壁部分200a與側(cè)邊101之間的距離且相同或不同于側(cè)壁部分200b與側(cè)邊101之間的距離。
[0055]再者，側(cè)壁部分200h與側(cè)邊102之間的距離大于鄰接的側(cè)壁部分200g與側(cè)邊102之間的距離且小于側(cè)壁部分200f與側(cè)邊102之間的距離。在另一實(shí)施例中，側(cè)壁部分200h與側(cè)邊102之間的距離可大于側(cè)壁部分200g與側(cè)邊102之間的距離且大于或等于側(cè)壁部分200f與側(cè)邊102之間的距離。又另一實(shí)施例中，側(cè)壁部分200h與側(cè)邊102之間的距離可小于側(cè)壁部分200g與側(cè)邊102之間的距離且相同或不同于側(cè)壁部分200f與側(cè)邊102之間的距離。
[0056]在一實(shí)施例中，導(dǎo)線(例如，導(dǎo)線300)可直接延伸至凹口 200的側(cè)壁部分200a，且導(dǎo)線(例如，導(dǎo)線320)可延伸至凹P 200的側(cè)壁部分200do
[0057]根據(jù)上述實(shí)施例，由于凹口 200還橫跨半導(dǎo)體基底100的側(cè)邊102，使得鄰近于側(cè)邊102的導(dǎo)線可直接延伸至凹口 200的側(cè)壁部分200d、200e、200f、200g或200h，而無(wú)需延伸至距離較遠(yuǎn)的側(cè)邊101，因此可有效縮短導(dǎo)線的導(dǎo)電路徑，增加信號(hào)傳遞速度，且可節(jié)省導(dǎo)線所占用的半導(dǎo)體基底100的表面面積。
[0058]圖13中的晶片封裝體的結(jié)構(gòu)類似于圖11中的晶片封裝體的結(jié)構(gòu)，差異在于晶片封裝體還包括另一凹口 220，位于半導(dǎo)體基底100內(nèi)且自第一表面10a朝第二表面10b延伸。凹口 220與相對(duì)于且平行側(cè)邊101的一側(cè)邊103鄰接，且橫跨側(cè)邊103的全部長(zhǎng)度。
[0059]凹口 220具有一側(cè)壁部分220a及與其鄰接的一側(cè)壁部分220b，且從俯視方向來(lái)看，側(cè)壁部分220a與側(cè)邊103之間的距離大于側(cè)壁部分220b與側(cè)邊103之間的距離。側(cè)壁部分220a及220b與側(cè)邊103之間的距離大于側(cè)壁部分200a及200b與側(cè)邊101之間的距離。在另一實(shí)施例中，側(cè)壁部分220a與側(cè)邊103之間的距離可等于或小于側(cè)壁部分200a與側(cè)邊101之間的距離且相同或不同于側(cè)壁部分200b與側(cè)邊101之間的距離。在另一實(shí)施例中，側(cè)壁部分220b與側(cè)邊103之間的距離可等于或小于側(cè)壁部分200a與側(cè)邊101之間的距離且相同或不同于側(cè)壁部分200b與側(cè)邊101之間的距離。
[0060]在本實(shí)施例中，凹口 220又具有另一側(cè)壁部分220c，鄰接于側(cè)壁部分220b，且從俯視方向來(lái)看，側(cè)壁部分220c與側(cè)邊103之間的距離大于側(cè)壁部分220b與側(cè)邊103之間的距離且小于側(cè)壁部分220a與側(cè)邊103之間的距離。在另一實(shí)施例中，側(cè)壁部分220c與側(cè)邊103之間的距離可大于側(cè)壁部分220b與側(cè)邊103之間的距離且大于或等于側(cè)壁部分220a與側(cè)邊103之間的距離。又另一實(shí)施例中，側(cè)壁部分220c與側(cè)邊103之間的距離可小于側(cè)壁部分220b與側(cè)邊103之間的距離且相同或不同于側(cè)壁部分220a與側(cè)邊103之間的距離。
[0061]雖然未繪示于圖式中，只要凹口橫跨半導(dǎo)體基底的一側(cè)邊且具有多個(gè)側(cè)壁部分與對(duì)應(yīng)的側(cè)邊之間的距離不同，側(cè)壁部分的數(shù)量、側(cè)壁部分與對(duì)應(yīng)的側(cè)邊之間的距離大小、導(dǎo)線的延伸方向及導(dǎo)電墊的位置皆可具有其他的配置方式。另外，由于凹口橫跨半導(dǎo)體基底的側(cè)邊的全部長(zhǎng)度或?qū)挾?，因此可增加晶片封裝體的輸出信號(hào)的布局彈性。
