基板處理設(shè)備及基板處理方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種用于處理基板的設(shè)備及方法，更詳細(xì)而言，本發(fā)明涉及一種利用電漿處理基板的設(shè)備及方法。
【背景技術(shù)】
[0002]經(jīng)受前端(FEOL:Front End Of Line)工序的襯底，其厚度超過所需要厚度以上，因而需要經(jīng)由背面研磨(Back Grinding)工序而變薄。然而，厚度過薄，襯底不容易操作(Handling)。因此，為襯底操作，利用粘合劑將載體附著于襯底。載體在作為后續(xù)工序的芯片粘接(Chip Bonding)、底部填充(Underfill)、成型(Molding)工序后移除。
[0003]載體移除后，襯底在附著于框架環(huán)上所固定的安裝用帶的狀態(tài)下進行操作。安裝用帶不僅使得襯底的操作容易，而且在襯底分離為個別芯片時防止芯片散開。
[0004]在移除載體的襯底上，粘合劑移除不完全而留下一部分。殘余粘合劑不容易移除。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的實施例提供一種基板處理設(shè)備，其能夠容易地移除在移除載體后襯底上的殘余粘合劑。
[0006]另外，本發(fā)明的實施例提供一種能夠防止安裝用帶變性的基板處理設(shè)備。
[0007]另外，本發(fā)明的實施例提供一種能夠在工序處理時防止襯底的扭曲或龜裂的基板處理設(shè)備。
[0008]另外，本發(fā)明的實施例提供一種能夠在工序處理時防止對腔室內(nèi)部單元的損壞(Damage)的基板處理設(shè)備。
[0009]本發(fā)明的目的不限定于此，未提及的其他目的為本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠根據(jù)以下記載而明確理解的。
[0010]本發(fā)明提供一種基板處理設(shè)備。根據(jù)一個實施例，基板處理設(shè)備包括:工序腔室，其內(nèi)部形成有空間；支撐單元，其位于工序腔室內(nèi)部，支撐處理對象物；氣體供應(yīng)部，其向工序腔室內(nèi)部供應(yīng)工序氣體；且支撐單元包括:基座；陶瓷環(huán)，其環(huán)繞基座來提供；陶瓷環(huán)在其邊緣區(qū)域處形成有引導(dǎo)設(shè)備，以用于誘導(dǎo)處理對象物與基座之間空氣的排出。
[0011]引導(dǎo)設(shè)備以從陶瓷環(huán)的頂部延長至底部的形態(tài)或從陶瓷環(huán)的頂部延長至與底部隔開恒定距離的位置的形態(tài)來提供。
[0012]處理對象物包括:框架環(huán)；安裝用帶，其固定于框架環(huán)的內(nèi)側(cè)面；以及完成背面研磨的襯底，其附著于安裝用帶的頂部；且引導(dǎo)設(shè)備從陶瓷環(huán)的外側(cè)面向內(nèi)側(cè)面形成至與框架環(huán)的底部相向的區(qū)域。
[0013]在處理對象物與陶瓷環(huán)之間提供間隙。
[0014]還包括阻塞構(gòu)件，其覆蓋安裝用帶，以使得安裝用帶不暴露于電漿。
[0015]另外，本發(fā)明提供一種基板處理方法。根據(jù)一個實施例，基板處理方法包括:將完成背面研磨的襯底附著于在框架環(huán)上所固定的安裝用帶以構(gòu)成處理對象物的步驟；使處理對象物位于基座的步驟；以及，利用激發(fā)成電漿的工序氣體來移除襯底表面的粘合劑殘余物的步驟。
[0016]該方法的特征在于，在使處理對象物位于基座的步驟中，該處理對象物經(jīng)配置使框架環(huán)的底部與引導(dǎo)設(shè)備相向。
[0017]該方法的特征在于，在移除粘合劑殘余物的步驟中，將該安裝用帶及該框架環(huán)由阻塞環(huán)覆蓋。
[0018]根據(jù)本發(fā)明的實施例，完全移除在移除載體后襯底上的殘余粘合劑。
[0019]另外，根據(jù)本發(fā)明的實施例，切斷安裝用帶暴露于電漿，因而防止安裝用帶的變性。
[0020]另外，根據(jù)本發(fā)明的實施例，為誘導(dǎo)安裝用帶與基座之間空氣的排出，在陶瓷環(huán)上提供引導(dǎo)設(shè)備等，從而能夠容易地進行空氣的排出，在工序進行時防止襯底的扭曲或龜裂等。
【附圖說明】
[0021]圖1為示出本發(fā)明實施例的基板處理設(shè)備中提供的處理對象物的立體圖。
