一種缺陷掃描機(jī)臺對準(zhǔn)系統(tǒng)的改進(jìn)方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，具體而言涉及一種缺陷掃描機(jī)臺對準(zhǔn)系統(tǒng)的改進(jìn)方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在晶圓的生產(chǎn)過程中，需要在關(guān)鍵工藝制程站點(diǎn)之后安插缺陷掃描(DefectInspect1n)站點(diǎn)。通過抽樣掃描缺陷來判斷線上缺陷狀況,發(fā)現(xiàn)問題,并解決問題，進(jìn)而提升產(chǎn)品的良率。
[0003]缺陷掃描機(jī)臺是通過晶粒(die)對晶粒間的對比來檢測缺陷，因此在進(jìn)行缺陷掃描前需要對晶圓進(jìn)行對準(zhǔn)(alignment)。缺陷掃描機(jī)臺的對準(zhǔn)系統(tǒng)是通過采集預(yù)檢測晶圓的預(yù)定位置(如圖1中位置1，2，3，4，5，6)的圖像，與建立工藝配方時的預(yù)設(shè)定對比圖像進(jìn)行比較，如果預(yù)檢測晶圓圖像與預(yù)設(shè)定對比圖像吻合，則對準(zhǔn)成功，如果不吻合，則失敗。
[0004]在PM周期的末期，由于機(jī)臺上采集圖像鏡頭的使用壽命或者鏡頭在Z方向上的偏移兩個因素的影響，采集到的圖像與預(yù)設(shè)定對比圖像相比有略微的散焦，如圖2所示，從而導(dǎo)致對準(zhǔn)失敗率變高，掃描的晶圓片數(shù)變少。
[0005]目前常見的處理方法包括以下幾種:
[0006]1、縮短PM周期，但是這樣會增加額外的成本。
[0007]2、復(fù)檢對準(zhǔn)失敗率，如果發(fā)現(xiàn)失敗率有上升的趨勢，通知相關(guān)人員進(jìn)行解決，但是這樣通常會導(dǎo)致缺陷處理周期延遲5?7天，影響產(chǎn)品的良率。
[0008]3、當(dāng)出現(xiàn)對準(zhǔn)失敗的警示時，現(xiàn)場操作人員及時進(jìn)行手動對準(zhǔn)，而這樣會增加操作人員額外的勞動量，且容易造成機(jī)臺空轉(zhuǎn)。
[0009]因此，為了解決上述技術(shù)問題，有必要對缺陷掃描機(jī)臺對準(zhǔn)系統(tǒng)進(jìn)行改進(jìn)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0010]在
【發(fā)明內(nèi)容】
部分中引入了一系列簡化形式的概念，這將在【具體實(shí)施方式】部分中進(jìn)一步詳細(xì)說明。本發(fā)明的
【發(fā)明內(nèi)容】
部分并不意味著要試圖限定出所要求保護(hù)的技術(shù)方案的關(guān)鍵特征和必要技術(shù)特征，更不意味著試圖確定所要求保護(hù)的技術(shù)方案的保護(hù)范圍。
[0011]為了克服目前存在問題，本發(fā)明提出一種缺陷掃描機(jī)臺對準(zhǔn)系統(tǒng)的改進(jìn)方法，包括:
[0012]建立用于儲存參考圖像的數(shù)據(jù)庫，所述數(shù)據(jù)庫包括每個所述參考圖像的寫入時間、ID、被用于預(yù)設(shè)定對比圖像的次數(shù)及時間；
[0013]將采集的預(yù)檢測晶圓圖像與建立工藝配方時的預(yù)設(shè)定對比圖像進(jìn)行逐一比對，若不匹配，則與所述數(shù)據(jù)庫中的參考圖像進(jìn)行比對；
[0014]在所述數(shù)據(jù)庫中找到匹配的參考圖像時，則對準(zhǔn)成功，并記錄所述數(shù)據(jù)庫中該參考圖像的ID ；
[0015]若在所述數(shù)據(jù)庫中未找到與所述預(yù)檢測晶圓圖像相匹配的圖像，則將所述預(yù)檢測晶圓圖像寫入所述數(shù)據(jù)庫，并標(biāo)記其ID，及寫入時間，然后警示操作人員進(jìn)行人工對準(zhǔn)。
[0016]進(jìn)一步，將所述預(yù)檢測晶圓圖像與所述預(yù)設(shè)定對比圖像進(jìn)行比對時，若匹配，則對準(zhǔn)成功。
[0017]進(jìn)一步，將所述預(yù)檢測晶圓圖像與所述數(shù)據(jù)庫中的參考圖像進(jìn)行比對時，所述比對的順序以被匹配次數(shù)最多的參考圖像優(yōu)先。
[0018]進(jìn)一步，當(dāng)所述被匹配次數(shù)相同時，所述比對的順序以匹配時間最近的參考圖像優(yōu)先。
[0019]進(jìn)一步，將所述預(yù)檢測晶圓圖像與所述數(shù)據(jù)庫中的參考圖像進(jìn)行比對時，若連續(xù)3次以上與所述數(shù)據(jù)庫中同一參考圖像ID相匹配，則將該參考圖像寫入為該工藝配方的預(yù)設(shè)定對比圖像。
[0020]進(jìn)一步，若3個不同工藝配方的預(yù)設(shè)定對比圖像被所述數(shù)據(jù)庫中的參考圖像替換，警示給相關(guān)人員。
[0021]進(jìn)一步，所述警示給相關(guān)人員的警示信息包含工藝配方名稱，替換時間和圖像ID。
