基板處理裝置及基板處理方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及一種基板處理裝置及方法，具體而言，本發(fā)明涉及一種具有排氣單元的基板處理裝置及方法。
【背景技術】
[0002]為制造半導體組件，伴隨有諸如沉積、曝光、灰化及洗滌的多種工序。其中，諸如沉積、蝕刻及灰化等的工序在真空狀態(tài)下執(zhí)行處理。在這種半導體工序中，在基板上形成諸如線(line)或間隔(space)圖案等各種微細電路圖案,或在離子注入(1n implantat1n)工序中，將用作屏蔽(mask)的光刻膠主要借助灰化(ashing)工序從基板除去?；一ば蛟谂c外部隔離的工序腔室內(nèi)進行，灰化工序時產(chǎn)生的反應氣體及未反應氣體以及反應副產(chǎn)物等由連接于工序腔室的排氣管線排出至外部。排氣管線除了排出反應副產(chǎn)物等的功能之夕卜，還發(fā)揮調(diào)節(jié)工序腔室內(nèi)的工序壓力的功能。
[0003]執(zhí)行該灰化工序的一般基板處理裝置具有工序腔室及排氣單元。排氣單元包括高速配管及低速配管。打開低速配管，關閉高速配管直至工序腔室內(nèi)部達到設定壓力時為止，達到設定壓力后，關閉低速配管，打開高速配管，減壓至工序壓力。此時，若迅速排出工序腔室內(nèi)的氣體直至達到設定壓力時為止，則存在芯片位置變形等問題。若緩慢排出氣體，則存在達到設定壓力需要較長時間的問題。一般排氣單元具有I個低速配管，因而存在無法根據(jù)芯片的種類提供最佳排氣速度直至設定壓力的問題。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0004]本發(fā)明的一個技術問題為提供一種針對基板高效進行工序處理的基板處理裝置及方法。
[0005]本發(fā)明的另一個技術問題為提供一種縮短排氣時間并防止芯片位置變形的基板處理裝置及方法。
[0006]本發(fā)明的又一個技術問題為根據(jù)基板特性而提供最佳排氣狀態(tài)直至達到設定壓力。
[0007]本發(fā)明提供一種基板處理裝置。該基板處理裝置包括:工序腔室；以及排氣單元，其具有連接于工序腔室的排氣管線及設置于排氣管線并調(diào)節(jié)工序腔室內(nèi)的壓力的泵。該排氣管線包括:高速配管，其設置有針對流體通路內(nèi)部進行開閉的高速閥；以及與高速配管連接的多個低速配管，其具有小于高速配管的直徑，設置有針對其內(nèi)部進行開閉的低速閥。
[0008]根據(jù)一個示例，低速配管中的一部分或全部的直徑彼此不同。
[0009]根據(jù)另一示例，低速配管可具有直徑彼此相同的板，以調(diào)節(jié)低速配管各自的流體通路的大小。低速配管可在高速配管的第一位點分支，在較第一位點更下游的高速配管的第二位點再次連接，該第二位點位于較泵更上游處。
[0010]還可提供控制部，其控制高速閥及多個低速閥；該控制部在工序腔室內(nèi)的壓力達到設定壓力之前關閉高速閥，打開低速閥中選擇的低速閥，達到設定壓力后，打開高速閥。此時，當高速配管打開時，低速配管可關閉。選擇的低速閥可根據(jù)芯片的種類預先設置。
[0011]根據(jù)一個示例，多個低速配管中僅一個低速配管可被打開。
[0012]另外，根據(jù)另一示例，多個低速配管中一或多個低速配管可被打開。
[0013]根據(jù)一個示例，基板的厚度越厚，可選擇具有越大流體通路的低速配管。根據(jù)另一示例，基板的硬度越大，可選擇具有越大流體通路的低速配管。
[0014]另外，本發(fā)明提供一種基板處理方法。根據(jù)該基板處理方法，將工序腔室內(nèi)部減壓至工序壓力以對基板進行處理，該減壓在使工序腔室內(nèi)部達到設定壓力之前關閉高速閥，打開低速閥中選擇的低速閥。達到設定壓力后，打開高速閥。高速配管直徑可分別提供成大于多個低速配管。選擇的低速閥可根據(jù)基板的種類決定。
[0015]在第一減壓步驟中，可僅打開多個低速配管中的一個低速配管。在第一減壓步驟中，可打開多個低速配管中的一或多個低速配管。根據(jù)一個示例，基板的厚度越厚，可打開具有越大流體通路的低速配管。根據(jù)另一示例，基板的硬度越大，可打開具有越大流體通路的低速配管。
[0016]根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，可高效地對基板進行工序處理。
