專利名稱：間隔件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于ー種封裝構(gòu)造用間隔件及其制造方法。
背景技術(shù)：
現(xiàn)今，半導(dǎo)體封裝產(chǎn)業(yè)為了滿足各種高密度封裝的需求，逐漸發(fā)展出各種不同型式的封裝設(shè)計(jì)，其中各種不同的系統(tǒng)封裝(system in package, SIP)設(shè)計(jì)概念常用于架構(gòu)
高密度封裝產(chǎn)品。系統(tǒng)封裝中，常需要設(shè)計(jì)ー些間隔件(interposer)用于進(jìn)行系統(tǒng)封裝中各個(gè)芯片之間以及芯片與承載件之間的電性連接，間隔件的設(shè)計(jì)對(duì)于系統(tǒng)封裝的集成度、散熱性與可靠性的影響很大，因此在封裝業(yè)界對(duì)于間隔件的設(shè)計(jì)與制造一直為ー熱門的研究課 題。已知的一種間隔件是采用半導(dǎo)體材料，如硅材料，進(jìn)行制造的。此種硅間隔件的上下表面之間通常制作直通娃穿孔(through silicon via, TSV),以電性連接后續(xù)堆疊的上層芯片至承載件?，F(xiàn)有的制作直通硅穿孔的エ藝是對(duì)在硅載板的一表面進(jìn)行選擇性蝕刻或以激光方式形成穿孔，然后于穿孔中填充導(dǎo)電材料，最后從硅載板的另外ー表面進(jìn)行研磨使得硅穿孔曝露出來從而形成兩個(gè)表面之間的電性通路。然而，所述直通硅穿孔方法制造硅間隔件在實(shí)際使用上仍具有下述問題，例如由于硅材料較脆，不具有延展性，因此硅間隔件很容易在直通硅穿孔制造過程中或者后續(xù)的封裝エ藝中破裂從而導(dǎo)致失效；另外，由于硅是半導(dǎo)體材料，因此在直通硅穿孔制造過程中需要對(duì)通孔先進(jìn)行孔壁絕緣處理后再填入導(dǎo)電材料，從而導(dǎo)致エ藝復(fù)雜、精度要求很高，并且由于直通硅穿孔エ藝的設(shè)備以及制造成本很高，因此不易推廣。故，有必要提供ー種改良的間隔件及其制造方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)所存在的問題。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明提供一種間隔件及其制造方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)所存在的間隔件易破裂、通孔需做絕緣處理以及成本較高的問題。本發(fā)明的主要目的在于提供一種間隔件及其制造方法，其中間隔件具有較強(qiáng)的剛性與韌性，以適應(yīng)對(duì)于間隔件的平整度以及抗應(yīng)カ程度的要求，同時(shí)エ藝簡(jiǎn)單，且材料與制造成本較低。為達(dá)成本發(fā)明的前述目的，本發(fā)明ー實(shí)施例提供一種間隔件的制造方法，其中所述間隔件的制造方法包含步驟提供一第一臨時(shí)性載板，所述第一臨時(shí)性載板上依序形成一黏膠層、ー種子層以及一光刻膠層；形成數(shù)個(gè)通孔貫穿所述光刻膠層，并于所述通孔中曝露出所述種子層；電鍍填滿所述通孔，以形成數(shù)個(gè)導(dǎo)電柱；去除所述光刻膠層，曝露出所述種子層；于所述種子層上形成一封膠體覆蓋所述種子層以及填在所述導(dǎo)電柱之間，其中所述封膠體具有一第一表面曝露出所述導(dǎo)電柱；并于所述封膠體的第一表面形成一第一圖案化線路層及數(shù)個(gè)第一導(dǎo)電凸塊。