電極及其制作方法、陣列基板及其制作方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種電極及其制作方法、陣列基板及其制作方法。
【背景技術】
[0002]在有機電致發(fā)光器件(Organic Light-Emitting D1de，0LED)顯示面板中，為了提高作底電極的功函和反射率，通常會采用如圖1所示的電極作為底電極，如圖1所示，該電極包括金屬電極層10、形成在底電極上的微透鏡結(jié)構(gòu)層11、形成在所述微透鏡結(jié)構(gòu)層上的透明電極層12 (通常采用ITO材料制作)。其中金屬電極層10—般為具有反射功能的電極層，光線在照射到該金屬電極層10之后被金屬電極層10反射，反射的光線在經(jīng)過微透鏡結(jié)構(gòu)層11中的各個微透鏡時，由于微透鏡的漫反射作用、微透鏡作用和納米粒子造成的折射系數(shù)降低等原因，使得透過透明電極層12的光線相對于沒有設置微透鏡結(jié)構(gòu)層12時大巾畐提尚。
[0003]現(xiàn)有技術中，微透鏡結(jié)構(gòu)層2 —般通過如下工藝制作:在金屬電極層10上形成氧化銦錫ITO材料層，之后使用溶液對ITO材料層進行刻蝕，形成包含多個微透鏡結(jié)構(gòu)的微透鏡結(jié)構(gòu)層11。為了對ITO材料層進行刻蝕，一般需要使用酸性較強的溶液，但是酸性過強的溶液又可能導致ITO材料層下方的金屬電極層10被刻蝕，影響金屬電極層10的導電和反射性能。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的一個目的在于提供一種能夠阻止電極中的金屬電極層被刻蝕的方法。
[0005]本發(fā)明提供了一種電極，包括:金屬電極層、形成在所述金屬電極層上的微透鏡結(jié)構(gòu)層、形成在所述微透鏡結(jié)構(gòu)層上的透明電極層；其中，所述微透鏡結(jié)構(gòu)層采用ZnON材料制作。
[0006]進一步的，所述微透鏡結(jié)構(gòu)層中微透鏡結(jié)構(gòu)的高度為50-500nm。
[0007]進一步的，所述透明電極層采用ITO材料、IZO材料、ITZO材料或IGZO材料制作。
[0008]本發(fā)明還提供了一種陣列基板，包括襯底，形成在所述襯底上的晶體管陣列，形成在所述晶體管陣列之上的電致發(fā)光元件陣列；其中，所述電致發(fā)光元件陣列中的底電極為上述任一項所述的電極。
[0009]本發(fā)明還提供了一種電極的制作方法，包括:
[0010]在金屬電極層上形成ZnON材料層；
[0011]對所形成的ZnON材料層進行刻蝕形成微透鏡結(jié)構(gòu)層；
[0012]在所述微透鏡結(jié)構(gòu)層上形成透明電極層。
[0013]進一步的，在所述金屬電極層上形成的ZnON材料層的厚度為50_500nm。
[0014]進一步的，所述對所形成的ZnON材料層進行刻蝕形成微透鏡結(jié)構(gòu)層包括:
[0015]使用堿性溶液對ZnON材料層進行刻蝕形成微透鏡結(jié)構(gòu)層。
[0016]進一步的，所述對所形成的ZnON材料層進行刻蝕形成微透鏡結(jié)構(gòu)層包括:
[0017]使用質(zhì)量占比為0.1% -5%的鹽酸、醋酸或者草酸溶液對ZnON材料層進行刻蝕形成微透鏡結(jié)構(gòu)層。
[0018]進一步的，所述在金屬電極層上形成ZnON材料層包括:
[0019]在所述金屬電極層上沉積ZnON材料；
[0020]在200-500攝氏度的溫度下對沉積的ZnON材料退火得到ZnON材料層。
[0021 ] 進一步的，所述在金屬電極層上沉積ZnON材料包括:
[0022]通過派射工藝在所述金屬電極層上沉積ZnON材料。
[0023]進一步的，所述透明電極層采用ITO材料、IZO材料、ITZO材料或IGZO材料制作。
[0024]本發(fā)明還提供了一種陣列基板的制作方法，其特征在于，包括:
[0025]在襯底上形成晶體管陣列和在所述晶體管陣列上形成電致發(fā)光元件陣列的步驟；
[0026]其中，在所述晶體管陣列上形成電致發(fā)光元件陣列時，采用上述任一項所述的方法制作所述電致發(fā)光元件陣列的底電極。
[0027]本發(fā)明中，由于采用ZnON作為用于形成微透鏡結(jié)構(gòu)層的材料，能夠在通過刻蝕的方式形成微透鏡結(jié)構(gòu)時，使用堿性溶液或者酸性較弱的溶液，從而能夠減緩甚至避免金屬電極層被腐蝕。
【附圖說明】
