半導體封裝件的制法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及一種封裝制程，特別是關于一種半導體封裝件的制法，可以改善激光損壞導電層和殘留物問題。
【背景技術】
[0002]隨著半導體封裝技術的演進,半導體裝置(Semiconductor device)已開發(fā)出不同的封裝型態(tài)，而為提升電性功能及節(jié)省封裝空間，遂開發(fā)出不同的立體封裝技術，例如，扇出式封裝堆迭(Fan Out Package on package,簡稱FO PoP)等，以配合各種晶片上大幅增加的輸入/出埠數(shù)量，進而將不同功能的積體電路整合于單一封裝結構，此種封裝方式能發(fā)揮系統(tǒng)封裝(SiP)異質整合特性，可將不同功用的電子元件，例如:記憶體、中央處理器、繪圖處理器、影像應用處理器等，藉由堆迭設計達到系統(tǒng)的整合，適合應用于輕薄型各種電子產(chǎn)品。
[0003]圖1A至圖1F為現(xiàn)有封裝堆迭裝置的其中一半導體封裝件I的制法的剖面示意圖。
[0004]如圖1A所示，設置一如晶片的半導體元件10于一第一承載件11的離形層110上，再形成一封膠層13于該離形層110上以覆蓋該半導體元件10。
[0005]如圖1B所示，將具有銅箔120的第二承載件12設于該封膠層13上。
[0006]如圖1C所示，移除該第一承載件11及其離形層110，以露出該半導體元件10與封月父層13。
[0007]如圖1D所示，以激光方式形成多個開口 130于該半導體元件10周邊的封膠層13上。
[0008]如圖1E所示，填入導電材料于該些開口 130中，以形成導電柱14，再于該封膠層13上形成多個線路重布層(redistribut1n layer, RDL) 15,以令該線路重布層15電性連接該導電柱14與半導體元件10。
[0009]如圖1F所示，移除該第二承載件12，再利用該銅箔120進行圖案化線路制程，以形成線路結構16，之后再進行切單制程。
[0010]惟，現(xiàn)有半導體封裝件I的制法中，是以激光方式形成多個開口 130，所以不僅容易損害該銅箔120而影響后續(xù)制作該線路結構16的良率，且于形成該開口 130的過程中所產(chǎn)生的殘留物(如該封膠層13的殘膠或剝落的銅材等)極易堆積于該開口 130的底部，以致于后續(xù)制程中需先清洗該開口 130內部，才能將導電材料填入該開口 130中。
[0011]此外，清洗該開口 130的作業(yè)不僅增加制作成本，且因該開口 130具有很高的深寬t匕，所以通常難以完全清除該開口 130中的殘留物，導致殘留物會影響該導電柱14電性傳輸?shù)牧悸省?br>[0012]因此，如何克服上述現(xiàn)有技術的種種問題，實已成目前亟欲解決的課題。
【發(fā)明內容】
[0013]鑒于上述現(xiàn)有技術的種種缺失，本發(fā)明的目的為提供一種半導體封裝件的制法，于制作該開口時，僅會損害間隔層，而不會損害第二承載件的構造。
[0014]本發(fā)明的半導體封裝件包括:提供一設有至少一半導體元件的第一承載件，且該第一承載件具有接合該半導體元件的間隔層；形成一具有相對的第一表面及第二表面的封膠層于該第一承載件的間隔層上，使該封膠層包覆該半導體元件，且該第一表面接合該間隔層；形成至少一開口于該封膠層的第二表面上，且該開口連通該第一及第二表面；形成第二承載件于該封膠層的第二表面上；以及移除該第一承載件及該間隔層，以外露出該半導體元件、該封膠層的第一表面與開口。
[0015]前述的半導體封裝件的制法中，該封膠層以模壓制程或壓合制程形成者，且該開口以激光方式形成者。
[0016]前述的半導體封裝件的制法中，該第二承載件覆蓋該開口，且該第二承載件藉由導電層結合于該封膠層的第二表面上。例如，先形成該導電層于該封膠層的第二表面上，再形成該第二承載件于該導電層上；或者，先形成該導電層于該第二承載件上，再將該第二承載件以該導電層結合于該封膠層的第二表面上。又包括移除該第一承載件及該間隔層之后，移除該第二承載件，再利用該導電層形成一線路結構。
[0017]另外，前述的半導體封裝件及其制法中，還包括移除該第一承載件之后，形成導電材于該開口中，且形成線路結構于該封膠層的第一表面上，使該線路結構電性連接該導電材與該半導體元件。例如，該線路結構包含至少一線路重布層，且形成該導電材的材質至少包含銅、鋁、鈦或其至少二者的組合。又包括形成該線路結構之后，移除該第二承載件。
[0018]由上可知，本發(fā)明的半導體封裝件的制法中，藉由先形成該開口，再形成該第二承載件，之后移除該第一承載件及其間隔層，所以于制作該開口時，僅會損害該第一承載件的間隔層，而不會損害該第二承載件的構造，且于移除該第一承載件及其間隔層時，于形成該開口的過程中所產(chǎn)生的殘留物將自行掉落出該開口，因而不需進行清洗該開口的作業(yè)，以達到降低制作成本的目的。
【附圖說明】
[0019]圖1A至圖1F為現(xiàn)有半導體封裝件的制法的剖面示意圖；以及
[0020]圖2A至圖2H為本發(fā)明半導體封裝件的制法的剖視示意圖；其中，圖2C’為圖2C的另一方式。
[0021]符號說明
[0022]I, 2 半導體封裝件
[0023]10, 20半導體元件
[0024]11,21第一承載件
[0025]110 離形層
[0026]12，22第二承載件
[0027]120 銅箔
[0028]13，23 封膠層
[0029]130，230 開口
[0030]14,24 導電柱
[0031]15, 250線路重布層
[0032]16，25，26線路結構
[0033]210間隔層
[0034]220導電層
[0035]23a第一表面
[0036]23b第二表面
[0037]251導電元件。
【具體實施方式】
[0038]以下藉由特定的具體實施例說明本發(fā)明的實施方式，本領域技術人員士可由本說明書所揭示的內容輕易地了解本發(fā)明的其他優(yōu)點及功效。
[0039]須知，本說明書所附圖式所繪示的結構、比例、大小等，均僅用于配合說明書所揭示的內容，以供本領域技術人員的了解與閱讀，并非用于限定本發(fā)明可實施的限定條件，所以不具技術上的實質意義，任何結構的修飾、比例關系的改變或大小的調整，在不影響本發(fā)明所能產(chǎn)生的功效及所能達成的目的下，均應仍落在本發(fā)明所揭示的技術內容得能涵蓋的范圍內。同時，本說明書中所引用的如“上”、“第一”、“第二”及“一”等用語，也僅為便于敘述的明了，而非用于限定本發(fā)明可實施的范圍，其相對關系的改變或調整，在無實質變更技術內容下，當也視為本發(fā)明可實施的范疇。
[0040]圖2A至圖2G為本發(fā)明半導體封裝件2的制法的剖視示意圖。
[0041]如圖2A所