再者，本發(fā)明另一實(shí)施例提供另ー種間隔件的制造方法，其中所述間隔件的制造方法包含步驟提供一第一臨時(shí)性載板，所述第一臨時(shí)性載板上依序形成一黏膠層、ー種子層以及一光刻膠型封膠體；形成數(shù)個(gè)通孔貫穿所述光刻膠型封膠體，并于所述通孔中曝露出所述種子層；電鍍填滿所述通孔，以形成數(shù)個(gè)導(dǎo)電柱，其中所述光刻膠型封膠體具有一第一表面曝露出所述導(dǎo)電柱；并于所述光刻膠型封膠體的第一表面形成一第一圖案化線路層及數(shù)個(gè)第一導(dǎo)電凸塊。再者，本發(fā)明ー實(shí)施例提供一種間隔件，其中所述間隔件包含一光刻膠型封膠體、一第一圖案化線路層及一第二圖案化線路層。所述光刻膠型封膠體具有一第一表面以及一第二表面，包含數(shù)個(gè)通孔以及數(shù)個(gè)導(dǎo)電柱，所述通孔貫穿所述第一表面與第二表面，所述導(dǎo)電柱對(duì)應(yīng)填充于所述通孔中。所述第一圖案化線路層形成于所述封膠體的第一表面。所述第二圖案化線路層形成于所述封膠體的第二表面，所述第二圖案化線路層通過所述導(dǎo)電柱電性連接至所述第一圖案化線路層，其中所述光刻膠型封膠體包含光刻膠材料、環(huán)氧樹脂以及填充顆粒，且所述填充顆粒的直徑小于兩個(gè)相鄰所述導(dǎo)電柱的間距的三分之一。 與現(xiàn)有技術(shù)相比較，本發(fā)明的間隔件及其制造方法，這樣不但可提高間隔件的剛性與韌性，從而保證制造過程中以及后續(xù)封裝エ藝中的可靠性，同時(shí)由于無需對(duì)通孔進(jìn)行絕緣處理，使得制造エ藝簡(jiǎn)單并降低了制造成本。為讓本發(fā)明的上述內(nèi)容能更明顯易懂，下文特舉優(yōu)選實(shí)施例，并配合所附圖式，作詳細(xì)說明如下


圖I是本發(fā)明一實(shí)施例間隔件的示意圖。圖2是本發(fā)明一實(shí)施例間隔件以及構(gòu)成的封裝構(gòu)造的示意圖。圖3A至3J是本發(fā)明一實(shí)施例間隔件的制造方法示意圖。圖4A至4G是本發(fā)明另ー實(shí)施例間隔件的制造方法示意圖。
具體實(shí)施例方式以下各實(shí)施例的說明是參考附加的圖式，用以例示本發(fā)明可用以實(shí)施的特定實(shí)施例。再者，本發(fā)明所提到的方向用語，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「內(nèi)」、「外」或「?jìng)?cè)面」等，僅是參考附加圖式的方向。因此，使用的方向用語是用以說明及理解本發(fā)明，而非用以限制本發(fā)明。圖I是本發(fā)明一實(shí)施例間隔件的示意圖，圖2為本發(fā)明一實(shí)施例間隔件以及構(gòu)成的封裝構(gòu)造的示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)DI及圖2所示，本發(fā)明ー實(shí)施例的封裝構(gòu)造10主要包含間隔件100、芯片組200以及承載件300。在本實(shí)施例中，間隔件100主要包含封膠體110、導(dǎo)電柱120、第一圖案化線路層130、第二圖案化線路層140、第一導(dǎo)電凸塊150以及第ニ導(dǎo)電凸塊160。其中導(dǎo)電柱120電性連接第一圖案化線路層130與第二圖案化線路層140，第一導(dǎo)電凸塊150電性連接至第一圖案化線路層130，第二導(dǎo)電凸塊160電性連接至第二圖案化線路層140。