芯片間隔維持裝置以及芯片間隔維持方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及將隔著擴(kuò)張膜支撐于環(huán)狀框架上的被加工物的分割后的各個(gè)芯片維持為擴(kuò)張芯片間隔的狀態(tài)的芯片間隔維持裝置以及芯片間隔維持方法。
【背景技術(shù)】
[0002]以往，已知在貼附于擴(kuò)張膜上的被加工物上，沿著分割預(yù)定線形成改質(zhì)層、激光加工槽、切削槽等的分割起點(diǎn)，然后將被加工物分割為各個(gè)芯片的方法(例如，參照專利文獻(xiàn)I)。在專利文獻(xiàn)I所述的分割方法中，粘貼于環(huán)狀框架上的擴(kuò)張膜擴(kuò)張，從而對沿著分割預(yù)定線形成的分割起點(diǎn)施加外力，沿著該強(qiáng)度降低的分割起點(diǎn)將被加工物分割為各個(gè)芯片。然而，一旦解除了擴(kuò)張膜的擴(kuò)張，則會在擴(kuò)張膜上產(chǎn)生較大的松弛，相鄰芯片彼此接觸而存在產(chǎn)生缺損和破損的可能性。
[0003]因此，還提出了在維持(固定)芯片間的間隔的狀態(tài)下，對擴(kuò)張膜的松弛程度較大的被加工物的周圍賦予熱等的外部刺激，使擴(kuò)張膜的松弛收縮的方法。對于該方法，擔(dān)心由于擴(kuò)張膜的材質(zhì)和厚度而使得基于外部刺激的松弛收縮不充分，或者松弛不發(fā)生收縮。于是，提出了一種把持?jǐn)U張膜的松弛并進(jìn)行熱壓接，從而在擴(kuò)張膜上形成張力的方法(例如，參照專利文獻(xiàn)2)。在該專利文獻(xiàn)2所述的方法中，使在被加工物的周圍產(chǎn)生的擴(kuò)張膜的松弛向上方隆起，在全周范圍把持該隆起部并進(jìn)行熱壓接，以去除擴(kuò)張膜的松弛。
[0004]專利文獻(xiàn)I日本特開2007-189057號公報(bào)
[0005]專利文獻(xiàn)2日本特開2013-239557號公報(bào)
[0006]然而，在擴(kuò)張膜貼附于環(huán)狀框架上時(shí)，會在擴(kuò)張膜的一個(gè)方向上施加張力，因而會在被施加張力的一個(gè)方向和與其正交的另一個(gè)方向上產(chǎn)生張力偏差。因此，在專利文獻(xiàn)2所述的方法中，受到擴(kuò)張膜內(nèi)在的張力影響，會在被加工物的周圍的徑向不同距離處產(chǎn)生隆起部。因此，在從上表面觀察時(shí)，被加工物的周圍會被隆起部呈橢圓狀包圍，存在難以在全周范圍內(nèi)對隆起部熱壓接以去除擴(kuò)張膜的松弛的問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明就是鑒于上述情況而完成的，其目的在于提供一種能夠在短時(shí)間內(nèi)準(zhǔn)確地去除由于擴(kuò)張膜的擴(kuò)張而產(chǎn)生的松弛的芯片間隔維持裝置以及芯片間隔維持方法。
[0008]本發(fā)明的芯片間隔維持裝置，其將構(gòu)成貼附于擴(kuò)張膜上而安裝于環(huán)狀框架上的被加工物的多個(gè)芯片的間隔維持為擴(kuò)張狀態(tài)，其具有:工作臺，其具有支撐被加工物的支撐面，并且隔著擴(kuò)張膜以能夠吸附保持的方式支撐被加工物；框架保持單元，其具有在該工作臺的周圍保持環(huán)狀框架的保持面；擴(kuò)張單元，其通過擴(kuò)張?jiān)摂U(kuò)張膜而在多個(gè)該芯片間形成間隔；加熱單元，其從上方側(cè)對隆