半導(dǎo)體封裝件及其制法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體封裝件及其制法，尤指一種具有嵌埋式線路的半導(dǎo)體封裝件及其制法。
【背景技術(shù)】
[0002]由于科技日益進(jìn)步，通訊、網(wǎng)絡(luò)、及計算機(jī)等各式可攜式電子產(chǎn)品及其周邊產(chǎn)品的輕薄短小的趨勢日益重要，且該等電子產(chǎn)品更朝多功能及高性能的方向發(fā)展，于半導(dǎo)體制程上則不斷朝向積體化更高的制程演進(jìn)，且高密度與低成本的封裝結(jié)構(gòu)也為業(yè)者追求的目標(biāo)。
[0003]一般的具有嵌埋式線路的半導(dǎo)體封裝件通過于預(yù)浸材(pr印reg)的表面上以激光燒灼形成凹槽，然后，于該凹槽中進(jìn)行電鍍形成線路層。
[0004]不過，前述制程中的凹槽只能藉由激光方式逐一形成，故此制程的成本較高，而且，現(xiàn)有的半導(dǎo)體封裝件是將電子組件設(shè)置于基板表面上，而占據(jù)許多線路布局空間，使線路的布線較不具有彈性。
[0005]因此，如何克服現(xiàn)有技術(shù)的種種問題，實(shí)為一重要課題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]為解決上述現(xiàn)有技術(shù)的種種問題，本發(fā)明的目的為揭露一種半導(dǎo)體封裝件及其制法，可縮小整體半導(dǎo)體封裝件結(jié)構(gòu)的體積，且可更有彈性地布設(shè)線路位置。
[0007]本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝件的制法包括:于一承載板上形成第一線路層；于該承載板上形成第一介電層，以包覆該第一線路層，令該第一介電層具有面向該承載板的第一表面與其相對的第二表面；形成貫穿該第一表面與第二表面的介電層開口，以外露部分該承載板；于該介電層開口中形成至少一黏著件；于該黏著件上設(shè)置電子組件；于該第一介電層及電子組件上形成第二介電層，以包覆該電子組件與黏著件；于該第二介電層中形成多個電性連接該電子組件的導(dǎo)電盲孔，并于該第二介電層上形成電性連接該導(dǎo)電盲孔的第二線路層；以及移除該承載板。
[0008]前述的半導(dǎo)體封裝件的制法中，該黏著件形成于該第一線路層上或該承載板上。
[0009]前述的半導(dǎo)體封裝件的制法中，還包括于該第一線路層與第一介電層上形成具有多個第一絕緣保護(hù)層開孔的第一絕緣保護(hù)層，各該第一絕緣保護(hù)層開孔外露部分該第一線路層。
[0010]前述的半導(dǎo)體封裝件的制法中，還包括于該第二線路層與第二介電層上形成具有多個第一絕緣保護(hù)層開孔的第二絕緣保護(hù)層，各該第二絕緣保護(hù)層開孔外露部分該第二線路層。
[0011 ] 前述的半導(dǎo)體封裝件的制法中，還包括形成貫穿該第一介電層與第二介電層且電性連接該第一線路層與第二線路層的導(dǎo)電通孔。
[0012]本發(fā)明又提供一種半導(dǎo)體封裝件，包括:第一介電層，其具有相對的第一表面與第二表面及貫穿該第一表面與第二表面的介電層開口 ；第一線路層，其嵌埋于該第一介電層中且外露于該第一表面；第二介電層，其形成于該第一介電層的第二表面上，并填入該介電層開口中；至少一黏著件，其形成于該介電層開口中的第二介電層中，且鄰近該第一表面；電子組件，其設(shè)置于該介電層開口中的黏著件上；多個導(dǎo)電盲孔，其形成于該第二介電層中，且電性連接該電子組件；以及第二線路層，其形成于該第二介電層遠(yuǎn)離該第一表面的表面上，且電性連接該導(dǎo)電盲孔。
[0013]前述的半導(dǎo)體封裝件中，該黏著件外露于該第一表面。
[0014]前述的半導(dǎo)體封裝件中，該第一線路層還嵌埋并外露于該第二介電層鄰近該第一表面的表面，且該黏著件形成于該第一線路層上。