更詳細(xì)來說，在本實(shí)施例中，封膠體110可以為ー非光刻膠型封膠體，主要包含5至20%的環(huán)氧樹脂、5至10%的硬化劑(hardner) >60至90%的填充顆粒以及I至5%的阻燃劑(flame retardant),但其成分或組成比例并不限于此。封膠體110亦可是一光刻膠型封膠體，主要包含80 %的光刻膠(photoresist)材料及20 %的封膠體材料，其中的封膠體材料則與上述非光刻膠型封膠體的成分或組成比例相同或相似。其中環(huán)氧樹脂可選自雙酹A環(huán)氧樹脂(bisphenol A epoxy)、酹醒環(huán)氧樹脂(novolac epoxy)或聚合性多功能樹脂(polyfunctional resin),硬化劑可選自酹醒樹脂等,填充顆粒材料可選自石英顆?；蜓趸X顆粒，阻燃劑可選自溴化環(huán)氧樹脂和氧化銻，光刻膠材料可選自聚甲基丙烯酸甲酷、聚甲基戊ニ酰亞胺、酚醛樹脂或環(huán)氧SU-8樹脂等，但皆不限于此。封膠體110的選擇可以根據(jù)不同應(yīng)用的需要進(jìn)行調(diào)整，對(duì)應(yīng)的制造方法也可以隨之調(diào)整，具體的制造方法會(huì)在本發(fā)明實(shí)施例中加以說明。在本實(shí)施例中，填充顆粒的直徑小于兩相鄰導(dǎo)電柱120間距的1/3，從而可以減小填充顆粒未完全填滿在導(dǎo)電柱120的間距中而產(chǎn)生空隙的可能性， 進(jìn)ー步提高本實(shí)施例中的封膠體110的填隙效果以及間隔件100的可靠性。一般的，兩相鄰導(dǎo)電柱120的間距為10微米至50微米，填充顆粒的直徑小于3. 3至16. 5微米，例如為10微米。在本實(shí)施例中，第一圖案化線路層130與第二圖案化線路層140皆屬于ー種重分布線路層(re-distribution layer),兩者的表面上分別形成有數(shù)個(gè)焊墊(未圖示)，而第ー導(dǎo)電凸塊150以及第ニ導(dǎo)電凸塊160分別通過焊墊對(duì)應(yīng)焊接于第一圖案化線路層130與第二圖案化線路層140上。在本實(shí)施例中，芯片組200包含第一芯片210以及第ニ芯片220，但芯片組200包含的芯片數(shù)量并不限于兩個(gè)，例如芯片組200亦可包含單芯片或兩個(gè)以上的芯片。芯片組200內(nèi)的芯片之間通過間隔件I 00相互之間電性連接，并電性連接至承載件300。并且，在本實(shí)施例中，芯片組200中的第一芯片210以及第ニ芯片220均包含數(shù)個(gè)焊墊(未圖示)及數(shù)個(gè)凸塊，而凸塊通過與第二導(dǎo)電凸塊160相互焊接結(jié)合成一體，因而使第一芯片210以及第ニ芯片220焊接固定并電性連接至間隔件100。在本實(shí)施例中，承載件300包含承載板310以及導(dǎo)電金屬球320，承載板310為ー小型的有機(jī)或陶瓷的印刷電路板(printed circuit board,PCB)。導(dǎo)電金屬球320為ー錫球，導(dǎo)電金屬球320固定并電性連接至承載板310以作為封裝構(gòu)造10的電性輸出端子。間隔件100另通過第一導(dǎo)電凸塊150固定并電性連接至承載件300的上表面。但本發(fā)明不限于此，例如承載件300亦可是其它類型的承載件，例如金屬導(dǎo)線架。而導(dǎo)電金屬球320亦可由其它材料形成，如金或銅。另外，承載件300上亦可承載有除本實(shí)施例中的芯片組200以及間隔件100以外的封裝體、芯片或無源組件。