[0022]綜上所述，根據(jù)本發(fā)明提出的缺陷掃描機(jī)臺對準(zhǔn)系統(tǒng)的改進(jìn)方法，可降低對準(zhǔn)失敗率，有效監(jiān)控機(jī)臺對準(zhǔn)系統(tǒng)的性能，進(jìn)而提聞生廣效率和廣品的良率。
【附圖說明】
[0023]本發(fā)明的下列附圖在此作為本發(fā)明的一部分用于理解本發(fā)明。附圖中示出了本發(fā)明的實(shí)施例及其描述，用來解釋本發(fā)明的原理。
[0024]附圖中:
[0025]圖1為現(xiàn)有的預(yù)檢測晶圓的預(yù)定位置的示意圖；
[0026]圖2為現(xiàn)有的預(yù)設(shè)定對比圖像和散焦圖像對比圖；
[0027]圖3為根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的改進(jìn)方法依次實(shí)施的流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0028]在下文的描述中，給出了大量具體的細(xì)節(jié)以便提供對本發(fā)明更為徹底的理解。然而，對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言顯而易見的是，本發(fā)明可以無需一個或多個這些細(xì)節(jié)而得以實(shí)施。在其他的例子中，為了避免與本發(fā)明發(fā)生混淆，對于本領(lǐng)域公知的一些技術(shù)特征未進(jìn)行描述。
[0029]應(yīng)當(dāng)理解的是，本發(fā)明能夠以不同形式實(shí)施，而不應(yīng)當(dāng)解釋為局限于這里提出的實(shí)施例。相反地，提供這些實(shí)施例將使公開徹底和完全，并且將本發(fā)明的范圍完全地傳遞給本領(lǐng)域技術(shù)人員。在附圖中，為了清楚，層和區(qū)的尺寸以及相對尺寸可能被夸大。自始至終相同附圖標(biāo)記表示相同的元件。
[0030]應(yīng)當(dāng)明白，當(dāng)元件或?qū)颖环Q為“在...上”、“與...相鄰”、“連接至『或“耦合到”其它元件或?qū)訒r，其可以直接地在其它元件或?qū)由?、與之相鄰、連接或耦合到其它元件或?qū)?，或者可以存在居間的元件或?qū)?。相反，?dāng)元件被稱為“直接在...上”、“與...直接相鄰”、“直接連接到”或“直接耦合到”其它元件或?qū)訒r，則不存在居間的元件或?qū)印?yīng)當(dāng)明白，盡管可使用術(shù)語第一、第二、第三等描述各種元件、部件、區(qū)、層和/或部分，這些元件、部件、區(qū)、層和/或部分不應(yīng)當(dāng)被這些術(shù)語限制。這些術(shù)語僅僅用來區(qū)分一個元件、部件、區(qū)、層或部分與另一個元件、部件、區(qū)、層或部分。因此，在不脫離本發(fā)明教導(dǎo)之下，下面討論的第一元件、部件、區(qū)、層或部分可表示為第二元件、部件、區(qū)、層或部分。
[0031]空間關(guān)系術(shù)語例如“在...下”、“在...下面”、“下面的”、“在...之下”、“在...之上”、“上面的”等，在這里可為了方便描述而被使用從而描述圖中所示的一個元件或特征與其它元件或特征的關(guān)系。應(yīng)當(dāng)明白，除了圖中所示的取向以外，空間關(guān)系術(shù)語意圖還包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附圖中的器件翻轉(zhuǎn)，然后，描述為“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征將取向?yàn)樵谄渌蛱卣鳌吧稀?。因此，示例性術(shù)語“在...下面”和“在...下”可包括上和下兩個取向。器件可以另外地取向(旋轉(zhuǎn)90度或其它取向)并且在此使用的空間描述語相應(yīng)地被解釋。
[0032]在此使用的術(shù)語的目的僅在于描述具體實(shí)施例并且不作為本發(fā)明的限制。在此使用時，單數(shù)形式的“一”、“一個”和“所述/該”也意圖包括復(fù)數(shù)形式，除非上下文清楚指出另外的方式。還應(yīng)明白術(shù)語“組成”和/或“包括”，當(dāng)在該說明書中使用時，確定所述特征、整數(shù)、步驟、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一個或更多其它的特征、整數(shù)、步驟、操作、元件、部件和/或組的存在或添加。在此使用時，術(shù)語“和/或”包括相關(guān)所列項(xiàng)目的任何及所有組合。
[0033]為了徹底理解本發(fā)明，將在下列的描述中提出詳細(xì)的步驟，以便闡釋本發(fā)明提出的技術(shù)方案。本發(fā)明的較佳實(shí)施例詳細(xì)描述如下，然而除了這些詳細(xì)描述外，本發(fā)明還可以具有其他實(shí)施方式。
[0034][示例性實(shí)施例]
[0035]缺陷掃描機(jī)臺是通過晶粒對晶粒間的對比來檢測缺陷，因此在進(jìn)行缺陷掃描前需要對晶圓進(jìn)行對準(zhǔn)(alignment)。在PM周期的末期，由于