[0015]前述的半導(dǎo)體封裝件中，還包括第一絕緣保護(hù)層，其形成于該第一線路層與第一介電層上，且具有多個外露部分該第一線路層的第一絕緣保護(hù)層開孔。
[0016]前述的半導(dǎo)體封裝件中，還包括第二絕緣保護(hù)層，其形成于該第二線路層與第二介電層上，且具有多個外露部分該第二線路層的第二絕緣保護(hù)層開孔。
[0017]前述的半導(dǎo)體封裝件中，還包括導(dǎo)電通孔，其貫穿該第一介電層與第二介電層，且電性連接該第一線路層與第二線路層。
[0018]前述的半導(dǎo)體封裝件及其制法，該電子組件為被動組件。
[0019]前述的半導(dǎo)體封裝件及其制法，該黏著件的材質(zhì)為導(dǎo)電膠。
[0020]前述的半導(dǎo)體封裝件及其制法，該導(dǎo)電膠為異方性導(dǎo)電膠。
[0021]前述的半導(dǎo)體封裝件及其制法，該黏著件的材質(zhì)為不導(dǎo)電膠。
[0022]依上所述，本發(fā)明先于該承載板上形成第一介電層，且該第一介電層包覆于該承載板上的第一線路層，再形成介電層開口，并于該介電層開口中形成黏著件，將電子組件設(shè)置于該黏著件上，再形成第二介電層于該承載板及該第一介電層上，且該第二介電層填滿該介電層開口，并包覆該黏著件與該電子組件，最后移除該承載板。
[0023]反之，現(xiàn)有技術(shù)于基板上先以激光方式逐一燒制線路層凹槽，接著，于該線路層凹槽中進(jìn)行電鍍制程以形成線路層，故對于整體結(jié)構(gòu)的制程的成本較高，且現(xiàn)有技術(shù)會將電子組件設(shè)置于基板上，占據(jù)許多線路布局空間。
[0024]因此，本發(fā)明可縮小整體半導(dǎo)體封裝件結(jié)構(gòu)的體積，且可更有彈性地布設(shè)線路位置。
【附圖說明】
[0025]圖1A至圖1I為本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝件及其制法的第一實(shí)施例的剖面示意圖。
[0026]圖2A至圖21為本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝件及其制法的第二實(shí)施例的剖面示意圖。
[0027]主要組件符號說明
[0028]10、20 承載板
[0029]101,201 第一線路層
[0030]11,21 第一介電層
[0031]111、211 第一表面
[0032]112、212 第二表面
[0033]113,213 介電層開口
[0034]12、22黏著件
[0035]13、23電子組件
[0036]14,24第二介電層
[0037]141,241第二線路層
[0038]15、25導(dǎo)電盲孔
[0039]16、26導(dǎo)電通孔
[0040]17,27第一絕緣保護(hù)層
[0041]17a、27a第一絕緣保護(hù)層開孔
[0042]18,28第二絕緣保護(hù)層
[0043]18a,28a第二絕緣保護(hù)層開孔。
【具體實(shí)施方式】
[0044]以下藉由特定的具體實(shí)施例說明本發(fā)明的實(shí)施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可由本說明書所揭示的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其它優(yōu)點(diǎn)及功效。