圖3A至3J是本發(fā)明一實(shí)施例間隔件的制造方法示意圖，本發(fā)明將于下文利用圖3A至3J逐一詳細(xì)說明本實(shí)施例間隔件的制造方法。請(qǐng)參照?qǐng)D3A所不,提供一第一臨時(shí)性載板400,第一臨時(shí)性載板400上依序形成一黏膠層500、一種子層600以及一光刻膠層700，光刻膠層700形成有數(shù)個(gè)通孔710并于通孔710中曝露出種子層600。在本實(shí)施例中，黏膠層500可為ー紫外光固化涂料(UV tape)或ー感熱膠帶,可以在紫外光照射或加熱后降低或失去黏性。其中，通孔710可以通過曝光、顯影后蝕刻光刻膠層700形成。光刻膠層700的材料可以選自聚甲基丙烯酸甲酷、聚甲基戊ニ酰亞胺、酚醛樹脂或環(huán)氧SU-8樹脂。請(qǐng)參照?qǐng)D3B所示，以種子層600為電極電鍍金屬層121填滿通孔710并覆蓋光刻膠層700。于此電鍍エ藝中，將種子層600連接電極負(fù)極將金屬層121電鍍形成于通孔710內(nèi)，并且通過控制電鍍時(shí)間，使得金屬層121覆蓋光刻膠層700，待金屬層121幾乎覆蓋光刻膠層700后即可停止電鍍。由于是通過電鍍エ藝形成的，所以電鍍金屬層121可以看作是一體成型的，并且由于控制電鍍時(shí)間使得金屬層121覆蓋光刻膠層700，可以確保通孔710內(nèi)完全被金屬層121填滿而不產(chǎn)生孔洞或間隙。請(qǐng)參照?qǐng)D3C所示，去除部分金屬層121直至曝露出光刻膠層700以及通孔710，形成導(dǎo)電柱120。本實(shí)施例中，可以通過研磨或蝕刻等方式去除金屬層121。請(qǐng)參照?qǐng)D3D所示，去除光刻膠層700曝露出種子層600。本實(shí)施例中，可以通過蝕刻等方式去除光刻膠層700。
請(qǐng)參照?qǐng)D3E所不，于種子層600上形成一封膠體110覆蓋種子層600以及填在導(dǎo)電柱120之間。本實(shí)施例中，可以將封膠體110的材料粉末與填充顆粒結(jié)合后通過壓膜等方式覆蓋于覆蓋種子層600上。請(qǐng)參照?qǐng)D3F所示，去除部分封膠體110直至封膠體110的第一表面111曝露出導(dǎo)電柱120。本實(shí)施例中，可以通過研磨方式研磨封膠體110以去除部分封膠體110。請(qǐng)參照?qǐng)D3G所示，于封膠體110的第一表面111形成第一圖案化線路層130、第一保護(hù)層170及數(shù)個(gè)第一導(dǎo)電凸塊150，其中第一圖案化線路層130包含數(shù)個(gè)焊墊131，第一導(dǎo)電凸塊150分別焊接于焊墊131上并電性連接至第一圖案化線路層130。本實(shí)施例中，第一圖案化線路層130可以通過重布線技術(shù)形成(re-distribution layer, RDL)來形成,第一保護(hù)層170為一綠漆層(solder mask)。請(qǐng)參照?qǐng)D3H所示，提供第二臨時(shí)性載板800，將第二臨時(shí)性載板800通過中介層900設(shè)置于第一導(dǎo)電凸塊上150。請(qǐng)參照?qǐng)D31所示，去除第一臨時(shí)性載板400、黏膠層500以及種子層600，曝露出封膠體110的第二表面112及導(dǎo)電柱120，并于封膠體110的第二表面112形成第二圖案化線路層140、第二保護(hù)層180及數(shù)個(gè)第二導(dǎo)電凸塊160，其中第二圖案化線路層140包含數(shù)個(gè)焊墊141。