[0028]圖1為現(xiàn)有技術中一種電極的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0029]圖2為本發(fā)明一實施例提供的一種電極的制作方法的流程示意圖；
[0030]圖3為本發(fā)明一實施例提供的一種電極的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0031]圖4為本發(fā)明一實施例提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0032]為使本發(fā)明實施例的目的、技術方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術方案進行清楚、完整的描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發(fā)明的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他的實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。
[0033]本發(fā)明一實施例提供了一種電極的制作方法，如圖2所示，該方法可以包括如下流程:
[0034]步驟SI I，在金屬電極層上形成ZnON材料層；
[0035]步驟S12，對所形成的ZnON材料層進行刻蝕形成微透鏡結(jié)構(gòu)層；
[0036]步驟S13，在所述微透鏡結(jié)構(gòu)層上形成透明電極層。
[0037]本發(fā)明實施例中，采用ZnON作為用于形成微透鏡結(jié)構(gòu)層的材料，由于ZnON能夠采用堿性或者酸性較弱的溶液進行刻蝕，則本發(fā)明提供的技術方案中，在通過刻蝕的方式形成微透鏡結(jié)構(gòu)的過程中，可以使用堿性溶液或者酸性較弱的溶液，從而能夠減緩甚至避免金屬電極層被腐蝕。
[0038]在步驟Sll之前，上述的方法還可以包括圖中未示出的:步驟S01，形成金屬電極層。具體的，可以采用具有較高反射率、且具有較低電阻率的金屬材料形成金屬電極層。比如使用AlNd或者AlNiB形成金屬電極層。進一步的，在具體實施時，可以采用濺射工藝將相應的金屬材料沉積在該電極的基底上。這里的電極作為OLED顯示器件的底電極時，這里的基底可以是指包括形成有用于控制OLED發(fā)光的晶體管陣列的透明襯底。
[0039]在具體實施時，上述的步驟Sll中，在所述金屬電極層上形成的ZnON材料層的厚度可以為50-500nm。這樣的高度能夠使得反射電極的具有更佳的反射率。
[0040]在具體實施時，上述的步驟Sll可以具體包括:在所述金屬電極層上沉積ZnON材料；在200-500攝氏度的溫度下對沉積的ZnON材料退火得到ZnON材料層。在實現(xiàn)本發(fā)明的過程中，本申請發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，對ZnON材料進行退火得到的ZnON材料層更容易被刻蝕，且能夠使得后續(xù)工藝中形成的微透鏡更加均勻，具有更好的形態(tài)，能夠進一步提高光線經(jīng)金屬電極層反射的光線在透明電極層的透過率。
[0041]在具體實施時，可以通過派射工藝在所述金屬電極層上沉積ZnON材料。當然，只要能夠在金屬電極層上沉積ZnON材料，具體采用何種工藝并不會影響本發(fā)明的實施，相應的技術方案也應該落入本發(fā)明的保護范圍。
[0042]在具體實施時，在步驟S12中，可以使用堿性溶液對ZnON材料層進行刻蝕形成微透鏡結(jié)構(gòu)層。這里的堿性溶液一般是指強堿性溶液。具體來說，可以為Ca(OH)2溶液，KOH溶液，NaOH溶液等，這些溶液不會腐蝕ZnON材料層下面的金屬電極層，能夠很好的避免金屬電極層的損壞。在具體實施時，這里的堿性溶液可以具體為質(zhì)量占比為0.1% -5%的Ca (OH) 2溶液，KOH溶液，NaOH溶液。
[0043]另外在實際應用中，也可以使用酸性較弱的溶液對ZnON材料層進行刻蝕以形成微透鏡結(jié)構(gòu)，具體來說，可以使用質(zhì)量占比為0.1% -5%的鹽酸、醋酸或者草酸溶液對ZnON材料層進行刻蝕形成微透鏡結(jié)構(gòu)層。這些酸性溶液具有相對較高的PH值，與金屬電極層的反映速率較慢，能夠降低金屬電極層被腐蝕的程度。
[0044]在具體實施時，在上述的步驟S13中，可以采用ITO材料、IZO材料、ITZO材料或IGZO材料制作所