[0022]圖2至圖8為依次示出制作圖1所示的處理對象物的過程圖。
[0023]圖9為簡要不出本發(fā)明實施例的基板處理設(shè)備的剖面圖。
[0024]圖10為示出本發(fā)明一個實施例的陶瓷環(huán)的立體圖。
[0025]圖11為示出本發(fā)明一個實施例的基座與阻塞構(gòu)件的俯視圖。
[0026]圖12為展示沿圖11的A-A’線截取的支撐單元320與阻塞構(gòu)件350的剖面圖。
[0027]圖13為示出本發(fā)明另一實施例的陶瓷環(huán)的立體圖。
[0028]圖14及圖15為示出本發(fā)明實施例的利用在處理空間內(nèi)部實施電漿的發(fā)生及處理對象物的處理的基板處理設(shè)備圖。
[0029]其中，附圖標(biāo)記說明如下:
[0030]30:基板處理設(shè)備
[0031]50:處理對象物
[0032]51:襯底
[0033]51a:襯底
[0034]51b:襯底
[0035]51c:襯底
[0036]52:硅貫通電極
[0037]52c:襯底
[0038]53:凸塊
[0039]54:載體
[0040]55:粘合劑
[0041]55a:粘合劑/粘合層
[0042]61:芯片粘接
[0043]62:底部填充
[0044]63:成型
[0045]71:框架環(huán)
[0046]72:安裝用帶
[0047]310:工序腔室
[0048]311:主體
[0049]312:密閉蓋
[0050]313:排氣孔
[0051]314:擴散空間
[0052]317:排氣管線
[0053]320:支撐單元
[0054]322:基座
[0055]324:陶瓷環(huán)
[0056]324a:容納槽
[0057]324b:引導(dǎo)設(shè)備
[0058]324c:墊片
[0059]330:擋板
[0060]331:分配孔
[0061]340:氣體供應(yīng)部
[0062]342:氣體埠
[0063]344:氣體供應(yīng)管線
[0064]346:氣體儲集部
[0065]350:阻塞構(gòu)件
[0066]351:阻塞環(huán)
[0067]352:主體
[0068]353:內(nèi)側(cè)部
[0069]354:外側(cè)部
[0070]355:升降構(gòu)件
[0071]361:移動桿
[0072]362:第一桿
[0073]363:第二桿
[0074]364:第三桿
[0075]365:托片
[0076]368:驅(qū)動部
[0077]370:電漿源
[0078]372:天線
[0079]374:電源
[0080]410:排氣板
[0081]411:排氣孔
[0082]G:間隙
【具體實施方式】
[0083]以下參照附圖，更詳細(xì)地說明本發(fā)明的實施例。本發(fā)明的實施例可變形為多種方式，不得解釋為本發(fā)明的范圍限定于以下實施例。本發(fā)明實施例用于向本領(lǐng)域技術(shù)人員更完全地說明本發(fā)明。因此，為更明確地強調(diào)說明，對附圖中組件的形狀進行夸大。
[0084]圖1為示出本發(fā)明實施例的基板處理設(shè)備中提供的處理對象物的立體圖，圖2至圖8為依次示出制作圖1所示的處理對象物的過程圖。
[0085]如圖1至圖8所不，提供如圖2所不完成如端(FEOL)工序的襯底51。在襯底51上，如圖3所示依次形成有硅貫通電極(TSV !Through Silicon Via) 52及粘合于載體54的凸塊53。載體54作為硅或玻璃材質(zhì)的板，當(dāng)襯底51經(jīng)過背面研磨工序時，因厚度非常薄而難以操作，因而，要提供來用于襯底51的操作。載體54通過粘合劑55而粘合于襯底51頂部。
[0086]為減小封裝(Package)的組裝尺寸，將附著有載體54的襯底51提供至背面研磨(Back Grinding)工序。經(jīng)受前端(FEOL)工序的襯底51由于厚度不必要地過厚，因而如圖4所示，在背面研磨工序中將襯底51背面研磨得極薄。
[0087]背面研磨工序后，襯底51a如圖5所示進行倒裝(flip)、芯片粘接(chipbonding)61。而且，如圖6所示，依次進行底部填充(under fill)62與成型(molding)63工序。
[0088]如圖7所示，完成成型63工序的襯底51b附著于在框架環(huán)71所固定的安裝用帶72上?？蚣墉h(huán)71為具有大于襯底51b的半徑的環(huán)形狀，其以不銹鋼(Stainless)或SUS材質(zhì)來提供。安裝用帶72作為厚度較薄的薄膜，薄膜本身難以支撐襯底51b，因而將其