[0062]上述圖2至7中的晶片封裝體的各種實(shí)施例可應(yīng)用于圖10至14的各種實(shí)施例的晶片封裝體。舉例來(lái)說(shuō)，圖14中的晶片封裝體的結(jié)構(gòu)類似于圖13中的晶片封裝體的結(jié)構(gòu)，差異在于晶片封裝體的半導(dǎo)體基底100具有多個(gè)間隔部400及400’，突出于凹口 200及220的底部。間隔部之間可具有相同或不同的間距，且可從凹口 200及220的任一側(cè)壁部分沿著導(dǎo)線300的延伸方向而延伸至側(cè)邊101或103。
[0063]在一實(shí)施例中，導(dǎo)線300可延伸至兩間隔部400’之間，且兩間隔部400’之間的間距不大于導(dǎo)線300的寬度，使得導(dǎo)線300與兩間隔部400’相連。再者，導(dǎo)線320可延伸至間隔部400與間隔部400’之間，且間隔部400與間隔部400’之間的間距大于導(dǎo)線320的寬度，而導(dǎo)線320具有與間隔部400’鄰接的一側(cè)邊。
[0064]以下配合圖1A至IF及圖2至4說(shuō)明本發(fā)明各種實(shí)施例的晶片封裝體的制造方法，其中圖1A至IF是繪示出根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的晶片封裝體的制造方法的剖面示意圖，且圖2至4繪示出根據(jù)本發(fā)明各種實(shí)施例的晶片封裝體于切割制程前的平面示意圖。為了清楚顯示相對(duì)位置關(guān)系，圖2至4中并未繪示出介電層130及鈍化護(hù)層160。
[0065]請(qǐng)參照?qǐng)D1A，提供一基底?；装ㄒ话雽?dǎo)體基底100、一介電層130及多個(gè)導(dǎo)電墊150，且還包括多個(gè)晶片區(qū)110及分離晶片區(qū)110的一切割道區(qū)120。每一晶片區(qū)110內(nèi)包括一裝置區(qū)115，裝置區(qū)115內(nèi)可包括電子元件或感測(cè)元件(未繪示)。在一實(shí)施例中，裝置區(qū)115內(nèi)可包括影像感測(cè)元件。在另一實(shí)施例中，裝置區(qū)115可用以感測(cè)生物特征。舉例來(lái)說(shuō)，裝置區(qū)115內(nèi)可包括指紋辨識(shí)感測(cè)元件。在其他實(shí)施例中，裝置區(qū)115可用以感測(cè)環(huán)境特征，例如裝置區(qū)115內(nèi)可包括一溫度感測(cè)元件、一濕度感測(cè)元件、一壓力感測(cè)元件或其他適合的感測(cè)元件。
[0066]切割道區(qū)120于后續(xù)制程中用以分離出多個(gè)晶片封裝體。在本實(shí)施例中，切割道區(qū)120內(nèi)具有一測(cè)試區(qū)，測(cè)試區(qū)的基底(例如，半導(dǎo)體基底100及/或介電層130)內(nèi)具有測(cè)試用的電路(未繪示)。在一實(shí)施例中，基底為一晶圓，以利于進(jìn)行晶圓級(jí)封裝。在本實(shí)施例中，可依序進(jìn)行半導(dǎo)體裝置的前段(frontend)制程(例如，在半導(dǎo)體基底100內(nèi)制作電晶體)及后段(back end)制程(例如，在半導(dǎo)體基底100上制作介電層130及導(dǎo)電墊150)來(lái)制作上述基底。換句話說(shuō)，本發(fā)明各種實(shí)施例的晶片封裝體的制造方法用于對(duì)完成后段制程的基底進(jìn)行后續(xù)的封裝制程。
[0067]半導(dǎo)體基底100具有一第一表面10a及與其相對(duì)的一第二表面100b，且半導(dǎo)體基底100可包括硅。在本實(shí)施例中，介電層130設(shè)置于半導(dǎo)體基底100的第一表面10a上。一般而言，介電層130可由層間介電層(ILD)、金屬間介電層(MD)及覆蓋的鈍化護(hù)層組成。為簡(jiǎn)化圖式，此處僅繪示出單層介電層130。在本實(shí)施例中，介電層130可包括氧化物、氮化物或其他適合的介電材料。