[0045]須知，本說明書所附圖式所繪示的結(jié)構(gòu)、比例、大小等，均僅用以配合說明書所揭示的內(nèi)容，以供本領(lǐng)域技術(shù)人員的了解與閱讀，并非用以限定本發(fā)明可實(shí)施的限定條件，故不具技術(shù)上的實(shí)質(zhì)意義，任何結(jié)構(gòu)的修飾、比例關(guān)系的改變或大小的調(diào)整，在不影響本發(fā)明所能產(chǎn)生的功效及所能達(dá)成的目的下，均應(yīng)仍落在本發(fā)明所揭示的技術(shù)內(nèi)容得能涵蓋的范圍內(nèi)。同時，本說明書中所引用的如「上」及「一」等用語，也僅為便于敘述的明了，而非用以限定本發(fā)明可實(shí)施的范圍，其相對關(guān)系的改變或調(diào)整，在無實(shí)質(zhì)變更技術(shù)內(nèi)容下，當(dāng)也視為本發(fā)明可實(shí)施的范疇。
[0046]第一實(shí)施例
[0047]以下將配合圖1A至圖1I以詳細(xì)說明本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝件及其制法的第一實(shí)施例的剖面示意圖。
[0048]如圖1A所示，提供一承載板10。
[0049]如圖1B所示，其接續(xù)自圖1A的制程，于該承載板10上形成第一線路層101。
[0050]如圖1C所示，其接續(xù)自圖1B的制程，于該承載板10上形成第一介電層11，以包覆該第一線路層101，且令該第一介電層11具有面向該承載板10的第一表面111與其相對的第二表面112,而該第一介電層11的材質(zhì)例如為預(yù)浸材(prepreg)。
[0051]如圖1D所示，其接續(xù)自圖1C的制程，形成貫穿該第一表面111與第二表面112的介電層開口 113,以外露部分該承載板10與第一線路層101。
[0052]如圖1E所示，其接續(xù)自圖1D的制程，于該介電層開口 113中的該第一線路層101上形成至少一黏著件12，此外，該黏著件12的材質(zhì)為導(dǎo)電膠，例如異方性導(dǎo)電膠。
[0053]如圖1F所示，其接續(xù)自圖1E的制程，于該黏著件12上設(shè)置電子組件13，該電子組件13可為主動組件或被動組件,該被動組件例如為積層陶瓷電容器(Mult1-layer CeramicCapacitor, MLCC)。
[0054]如圖1G所示，其接續(xù)自圖1F的制程，于該第一介電層11及電子組件13上形成第二介電層14，該第二介電層14的材質(zhì)例如為預(yù)浸材(prepreg)，以包覆該電子組件13與該黏著件12，接著，于該第二介電層14中形成多個電性連接該電子組件13的導(dǎo)電盲孔15，又形成貫穿該第一介電層11與該第二介電層14且電性連接該第一線路層101的導(dǎo)電通孔16，并于該第二介電層14上形成第二線路層141，且該第二線路層141電性連接該導(dǎo)電盲孔15，而第二線路層141也與該導(dǎo)電通孔16電性連接。
[0055]如圖1H所示，其接續(xù)自圖1G的制程，移除該承載板10。
[0056]如圖1I所示，其接續(xù)自圖1H的制程，于該第一線路層101與第一介電層11上形成具有多個第一絕緣保護(hù)層開孔17a的第一絕緣保護(hù)層17，各該第一絕緣保護(hù)層開孔17a外露部分該第一線路層101，另外，于該第二線路層141與第二介電層14上形成具有多個第二絕緣保護(hù)層開孔18a的第二絕緣保護(hù)層18，各該第二絕緣保護(hù)層開孔18a外露部分該第二線路層141。
[0057]第二實(shí)施例
[0058]以下將配合圖2A至圖21以詳細(xì)說明本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝件及其制法的第二實(shí)施例的剖面示意圖。
[0059]如圖2A所示，提供一承載板20。
[0060]還請參閱圖2B，其接續(xù)自圖2A的制程，于該承載板20上形成第一線路層201。[0061 ] 還請參閱圖2C，其接續(xù)自圖2B的制程，形成第一介電層21于該承載板20上，以包覆該第一線路層201，且令該第一介電層21具有面向該承載板20的第一表面211與其相對的第二表面212。
[0062]還請參閱圖2D，其接續(xù)自圖2C的制程，形成貫穿該第一表面211與第二表面212的介電層開