本實(shí)施例中，可通過前述的紫外光照或加熱方式使黏膠層500降低或失去黏性后去除黏膠層500，通過研磨或蝕刻等方式去除種子層600。本實(shí)施例中，形成第二圖案化線路層140、第二保護(hù)層180及第ニ導(dǎo)電凸塊160方式與上述形成第一圖案化線路層130、第一保護(hù)層170及第ー導(dǎo)電凸塊150的方式類似，此處不再贅述。請(qǐng)參照?qǐng)D3J所示，去除第二臨時(shí)性載板800以及中介層900以形成間隔件100。如上所述，相較于現(xiàn)有間隔件雖能實(shí)現(xiàn)電性互聯(lián)，卻也常因硅材料的脆性與不可延展性，而導(dǎo)致間隔件破裂等缺點(diǎn)，圖I的本發(fā)明間隔件通過有機(jī)材料形成間隔件，其確實(shí)可以有效提高間隔件之強(qiáng)度與韌性，且無需擔(dān)心導(dǎo)電柱的絕緣問題，進(jìn)而提高封裝結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性。圖4A至4G是本發(fā)明另ー實(shí)施例間隔件的制造方法示意圖，本發(fā)明將于下文利用圖4A至4G逐一詳細(xì)說明本實(shí)施例間隔件的制造方法。 請(qǐng)參照?qǐng)D4A所不,提供一第一臨時(shí)性載板400,第一臨時(shí)性載板400上依序形成一黏膠層500、一種子層600以及一光刻膠型封膠體110，光刻膠型封膠體110形成有數(shù)個(gè)通孔190并于通孔190中曝露出種子層600。在本實(shí)施例中，光刻膠型封膠體110的材料如前述，此處不再贅述。其它未特別說明部分亦與前述實(shí)施例中類似，本實(shí)施例中不再做說明。請(qǐng)參照?qǐng)D4B所示，以種子層600為電極電鍍金屬層12 I填滿通孔并覆蓋光刻膠型封膠體110。于此電鍍エ藝中，將種子層600連接電極負(fù)極將金屬層121電鍍形成于通孔190內(nèi)，并且通過控制電鍍時(shí)間，使得金屬層121覆蓋光刻膠型封膠體110，待金屬層121幾乎覆蓋光刻膠型封膠體110后即可停止電鍍。由于是通過電鍍エ藝形成的，所以電鍍金屬層121可以看作是一體成型的，并且由于控制電鍍時(shí)間使得金屬層121覆蓋光刻膠型封膠體110，可以確保通孔190內(nèi)完全被金屬層121填滿而不產(chǎn)生孔洞或間隙。請(qǐng)參照?qǐng)D4C所示，去除部分金屬層121直至曝露出光刻膠型封膠體110以及通孔190，形成導(dǎo)電柱120。請(qǐng)參照?qǐng)D4D所示，于光刻膠型封膠體110的第一表面111形成第一圖案化線路層 130、第一保護(hù)層170及數(shù)個(gè)第一導(dǎo)電凸塊150，其中第一圖案化線路層130包含數(shù)個(gè)焊墊131，第一導(dǎo)電凸塊150分別焊接于焊墊131上并電性連接至第一圖案化線路層130。請(qǐng)參照?qǐng)D4E所示，提供第二臨時(shí)性載板800，將第二臨時(shí)性載板800通過中介層900設(shè)置于第一導(dǎo)電凸塊上150。請(qǐng)參照?qǐng)D4F所示，去除第一臨時(shí)性載板400、黏膠層500以及種子層600，曝露出光刻膠型封膠體110的第二表面112及導(dǎo)電柱120，并于光刻膠型封膠體110的第二表面112形成第二圖案化線路層140、第二保護(hù)層180及數(shù)個(gè)第二導(dǎo)電凸塊160，其中第二圖案化線路層140包含數(shù)個(gè)焊墊141。