[0068]導(dǎo)電墊150設(shè)置于晶片區(qū)110的介電層130內(nèi)，其可鄰近于介電層130的上表面，且介電層130具有露出導(dǎo)電墊150的開(kāi)口。導(dǎo)電墊150可為單層導(dǎo)電層或具有多層的導(dǎo)電層結(jié)構(gòu)，且通過(guò)介電層130內(nèi)的內(nèi)連線結(jié)構(gòu)(未繪示)而與裝置區(qū)115內(nèi)的電子元件或感測(cè)元件電性連接。
[0069]請(qǐng)參照?qǐng)D1B，可通過(guò)微影制程及蝕刻制程，去除晶片區(qū)110內(nèi)鄰近于切割道區(qū)120的介電層130的一部分，以于介電層130內(nèi)形成開(kāi)口 140，其露出位于晶片區(qū)110邊緣的半導(dǎo)體基底100。
[0070]請(qǐng)參照?qǐng)D1C，可通過(guò)微影制程及蝕刻制程，去除開(kāi)口 140內(nèi)的半導(dǎo)體基底100的一部分，以于每一晶片區(qū)I1的半導(dǎo)體基底100內(nèi)(也可視為多個(gè)裝置區(qū)115之間的半導(dǎo)體基底100內(nèi))形成一個(gè)或一個(gè)以上的凹口 200，凹口 200自第一表面10a朝第二表面10b延伸。在一實(shí)施例中，凹口 200僅位于晶片區(qū)110內(nèi)，而未延伸至切割道區(qū)120。在本實(shí)施例中，凹口 200的側(cè)壁可垂直或傾斜于半導(dǎo)體基底100的第一表面100a，且凹口 200的底部可平行或非平行于半導(dǎo)體基底100的第一表面100a。在一實(shí)施例中，凹口 200的側(cè)壁及底部210可能凹凸不平而呈現(xiàn)鋸齒狀輪廓。在其他實(shí)施例中，可通過(guò)進(jìn)行多次蝕刻制程，在半導(dǎo)體基底100內(nèi)形成由多個(gè)連續(xù)凹口所構(gòu)成的多階凹口(未繪示)。
[0071]在本實(shí)施例中，在進(jìn)行凹口 200的蝕刻制程之后，由于切割道區(qū)120內(nèi)具有測(cè)試區(qū)且測(cè)試區(qū)的半導(dǎo)體基底100及/或介電層130內(nèi)具有測(cè)試用的電路，因此切割道區(qū)120內(nèi)的基底(例如，介電層130及半導(dǎo)體基底100)未被去除而保留于相鄰晶片區(qū)110之間，亦即一部分的介電層130及半導(dǎo)體基底100位于相鄰晶片區(qū)110內(nèi)的兩凹口 200底部之間而形成一間隔部180。換句話說(shuō)，凹口 200與間隔部180直接接觸。如此一來(lái)，相鄰晶片區(qū)110內(nèi)的兩凹口 200通過(guò)間隔部180彼此隔離而不連通。再者，由介電層130及半導(dǎo)體基底100所構(gòu)成的間隔部180內(nèi)包括測(cè)試區(qū)的電路，間隔部180的高度等于或小于凹口 200及開(kāi)口140 (標(biāo)示于圖1B)的總深度，且間隔部180突出于凹口 200的底部。
[0072]請(qǐng)參照?qǐng)D1D，可通過(guò)沉積制程(例如，涂布制程、物理氣相沉積制程、化學(xué)氣相沉積制程或其他適合的制程)，在介電層130上形成一鈍化護(hù)層160。鈍化護(hù)層160延伸至介電層130的開(kāi)口內(nèi)而覆蓋導(dǎo)電墊150，且進(jìn)一步延伸至凹口 200的側(cè)壁及底部210及間隔部180。
[0073]在本實(shí)施例中，鈍化護(hù)層160可包括環(huán)氧樹(shù)脂、無(wú)機(jī)材料(例如，氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、金屬氧化物或前述的組合)、有機(jī)高分子材料(例如，聚酰亞胺樹(shù)脂、苯環(huán)丁烯、聚對(duì)二甲苯、萘聚合物、氟碳化物、丙烯酸酯)或其他適合的介電材料。接著，可通過(guò)微影制程及蝕刻制程，去除位于導(dǎo)電墊150上方的鈍化護(hù)層160的一部分，以露出部分的導(dǎo)電墊150。
