zhì)雙工器的制作方 法，依次包括步驟：
[001引（1)、粉料制作；
[0014] (2)、干壓成型，成型壓力為9.5±I.OMPa，獲得巧件的長度150.9mm，寬度49mm，巧 件的比重為166±0.5g，;fc丕件的高度為13.7~13.8111111，巧件的密度為2.01邑/?3;
[001引（3)、燒成，收縮率滿足12.2~12.5%，成瓷密度滿足1.8~2.0g/cm3;
[0016] (4)、尺寸研磨，研磨后巧件長度為126.75±0.05mm，寬度為41.15±0.05mm，厚度 為 11.0±0.05mm;
[0017] (5)、金屬化，在陶瓷介質(zhì)5個面披銀；
[001 引（6)、老化，條件:90~100°C/24h，：-10~-5°C/24h;
[0019] (7)、頻率研磨；
[0020] (8)、印刷；
[0021 ] (9)、完成MBX組件、SMA接頭W及螺釘?shù)暮秆b；
[0022] (10)、調(diào)試，獲得成品。
[0023]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的優(yōu)點在于:本發(fā)明的介質(zhì)雙工器具有高抑制、低損耗、 調(diào)螺免調(diào)試的優(yōu)點，其還具有功率大的優(yōu)勢，可達到幾十瓦。
【附圖說明】
[0024]為了更清楚地說明本申請實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn) 有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本 申請中記載的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下， 還可W根據(jù)運些附圖獲得其他的附圖。
[0025]圖1所示為本發(fā)明具體實施例中高抑制低損耗調(diào)螺免調(diào)試TOM介質(zhì)雙工器的結(jié)構(gòu) 示意圖。
【具體實施方式】
[0026]下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行詳細的描 述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明 中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動的前提下所獲得的所有其他實施 例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。
[0027]結(jié)合圖1所示，高抑制低損耗調(diào)螺免調(diào)試TOM介質(zhì)雙工器，包括由固態(tài)介電材料制 成的本體1，本體呈矩形體，其5個表面包覆有金屬層，本體的中部沿其長度方向開設(shè)有隔離 槽101，隔離槽的兩側(cè)分別陣列設(shè)置有多個調(diào)試盲孔102,每個調(diào)試盲孔102中分別配合設(shè)置 有一個調(diào)諧螺釘2,介質(zhì)雙工器相鄰的兩個側(cè)面分別連接有一MBX組件3,每一MBX組件3分別 包括一射頻線纜301和一連接器302,射頻線纜301的一端通過線纜接頭套303連接于本體的 側(cè)面，另一端與連接器302連接，本體1與MBX組件3相對的一個側(cè)面設(shè)有SMA接頭4。
[0028] 進一步的，隔離槽的兩側(cè)分別設(shè)置有20個調(diào)試盲孔。相鄰兩個調(diào)試盲孔之間的中 屯、距為11 ±0.1mm。
[0029]進一步的，本體1底部的兩側(cè)分別凸伸有2個安裝板103,安裝板103上開設(shè)有安裝 孔 1031。
[0030]在上述技術(shù)方案中，固態(tài)介電材料優(yōu)選為陶瓷，陶瓷具有較高的介電常數(shù)，硬度及 耐高溫的性能也比較好，因此成本射頻濾波器領(lǐng)域常用的固態(tài)介電材料。當然，介電材料也 可W選用本領(lǐng)域技術(shù)人員所知的其他材料，如玻璃、電絕緣的高分子聚合物等。
[0031]在上述技術(shù)方案中，導電層優(yōu)選為銀或銅等金屬材料。
[0032]上述高抑制低損耗調(diào)螺免調(diào)試TEM介質(zhì)雙工器的制造方法，依次包括步驟：
[003；3] (1)、粉料制作；
[0034]MWF-9 材料，溫度系數(shù)-8.6ppm/°C，-40 ~8(rC
[0035] (2)、干壓成型，成型壓力為9.5±1.0MPa，獲得巧件的長度150.9mm，寬度49mm，巧 件的比重為166±0.5g，;fc丕件的高度為13.7~13.8111111，巧件的密度為2.01邑/?3;
[0036] 要求；
[0037] 1)、成型后的巧件毛刺必須立即清除。
[0038] 2)、成型后的巧件表面不得有殘留的料粉。
[0039]3)、成型巧件時要保證巧件上下密度的均勻一致。
[0040] 4)、成型后的巧件表面不得有缺損。
[0041 ] (3)、燒成，收縮率滿足12.2~12.5%，成瓷密度滿足1.8~2.Og/cm3,滿足
[00創(chuàng)要求：
[0044] 1)、燒成后的巧件表面不得有分層.開裂和缺口現(xiàn)象。
[0045]2)、燒成后的巧件外徑尺寸兩端的誤差必須控制在<0.Imm.
