第一外延片鍵合到第一基板上。
[0079]其中，參見圖7,第一外延層10位于GaAs襯底11和第一基板30之間。
[0080] 可W通過金屬鍵合工藝，將制備的第一外延片鍵合到第一基板上，第一基板的材 質(zhì)可W是Si、藍(lán)寶石、柔性導(dǎo)電漆絕樹脂（英文；Polyeth}dene Tere地thalate，簡稱；PET 或陽口）、或銅。
[0081] 由于外延層非常薄，將第一外延片鍵合到第一基板上，第一基板可W對(duì)第一外延 片起固定和支撐作用。同時(shí)，由于第一基板材料本身的導(dǎo)熱系數(shù)，比如Si、藍(lán)寶石等材料 的基板的導(dǎo)熱系數(shù)高于GaAs襯底的導(dǎo)熱系數(shù)，有利于解決大功率AlGalnPLED散熱問題。 另外，Si、藍(lán)寶石等材料作為第一基板相比于GaAs基板，對(duì)量子阱發(fā)出的光無吸收。將 AlGalnPL邸外延層鍵合到第一基板，可W有效的提高AlGalnPLED的外量子效率。
[008引步驟303、采用HF酸和去離子&0的混合液，對(duì)鍵合后的第一外延片進(jìn)行腐蝕，直 到在N型AlAs犧牲層被腐蝕后第一外延片分成第一部分和第二部分。
[0083] 其中，參見圖8,當(dāng)?shù)谝煌庋訉?0包括依次位于GaAs襯底11上的N型GaAs緩沖 層12、第一N型GaxIrvxP層13、N型GaAs層14、N型AlAs犧牲層16、N型GalnP腐蝕停層 17、N型GaAs歐姆接觸層18、N型AllnP層19、量子阱層20、和P型層21時(shí)，第一部分N1包 括GaAs襯底11、W及依次覆蓋在GaAs襯底11上的N型GaAs緩沖層12、第一N型GaxIrvxP 層13、和N型GaAs層14。當(dāng)?shù)谝煌庋訉?0還包括第二N型GaxIrvxP層（圖8未示出）時(shí)， 第一部分N1包括GaAs襯底11、W及依次覆蓋在GaAs襯底11上的N型GaAs緩沖層12、第 一N型GaxIrvxP層 13、N型GaAs層 14 和第二N型GaxIrvxP層。
[0084] 第二部分N2包括N型GalnP腐蝕停層17、化及依次覆蓋在N型GalnP腐蝕停層17 上的N型GaAs歐姆接觸層18、N型AllnP層19、量子阱層20、P型層21、和第一基板30。
[0085] 其中，HF酸和去離子&0的混合液濃度為30% -60%。優(yōu)選地，HF酸和去離子&0 的混合液濃度為50%。
[0086] 其中，HF酸和去離子&0的混合液和N型AlAs犧牲層發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生成AlFs和 A1Fn(H2〇)6-w混合物。并且，HF酸和去離子H20的混合液與磯化物材料（比如N型GalnP腐 蝕停層）不發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，所W采用HF酸和去離子&0的混合液腐蝕N型AlAs犧牲層，對(duì) 第二部分無破壞作用。另外，HF酸和去離子&0的混合液分別與AlAs層和GaAs層的腐蝕 選擇比約為1〇7:1，也就是說，即便N型AlAs犧牲層覆蓋在N型GaAs層上，HF酸和去離子 &0的混合液也更容易將AlAs犧牲層腐蝕，從而實(shí)現(xiàn)將GaAs襯底剝離出來。
[0087] 通過步驟302和步驟303,實(shí)現(xiàn)了從第一外延片上將GaAs襯底剝離出來。
[008引步驟304、去除第二部分中的N型GalnP腐蝕停層。
[0089] 可W使用肥1和&0的混合液腐蝕N型GalnP腐蝕停層。
[0090] 步驟305、將去除N型GalnP腐蝕停層后的第二部分加工成LED巧片。
[0091] 本發(fā)明實(shí)施例通過在第一外延層中生長N型AlAs犧牲層，可W對(duì)N型AlAs犧牲 層進(jìn)行腐蝕，第一外延片將分成兩部分，其中一部分包括GaAs襯底，實(shí)現(xiàn)了從第一外延片 上將GaAs襯底剝離出來，且GaAs襯底未被破壞，減少環(huán)境污染；通過在第一外延層中生長 N型GaAs層和第一N型GaxIrvxP層，能夠在腐蝕N型AlAs犧牲層時(shí)，對(duì)GaAs襯底進(jìn)行保 護(hù)；通過使用剝離出的GaAs襯底再制備外延片，實(shí)現(xiàn)了GaAs襯底的重復(fù)使用，該極大地降 低了LED外延片的成本。
[OOW] 實(shí)施例四
[0093] 本發(fā)明實(shí)施例提供了一種襯底回收方法，參見圖9,該方法包括：
[0094] 步驟401、提供第一外延片。