[0017]根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，可縮短排氣時間以防止芯片位置變形。
[0018]根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，可根據(jù)基板的種類來提供最佳排氣狀態(tài)直至達到設定壓力。
【附圖說明】
[0019]圖1為簡要示出本發(fā)明實施例的基板處理裝置的圖。
[0020]圖2為示出圖1所示處理單元的一個示例的剖面圖。
[0021]圖3為簡要示出圖1所示排氣單元的立體圖。
[0022]圖4為示出圖1的排氣單元的一個示例的俯視圖。
[0023]圖5至圖7為示出圖4的排氣單元中排氣方法的圖。
[0024]圖8為示出圖1的排氣單元的另一示例的俯視圖。
[0025]圖9至圖11為示出圖8的排氣單元中排氣方法的圖。
[0026]圖12為示出圖1的排氣單元的又一示例的俯視圖。
[0027]圖13與圖14為示出圖12的排氣單元中排氣方法的圖。
[0028]圖15為示出排氣方法的流程圖。
[0029]其中，附圖標記說明如下:
[0030]1:基板處理裝置
[0031]10:處理單元
[0032]50:排氣單元
[0033]51:尚速閩
[0034]52:低速閥
[0035]53:低速閥
[0036]54:低速閥
[0037]100:工序處理腔室
[0038]110:工序腔室
[0039]111:下壁
[0040]112:側(cè)壁
[0041]114:空間
[0042]116:出入口
[0043]118..門
[0044]119:排氣孔
[0045]120:密閉蓋
[0046]122:引導空間
[0047]124:流入口
[0048]200:基座
[0049]210:卡盤
[0050]220:支撐軸
[0051]300:電漿產(chǎn)生構(gòu)件
[0052]301:電漿源部
[0053]302:氣體供應管
[0054]303:磁控管
[0055]304:波導管
[0056]400:擋板
[0057]402:噴射孔/孔
[0058]510:高速配管
[0059]520:低速配管
[0060]610:高速配管
[0061]611:高速閥
[0062]620:低速配管
[0063]621:第一低速配管
[0064]622:第二低速配管
[0065]623:第三低速配管
[0066]630:低速閥
[0067]640:板
[0068]641:板
[0069]642:板
[0070]643:板
[0071]710:高速配管
[0072]711:高速閥
[0073]720:低速配管
[0074]721:第一低速配管
[0075]722:第二低速配管
[0076]723:第三低速配管
[0077]730:低速閥
[0078]810:高速配管
[0079]811:高速閥
[0080]820:低速配管
[0081]821:第一低速配管
[0082]822:第二低速配管
[0083]823:第三低速配管
[0084]830:低速閥
[0085]Pl:第一位點
[0086]P2:第二位點
[0087]W:芯片
[0088]Al:第一流體通路
[0089]A2:第二流體通路
[0090]A3:第三流體通路
【具體實施方式】
[0091]參照下面與附圖一同詳細說明的實施例，本發(fā)明的優(yōu)點及特征以及實現(xiàn)其的方法將會明確。但是，本發(fā)明并非限定于以下揭示的實施例，可以以彼此不同的多種方式來體現(xiàn)，本發(fā)明實施例僅用于使本發(fā)明的揭示內(nèi)容更全面，以使本領域的技術人員更完全地了解本發(fā)明的范圍，本發(fā)明僅由權利要求書的范圍定義。說明書全文中，相同附圖標記表示相同構(gòu)成要素。
[0092]在本發(fā)明實施例中，流體通路的大小意味著在板(圖4的640)所在區(qū)域流體能夠流動的面積。另外，在不提供板(圖4的640)的情況下，流體通路的大小意味著低速配管的截面積。
[0093]在本發(fā)明實施例中，在基板為芯片的情況下進行說明。但是，與此不同，基板可為諸如玻璃基板等其他種類的基板。在本發(fā)明實施例中，以灰化工序為例進行說明。但是，與此不同，工序可為蝕刻、沉積、蝕刻與干式清潔等工序。
[0094]圖1為簡要示出本發(fā)明實施例的基板處理裝置的圖。
[0095]如圖1所示,基板處理裝置I包括處理單元10及排氣單元50。處理單元10提供對芯片進行處理的空間(圖2的114)，排氣單元50在進行工序時將處理單元10的空間內(nèi)的反應氣體、未反應氣體