[0046] 3)、燒成后的巧件表面不得有色斑，由于燒成而引起的色變可W接受。
[0047]4)、燒成后的巧件表面不得有氣孔和砂眼
[004引 （4)、尺寸研磨，研磨后巧件長度為126.75±0.05mm，寬度為41.15±0.05mm，厚度 為 11.0±0.05mm;
[0049](5)、金屬化，在陶瓷介質(zhì)5個面披銀，126.75*41.15-個面預(yù)留不被銀；
[0化0] (6)、老化，條件：90~100。(3/2地，：-10~-5。(3/2地；
[0051] (7)、頻率研磨；
[0052] (8)、印刷；
[0053](9)、完成MBX組件、SMA接頭W及螺釘?shù)暮秆b；
[0054](10)、調(diào)試，獲得成品，調(diào)試指標如下：
[0化5]
[0056] 需要說明的是，在本文中，諸如第一和第二等之類的關(guān)系術(shù)語僅僅用來將一個實 體或者操作與另一個實體或操作區(qū)分開來，而不一定要求或者暗示運些實體或操作之間存 在任何運種實際的關(guān)系或者順序。而且，術(shù)語"包括"、"包含"或者其任何其他變體意在涵蓋 非排他性的包含，從而使得包括一系列要素的過程、方法、物品或者設(shè)備不僅包括那些要 素，而且還包括沒有明確列出的其他要素，或者是還包括為運種過程、方法、物品或者設(shè)備 所固有的要素。在沒有更多限制的情況下，由語句"包括一個……"限定的要素，并不排除在 包括所述要素的過程、方法、物品或者設(shè)備中還存在另外的相同要素。
[0057] W上所述僅是本申請的【具體實施方式】，應(yīng)當指出，對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人 員來說，在不脫離本申請原理的前提下，還可W做出若干改進和潤飾，運些改進和潤飾也應(yīng) 視為本申請的保護范圍。
【主權(quán)項】
1. 一種高抑制低損耗調(diào)螺免調(diào)試TEM介質(zhì)雙工器，其特征在于，包括由固態(tài)介電材料制 成的本體，所述本體呈矩形體，其5個表面包覆有金屬層，所述本體的中部沿其長度方向開 設(shè)有隔離槽，所述隔離槽的兩側(cè)分別陣列設(shè)置有多個調(diào)試盲孔，所述每個調(diào)試盲孔中分別 配合設(shè)置有一個調(diào)諧螺釘，所述介質(zhì)雙工器相鄰的兩個側(cè)面分別連接有一MBX組件，所述每 一MBX組件分別包括一射頻線纜和一連接器，所述射頻線纜的一端通過線纜接頭套連接于 所述本體的側(cè)面，另一端與所述連接器連接，所述本體與所述MBX組件相對的一個側(cè)面設(shè)有 SMA接頭。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的高抑制低損耗調(diào)螺免調(diào)試TEM介質(zhì)雙工器，其特征在于:所述 隔離槽的兩側(cè)分別設(shè)置有20個調(diào)試盲孔。3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的高抑制低損耗調(diào)螺免調(diào)試TEM介質(zhì)雙工器，其特征在于:相鄰 兩個所述調(diào)試盲孔之間的中心距為11 ± 〇. 1mm。4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的高抑制低損耗調(diào)螺免調(diào)試TEM介質(zhì)雙工器，其特征在于:所述 本體底部的兩側(cè)分別凸伸有2個安裝板，所述安裝板上開設(shè)有安裝孔。5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的高抑制低損耗調(diào)螺免調(diào)試TEM介質(zhì)雙工器，其特征在于:所述 固態(tài)介電材料為陶瓷。6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的高抑制低損耗調(diào)螺免調(diào)試TEM介質(zhì)雙工器，其特征在于:所述 導電層為銀或銅。7. 權(quán)利要求1至6任一所述的高抑制低損耗調(diào)螺免調(diào)試TEM介質(zhì)雙工器的制造方法，其 特征在于，依次包括步驟： (1) 、粉料制作； (2) 、干壓成型，成型壓力為9.5±1.OMPa，獲得坯件的長度150.9mm，寬度49mm，坯件的 比重為166±0.5&，還件的高度為13.7~13.8111111，還件的密度為2.〇]^/〇11 3; (3) 、燒成，收縮率滿足12.2~12.5%，成瓷密度滿足1.8~2.Og/cm3; (4) 、尺寸研磨，研磨后坯件長度為126.75 ±0.05mm，寬度為41.15 ±0.05mm，厚度為 11.0±0.05mm; (5) 、金屬化，在陶瓷介質(zhì)5個面披銀； (6) 、老化，條件:90~100°C/24h，：-10~-5°C/24h; (7) 、頻率研磨； (8) 、印刷； (9) 、完成MBX組件、SMA接頭以及螺釘?shù)暮秆b； (10 )、調(diào)試，獲得成品。
【專利摘要】本申請公開了一種高抑制低損耗調(diào)螺免調(diào)試TEM介質(zhì)雙工器及其制作方法，該介質(zhì)雙工器包括由固態(tài)介電材料制成的本體，所述本體呈矩形體，其5個表面包覆有金屬層，所述本體的中部沿其長度方向開設(shè)有隔離槽，所述隔離槽的兩側(cè)分別陣列設(shè)置有多個調(diào)試盲孔，所述每個調(diào)試盲孔中分別配合設(shè)置有一個調(diào)諧螺釘，所述介質(zhì)雙工器相鄰的兩個側(cè)面分別連接有一MBX組件，所述每一MBX組件分別包括一射頻線纜和一連接器，所述射頻線纜的一端通過線纜接頭套連接于所述本體的側(cè)面，另一端與所述連接器連接，所述本體與所述MBX組件相對的一個側(cè)面設(shè)有SMA接頭。
【IPC分類】H01P1/20
【公開號】CN105428761
【申請?zhí)枴緾N201610003545
【發(fā)明人】朱田中, 倪玉榮
【申請人】張家港保稅區(qū)燦勤科技有限公司
【公開日】2016年3月23日
【申請日】2016年1月4日