請(qǐng)參照?qǐng)D4G所示，去除第二臨時(shí)性載板800以及中介層900以形成間隔件100。本實(shí)施例的間隔件的制造方法相似于前ー實(shí)施例間隔件的制造方法，并大致沿用相同組件名稱及圖號(hào)，但本實(shí)施例的差異特征在干本實(shí)施例的間隔件的制造方法中封膠體Iio為一光刻膠型封膠體。上述特征的優(yōu)點(diǎn)在于可以節(jié)省光刻膠層700，并且無需先覆蓋光刻膠層700待形成導(dǎo)電柱120后再去除光刻膠層700，也無需對(duì)封膠體110進(jìn)行研磨。因此，不但可節(jié)省材料，并可簡(jiǎn)化工藝，因而進(jìn)ー步提高生產(chǎn)效率并降低成本。如上所述，相較于現(xiàn)有間隔件雖能實(shí)現(xiàn)電性互聯(lián)，卻也常因硅材料的脆性與不可延展性，而導(dǎo)致間隔件破裂等缺點(diǎn)，圖4G的本發(fā)明間隔件通過有機(jī)材料形成間隔件，其確實(shí)可以有效提高間隔件之強(qiáng)度與韌性，且無需擔(dān)心導(dǎo)電柱的絕緣問題，進(jìn)而提高封裝結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性。相較于現(xiàn)有間隔件制造方法雖能實(shí)現(xiàn)電性互聯(lián)，卻也常因硅通孔絕緣處理工藝的復(fù)雜以及設(shè)備的昂貴成本，而導(dǎo)致無法大規(guī)模生產(chǎn)等問題，圖3A-3J以及圖4A-4G的本發(fā)明間隔件制造方法通過較簡(jiǎn)單且成本較低的エ藝完成了間隔件的制造，其確實(shí)可以大幅度降低間隔件的材料成本與制造成本。本發(fā)明已由上述相關(guān)實(shí)施例加以描述，然而上述實(shí)施例僅為實(shí)施本發(fā)明的范例。必需指出的是，已公開的實(shí)施例并未限制本發(fā)明的范圍。相反地，包含于權(quán)利要求書的精神及范圍的修改及均等設(shè)置均包括于本發(fā)明的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種間隔件的制造方法，其特征在于所述間隔件的制造方法包含步驟提供一第ー臨時(shí)性載板，所述第一臨時(shí)性載板上依序形成一黏膠層、ー種子層以及一光刻膠層； 形成數(shù)個(gè)通孔貫穿所述光刻膠層，并于所述通孔中曝露出所述種子層； 電鍍填滿所述通孔，以形成數(shù)個(gè)導(dǎo)電柱； 去除所述光刻膠層，曝露出所述種子層； 于所述種子層上形成一封膠體覆蓋所述種子層以及填在所述導(dǎo)電柱之間， 其中所述封膠體具有一第一表面曝露出所述導(dǎo)電柱；以及 于所述封膠體的第一表面形成一第一圖案化線路層及數(shù)個(gè)第一導(dǎo)電凸塊。
2.如權(quán)利要求I所述的間隔件的制造方法，其特征在于在形成所述第一圖案化線路層及第ー導(dǎo)電凸塊的步驟后，另包含 提供一第二臨時(shí)性載板，將所述第二臨時(shí)性載板設(shè)置于所述第一導(dǎo)電凸塊上； 去除所述第一臨時(shí)性載板、所述黏膠層以及所述種子層，曝露出所述封膠體的一第二表面及所述導(dǎo)電柱； 于所述封膠體的第二表面形成一第二圖案化線路層及數(shù)個(gè)第二導(dǎo)電凸塊； 以及 去除所述第二臨時(shí)性載板。
3.如權(quán)利要求I所述的間隔件的制造方法，其特征在于在形成所述封膠體的步驟中，是通過ー壓膜方式于所述種子層上形成所述封膠體。