起部照射熱而使其收縮，其中，該隆起部是在隔著該擴(kuò)張膜通過該工作臺吸附保持被該擴(kuò)張單元擴(kuò)張了該擴(kuò)張膜而在該芯片間形成有間隔的多個(gè)該芯片的同時(shí)，通過解除該擴(kuò)張單元的擴(kuò)張而在被加工物的外周與該環(huán)狀框架的內(nèi)周之間由該擴(kuò)張膜的多余部分隆起而成的；以及按壓單元，其配設(shè)于與該加熱單元的熱照射口相對的隔著該擴(kuò)張膜的正下方，且從該擴(kuò)張膜的下方向該加熱單元的該熱照射口的方向按壓該擴(kuò)張膜，使該隆起部向該加熱單元的該熱照射口的附近移動。
[0009]根據(jù)該結(jié)構(gòu)，被加工物保持于工作臺上，而環(huán)狀框架保持于框架保持單元上，通過擴(kuò)張膜擴(kuò)張而在芯片間形成間隔。然后，在憑借工作臺的吸附在被加工物的芯片間維持間隔的狀態(tài)下解除擴(kuò)張膜的擴(kuò)張，從而在被加工物的外周與環(huán)狀框架的內(nèi)周之間，通過擴(kuò)張膜的松弛產(chǎn)生的多余部分隆起而形成隆起部。此時(shí)，憑借擴(kuò)張膜內(nèi)在的張力的偏差，在產(chǎn)生于被加工物的周圍的隆起部從熱照射口的正下方偏離時(shí)，憑借按壓單元按壓擴(kuò)張膜而使得隆起部移動至熱照射口的正下方。隆起部向熱照射口的附近移動，因此從熱照射口起向隆起部照射熱，能夠使隆起部高效地?zé)崾湛s。
[0010]另外，本發(fā)明的芯片間隔維持方法，使用如上所述的芯片間隔維持裝置，將構(gòu)成貼附于擴(kuò)張膜上而安裝于環(huán)狀框架上的被加工物的多個(gè)芯片的間隔維持為擴(kuò)張狀態(tài)，具有:保持步驟，在該工作臺上隔著該擴(kuò)張膜載置被加工物，并且通過該框架保持單元保持該環(huán)狀框架；芯片間隔擴(kuò)張步驟，在實(shí)施了該保持步驟后，使該工作臺和該框架保持單元在鉛直方向上相對移動規(guī)定的距離，使該工作臺相對于該框架保持單元頂起而延展該擴(kuò)張膜，從而在該多個(gè)芯片間形成間隔；吸附保持步驟，在實(shí)施了該芯片間隔擴(kuò)張步驟后，通過該工作臺隔著該擴(kuò)張膜吸附保持被加工物，從而維持相鄰的該芯片間的間隔；隆起部形成步驟，在開始了該吸附保持步驟后，使該工作臺和該框架保持單元在鉛直方向上相對移動，解除該工作臺相對于該框架保持單元的頂起，形成該擴(kuò)張膜擴(kuò)張而形成的該擴(kuò)張膜的多余部位在被加工物的外周側(cè)向該擴(kuò)張膜的正面?zhèn)嚷∑鸲傻穆∑鸩?；以及加熱收縮步驟，在實(shí)施了該隆起部形成步驟后，通過該按壓單元按壓擴(kuò)張膜，使該隆起部移動至該加熱單元的該熱照射口的正下方，并且通過該加熱單元使該隆起部加熱收縮。
[0011 ]另外，在上述芯片間隔維持方法中，在設(shè)定有交叉的多條分割預(yù)定線的被加工物上，沿著該分割預(yù)定線形成有分割起點(diǎn)，在該芯片間隔擴(kuò)張步驟中，被加工物被分割為多個(gè)芯片，并且在芯片間形成有間隔。
[0012]根據(jù)本發(fā)明，通過使在解除了擴(kuò)張膜的擴(kuò)張狀態(tài)后產(chǎn)生的隆起部向熱照射口的正下方移動，從而能夠在短時(shí)間內(nèi)準(zhǔn)確地去除由于擴(kuò)張膜的擴(kuò)張而產(chǎn)生的松弛。
【附圖說明】
[0013]圖1是本實(shí)施方式的芯片間隔維持裝置的立體圖。