[0095] 其中該第一外延片包括GaAs襯底和第一外延層。該第一外延層包括依次位于 GaAs襯底上的N型GaAs緩沖層、第一N型GaxIrvxP層、N型GaAs層、N型AlAs犧牲層、N 型GalnP腐蝕停層、N型GaAs歐姆接觸層、N型AllnP層、量子阱層、和P型層。
[0096] 步驟402、將第一外延片鍵合到第一基板上。
[0097] 其中，本步驟同實(shí)施例=中步驟302,在此不再寶述。
[009引步驟403、采用HF酸和去離子&0的混合液，對(duì)鍵合后的第一外延片進(jìn)行腐蝕，直 到在N型AlAs犧牲層被腐蝕后第一外延片分成第一部分和第二部分。
[0099] 其中，第一部分包括GaAs襯底、W及依次覆蓋在GaAs襯底上的N型GaAs緩沖層、 第一N型GaxIrvxP層、和N型GaAs層。
[0100] 步驟404、依次去除第一部分中的N型GaAs層、和第一N型GaxIrvxP層，得到處理 后的GaAs襯底。
[OW] 步驟404包括，先將第一部分浸入畔〇4、&化和H2O的混合液、或者氨水、&化和H2O 的混合液中，直到去除N型GaAs層；再將去除N型GaAs層后的第一部分浸入H3PO4和肥1 的混合液、或者肥1和&0的混合液中，直到去除N型第一N型GaxIrvxP層，得到處理后的 GaAs襯底。
[0102] 其中，處理后的GaAs襯底包括GaAs襯底、W及覆蓋在GaAs襯底上的N型GaAs緩 沖層。由于N型GaAs緩沖層的材質(zhì)與GaAs襯底的材質(zhì)相同，N型GaAs緩沖層覆蓋在GaAs 襯底上，不會(huì)對(duì)GaAs襯底產(chǎn)生影響。
[0103] 其中，一方面，第一N型GaxIrvxP層和N型GaAs層在腐蝕N型AlAs犧牲層時(shí)，為 GaAs襯底提供保護(hù)作用，比如前述HF酸和去離子&0的混合液分別與AlAs層和GaAs層的 腐蝕選擇比約為1〇7:1，可W保護(hù)GaAs襯底11。另一方面，第一N型GaxIrvxP層和N型GaAs 層抑制濕法腐蝕GaAs襯底表面氧化物顆粒的形成。比如，在采用HF酸的混合液腐蝕N型 AlAs犧牲層時(shí)，溶液中有氧化神顆粒產(chǎn)生，一些氧化神顆粒會(huì)附著在N型GaAs層上。而在 腐蝕N型GaAs層時(shí)，將有部分氧化神顆粒被去除，但可能還存在部分氧化神顆粒附著在第 一N型GaxIrvxP層上。在腐蝕第一N型GaxIrvxP層時(shí)，進(jìn)一步去除氧化神顆粒。
[0104] 通過步驟404,實(shí)現(xiàn)了對(duì)剝離出的GaAs襯底進(jìn)行處理，得到處理后的GaAs襯底。 [01化]在步驟404之后，執(zhí)行步驟405或步驟406。
[0106] 步驟405、在處理后的GaAs襯底上生長第一外延層，得到又一第一外延片。
[0107] 在步驟405之后，可W重復(fù)步驟401-404,從得到的第一外延片上將GaAs襯底剝離 出來，再對(duì)剝離出的GaAs襯底進(jìn)行處理。
[0108] 步驟406、在處理后的GaAs襯底上生長第二外延層，得到第二外延片。
[0109] 其中，第二外延層包括依次位于處理后的GaAs襯底上的N型GaAs緩沖層、N型 GalnP腐蝕停層、N型GaAs歐姆接觸層、N型AllnP層、量子阱層、和P型層。
[0110] 本發(fā)明實(shí)施例通過在第一外延層中生長N型AlAs犧牲層，可W對(duì)N型AlAs犧牲層 進(jìn)行腐蝕，第一外延片分成第一部分和第二部分，第一部分包括GaAs襯底，實(shí)現(xiàn)了從第一 外延片上將GaAs襯底剝離出來；通過在第一外延層中生長N型GaAs層和第一N型GaxIrvxP 層，能夠在腐蝕N型AlAs犧牲層時(shí)，對(duì)GaAs襯底進(jìn)行保護(hù)；通過使用剝離出的GaAs襯底再 制備又一第一外延片或制備又一第二外延片，實(shí)現(xiàn)了GaAs襯底的重復(fù)使用，該極大地降低 了L邸外延片的成本。
[0111] 實(shí)施例五
[0112] 本發(fā)明實(shí)施例提供了一種襯底回收方法，參見圖10,該方法包括：
[0113] 步驟501、提供第一外延片。
[0114] 其中，該第一外延片包括GaAs襯底和第一外延層。該第一外延層包括依次位于 GaAs襯底上的N型GaAs緩沖層、第一N型GaxIrvxP層、N型GaAs層、第二N型GaxIrvxP層、 N型AlAs犧牲層、N型GalnP腐蝕停層、N型GaAs歐姆接觸層、N型A1InP層、量子阱層、和 P型層。0. 47<X<0. 51。
[0115] 步驟502、將第一外延片鍵合到第一基板上。
[0116] 其中，第一外延