4.如權(quán)利要求I所述的間隔件的制造方法，其特征在于所述封膠體包含環(huán)氧樹脂、硬化劑、填充顆粒以及阻燃劑。
5.如權(quán)利要求4所述的間隔件的制造方法，其特征在于所述填充顆粒的直徑小于兩個(gè)相鄰所述導(dǎo)電柱的間距的三分之一。
6.一種間隔件的制造方法，其特征在于所述間隔件的制造方法包含 提供一第一臨時(shí)性載板，所述第一臨時(shí)性載板上依序形成一黏膠層、一種子層以及ー光刻膠型封膠體； 形成數(shù)個(gè)通孔貫穿所述光刻膠型封膠體，并于所述通孔中曝露出所述種子層； 電鍍填滿所述通孔，以形成數(shù)個(gè)導(dǎo)電柱，其中所述光刻膠型封膠體具有一第一表面曝露出所述導(dǎo)電柱；以及 于所述光刻膠型封膠體的第一表面形成一第一圖案化線路層及數(shù)個(gè)第一導(dǎo)電凸塊。
7.如權(quán)利要求6所述的間隔件的制造方法，其特征在于在形成所述第一圖案化線路層及第ー導(dǎo)電凸塊的步驟后，另包含 提供一第二臨時(shí)性載板，將所述第二臨時(shí)性載板設(shè)置于所述第一導(dǎo)電凸塊上； 去除所述第一臨時(shí)性載板、所述黏膠層以及所述種子層，曝露出所述導(dǎo)電柱以及所述光刻膠型封膠體的一第二表面； 于所述光刻膠型封膠體的第二表面形成一第二圖案化線路層及數(shù)個(gè)第二導(dǎo)電凸塊；以及 去除所述第二臨時(shí)性載板。
8.如權(quán)利要求6所述的間隔件的制造方法，其特征在于所述封膠體包含光刻膠材料、環(huán)氧樹脂以及填充顆粒。
9.如權(quán)利要求8所述的間隔件的制造方法，其特征在于所述填充顆粒的直徑小于兩個(gè)相鄰所述導(dǎo)電柱的間距的三分之一。
10.一種間隔件，其特征在干所述間隔件包含 一光刻膠型封膠體，具有一第一表面以及ー第二表面，包含數(shù)個(gè)通孔以及數(shù)個(gè)導(dǎo)電柱，所述通孔貫穿所述第一表面與第二表面，所述導(dǎo)電柱對(duì)應(yīng)填充于所述通孔中； 一第一圖案化線路層，形成于所述光刻膠型封膠體的第一表面；以及一第二圖案化線路層，形成于所述光刻膠型封膠體的第二表面，所述第二圖案化線路層通過所述導(dǎo)電柱電性連接至所述第一圖案化線路層； 其中所述光刻膠型封膠體包含光刻膠材料、環(huán)氧樹脂以及填充顆粒，且所述填充顆粒的直徑小于兩個(gè)相鄰所述導(dǎo)電柱的間距的三分之一。
全文摘要
本發(fā)明公開一種間隔件及其制造方法。所述間隔件包含一光刻膠型封膠體，具有一第一表面以及一第二表面，并包含數(shù)個(gè)通孔以及數(shù)個(gè)導(dǎo)電柱。所述通孔貫穿所述第一表面與第二表面，所述導(dǎo)電柱對(duì)應(yīng)填充于所述通孔中。所述間隔件另包含一第一圖案化線路層及一第二圖案化線路層，分別形成于所述封膠體的第一及第二表面。所述第二圖案化線路層通過所述導(dǎo)電柱電性連接至所述第一圖案化線路層，其中所述光刻膠型封膠體包含光刻膠材料、環(huán)氧樹脂以及填充顆粒，且所述填充顆粒的直徑小于兩個(gè)相鄰所述導(dǎo)電柱的間距的三分之一。
文檔編號(hào)H01L21/768GK102738073SQ20121016352
公開日2012年10月17日 申請(qǐng)日期2012年5月24日 優(yōu)先權(quán)日2012年5月24日
發(fā)明者周澤川, 唐和明, 黃東鴻, 黃文宏 申請(qǐng)人:日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司