[0074]接著，可通過(guò)沉積制程(例如，涂布制程、物理氣相沉積制程、化學(xué)氣相沉積制程、電鍍制程、無(wú)電鍍制程或其他適合的制程)，在鈍化護(hù)層160上形成導(dǎo)電材料層290。
[0075]請(qǐng)參照?qǐng)D1Ε，可通過(guò)微影制程及蝕刻制程，圖案化導(dǎo)電材料層290，進(jìn)而形成多個(gè)導(dǎo)線300。導(dǎo)線300延伸至露出的導(dǎo)電墊150而與其電性連接，并進(jìn)一步延伸至凹口 200的側(cè)壁及底部210上。在另一實(shí)施例中，導(dǎo)線300可僅延伸至凹口 200的側(cè)壁上。在本實(shí)施例中，導(dǎo)線300可包括銅、鋁、金、鉑、鎳、錫、前述的組合或其他適合的導(dǎo)電材料。
[0076]在圖2的實(shí)施例中，切割道區(qū)120的相對(duì)兩側(cè)分別具有一個(gè)凹口 200，亦即，每一晶片區(qū)110內(nèi)具有兩個(gè)凹口 200，其位于每一晶片區(qū)110的半導(dǎo)體基底100的相對(duì)兩側(cè)，且對(duì)于裝置區(qū)115而言對(duì)稱地排列。再者，對(duì)于裝置區(qū)115而言，凹口 200內(nèi)的導(dǎo)線300與位于另一相對(duì)側(cè)的凹口 200內(nèi)對(duì)應(yīng)的導(dǎo)線300具有對(duì)稱的配置方式。換句話說(shuō)，對(duì)于間隔部180而言，凹口 200內(nèi)的導(dǎo)線300與位于另一相對(duì)側(cè)的凹口 200內(nèi)對(duì)應(yīng)的導(dǎo)線300具有對(duì)稱的配置方式。在本實(shí)施例中，不論位于切割道區(qū)120/晶片區(qū)110相對(duì)兩側(cè)的凹口 200的形狀、尺寸或排列位置是否相同，延伸至凹口 200內(nèi)的多個(gè)導(dǎo)線300可分別與位于另一相對(duì)側(cè)的凹口 200內(nèi)的多個(gè)導(dǎo)線300具有對(duì)稱的配置方式(亦即，具有相同的形狀、尺寸及排列位置)。
[0077]類似地，在圖3的實(shí)施例中，切割道區(qū)120的相對(duì)兩側(cè)分別具有一個(gè)凹口 200，亦即，每一晶片區(qū)110內(nèi)具有兩個(gè)凹口 200，其位于每一晶片區(qū)110的半導(dǎo)體基底100的相對(duì)兩側(cè)。然而，不同于圖2的實(shí)施例，圖3中的兩個(gè)凹口 200對(duì)于裝置區(qū)115而言具有非對(duì)稱的配置方式。換句話說(shuō)，圖3中的兩個(gè)凹口 200對(duì)于間隔部180而言具有非對(duì)稱的配置方式。另外，多個(gè)導(dǎo)線300中的其中一個(gè)可選擇性與位于另一相對(duì)側(cè)的其中一導(dǎo)線300排列于對(duì)稱的位置。在本實(shí)施例中，不論位于切割道區(qū)120/晶片區(qū)110相對(duì)兩側(cè)的凹口 200的形狀、尺寸或排列位置是否相同，延伸至凹口 200內(nèi)的多個(gè)導(dǎo)線300可與位于另一相對(duì)側(cè)的凹口 200內(nèi)的多個(gè)導(dǎo)線300具有不完全對(duì)稱的配置方式。例如，位于相對(duì)兩側(cè)的導(dǎo)線300對(duì)于裝置區(qū)115/間隔部180而言錯(cuò)位且非對(duì)稱地排列(亦即，具有不同的排列位置)，然而位于相對(duì)兩側(cè)的導(dǎo)線300仍可選擇性具有相同或不同的形狀及/或尺寸?；蛘?，位于相對(duì)兩側(cè)的導(dǎo)線300對(duì)于裝置區(qū)115/間隔部180而言對(duì)稱地排列(亦即，具有相同