[0014]圖2A?2C是本實(shí)施方式的工作臺的上表面示意圖和剖面示意圖。
[0015]圖3A?3C是本實(shí)施方式的按壓單元的動作說明圖。
[0016]圖4是表示本實(shí)施方式的保持步驟的一例的圖。
[0017]圖5是表示本實(shí)施方式的芯片間隔擴(kuò)張步驟的一例的圖。
[0018]圖6是表示本實(shí)施方式的吸附保持步驟的一例的圖。
[0019]圖7是表示本實(shí)施方式的隆起部形成步驟的一例的圖。
[0020]圖8A?8B是表示本實(shí)施方式的加熱收縮步驟的一例的圖。
[0021]標(biāo)號說明
[0022]1:芯片間隔維持裝置；11:工作臺；12:框架保持單元；21:支撐面；23:按壓單元；32:保持面；37:升降氣缸(擴(kuò)張單元);41:加熱單元；45:熱照射口 ；52:分割預(yù)定線；54:改質(zhì)層(分割起點(diǎn))；c:芯片；F:環(huán)狀框架；R:隆起部；S:擴(kuò)張膜;W:被加工物。
【具體實(shí)施方式】
[0023]以下，說明本實(shí)施方式的芯片間隔維持裝置。圖1是本實(shí)施方式的芯片間隔維持裝置的立體圖。圖2是本實(shí)施方式的工作臺的上表面示意圖和剖面示意圖。另外，圖2A是表示工作臺的上表面示意圖，圖2B是表示沿著圖2A的A-A線的剖面示意圖，圖2C是表示沿著圖2A的B-B線的剖面示意圖。此外，本實(shí)施方式的芯片間隔維持裝置不限于圖1所示的結(jié)構(gòu)，能夠適當(dāng)變更。
[0024]如圖1所示，芯片間隔維持裝置I構(gòu)成為，通過擴(kuò)張膜S的膜擴(kuò)張，將隔著擴(kuò)張膜S而支撐于環(huán)狀框架F上的圓板狀的被加工物W分割為各個(gè)芯片。此外，芯片間隔維持裝置I構(gòu)成為，在維持芯片間隔的狀態(tài)下解除擴(kuò)張膜S的擴(kuò)張，通過加熱收縮(熱縮)去除在膜擴(kuò)張的解除后產(chǎn)生的松弛。如此，擴(kuò)張膜S伸展而僅使大幅松弛的部位熱收縮，固定為維持被加工物W的分割后的芯片間隔的狀態(tài)。
[0025]在被加工物W的正面51上設(shè)有格子狀的分割預(yù)定線52，在被分割預(yù)定線52劃分出的各區(qū)域上形成有各種器件(未圖示)。在被加工物W的外緣上設(shè)有表示結(jié)晶方位的凹口 53。另外，被加工物W既可以是在硅、砷化鎵等的半導(dǎo)體基板上形成有IC、LSI等器件的半導(dǎo)體晶片，也可以是在陶瓷、玻璃、藍(lán)寶石類的無機(jī)材料基板上形成有LED等光器件的光器件晶片。被加工物W在隔著擴(kuò)張膜S而支撐于環(huán)狀框架F上的狀態(tài)下被搬入芯片間隔維持裝置I。
[0026]此外，在被加工物W的內(nèi)部沿著分割預(yù)定線52形成有作為分割起點(diǎn)的改質(zhì)層54 (參照圖4)。另外，改質(zhì)層54指的是憑借激光的照射而成為使得被加工物W的內(nèi)部的密度、折射率、機(jī)械強(qiáng)度及其他物理特性與周圍不同的狀態(tài)，且強(qiáng)度低于周圍的區(qū)域。改質(zhì)層54例如為熔融處理區(qū)域、裂紋區(qū)域、絕緣破壞區(qū)域、折射率變化區(qū)域，也可以是上述區(qū)域混合存在的區(qū)域。此外，在以下說明中，作為分割起點(diǎn)舉例示出了改質(zhì)層54，而分割起點(diǎn)只要是降低被加工物W的強(qiáng)度而可成為分割時(shí)的起點(diǎn)即可，例如可以是激光加工槽、切削槽、切割道。