雙面互聯(lián)扇出工藝的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0002]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體封裝技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種雙面互聯(lián)扇出工藝。
【背景技術(shù)】
[0003]目前，在半導(dǎo)體加工的扇出工藝中，通常采用單面層積的工藝進(jìn)行加工，在用此種加工工藝，可以實(shí)現(xiàn)將單個(gè)芯片進(jìn)行放大，或者實(shí)現(xiàn)多個(gè)芯片進(jìn)行并排連接。但是，不能實(shí)現(xiàn)芯片的堆疊封裝。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]在下文中給出關(guān)于本發(fā)明的簡要概述，以便提供關(guān)于本發(fā)明的某些方面的基本理解。應(yīng)當(dāng)理解，這個(gè)概述并不是關(guān)于本發(fā)明的窮舉性概述。它并不是意圖確定本發(fā)明的關(guān)鍵或重要部分，也不是意圖限定本發(fā)明的范圍。其目的僅僅是以簡化的形式給出某些概念，以此作為稍后論述的更詳細(xì)描述的前序。
[0005]本發(fā)明的目的在于提供一種雙面互聯(lián)扇出工藝。本發(fā)明提供一種雙面互聯(lián)扇出工藝，包括以下步驟:
在晶圓的頂面上開設(shè)多個(gè)盲孔；
在所述盲孔內(nèi)形成第一導(dǎo)電柱，并且以倒置的方式安放至少一個(gè)芯片，所述芯片的焊墊上形成有第二導(dǎo)電柱，所述第一導(dǎo)電柱的頂部及所述第二導(dǎo)電柱的頂部均高于所述晶圓的頂面；
在所述晶圓的頂面上形成塑封層，所述塑封層暴露出所述第一導(dǎo)電柱及所述第二導(dǎo)電柱的頂面；
在所述塑封層上形成與所述第一導(dǎo)電柱及所述第二導(dǎo)電柱相連接的第一再布線金屬層；
在所述第一再布線金屬層上形成第一鈍化層，所述第一鈍化層形成有暴露所述第一再布線金屬層的第一開口；
在所述第一開口處形成與所述第一再布線金屬層連接的上凸點(diǎn)；
對(duì)所述晶圓的底部進(jìn)行減薄，直至露出所述第一導(dǎo)電柱的底面；
在減薄后的所述晶圓的底面形成第二鈍化層，所述第二鈍化層設(shè)置有暴露所述第一導(dǎo)電柱底面及所述芯片頂面的第二開口；
[0006]在所述第二開口處形成背部接電結(jié)構(gòu)。
[0007]采用本發(fā)明工藝形成的芯片，在頂部和底部均形成了接電的結(jié)構(gòu)，使得使用本發(fā)明工藝形成的芯片可以進(jìn)行芯片的堆疊封裝。另外，在形成背部接電結(jié)構(gòu)時(shí)，同時(shí)會(huì)在第二鈍化層暴露芯片頂部的第二開口處形成金屬層，該金屬層可用于對(duì)芯片進(jìn)行散熱，降低熱阻，特別是對(duì)于高功耗的芯片，其能更好的保證芯片的正常工作。
【附圖說明】
[0008]參照下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明實(shí)施例的說明，會(huì)更加容易地理解本發(fā)明的以上和其它目的、特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)。附圖中的部件只是為了示出本發(fā)明的原理。在附圖中，相同的或類似的技術(shù)特征或部件將采用相同或類似的附圖標(biāo)記來表示。
[0009]圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的雙面互聯(lián)扇出工藝的流程圖。
[0010]圖2a-圖2ο為實(shí)施本發(fā)明實(shí)施例提供的雙面互聯(lián)扇出工藝各步驟所形成的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0011]下面參照附圖來說明本發(fā)明的實(shí)施例。在本發(fā)明的一個(gè)附圖或一種實(shí)施方式中描述的元素和特征可以與一個(gè)或更多個(gè)其它附圖或?qū)嵤┓绞街惺境龅脑睾吞卣飨嘟Y(jié)合。應(yīng)當(dāng)注意，為了清楚的目的，附圖和說明中省略了與本發(fā)明無關(guān)的、本領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的部件和處理的表示和描述。
[0012]圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的雙面互聯(lián)扇出工藝的流程圖。如圖1所示，本發(fā)明實(shí)施例提供的雙面互聯(lián)扇出工藝，包括以下步驟:
[0013]SlOl:在晶圓的頂面上開設(shè)多個(gè)盲孔；
[0014]S102:在所述盲孔內(nèi)形成第一導(dǎo)電柱，并且以倒置的方式安放至少一個(gè)芯片，所述芯片的焊墊上形成有第二導(dǎo)電柱，所述第一導(dǎo)電柱的頂部及所述第二導(dǎo)電柱的頂部均高于所述晶圓的頂面；
[0015]S103:在所述晶圓的頂面上形成塑封層，所述塑封層暴露出所述第一導(dǎo)電柱及所述第二導(dǎo)電柱的頂面；
[0016]S104:在所述塑封層上形成與所述第一導(dǎo)電柱及所述第二導(dǎo)電柱相連接的第一再布線金屬層；
[0017]S105:在所述第一再布線金屬層上形成第一鈍化層，所述第一鈍化層形成有暴露所述第一再布線金屬層的第一開口；
[0018]S106:在所述第一開口處形成與所述第一再布線金屬層連接的上凸點(diǎn)；
[0019]S107:對(duì)所述晶圓的底部進(jìn)行減薄，直至露出所述第一導(dǎo)電柱的底面；
[0020]S108:在減薄后的所述晶圓的底面形成第二鈍化層，所述第二鈍化層設(shè)置有暴露所述第一導(dǎo)電柱底面及所述芯片頂面的第二開口；
[0021]S109:在所述第二開口處形成背部接電結(jié)構(gòu)。
[0022]采用本發(fā)明工藝形成的芯片，在頂部和底部均形成了接電的結(jié)構(gòu)，使得使用本發(fā)明工藝形成的芯片可以進(jìn)行芯片的堆疊封裝。另外，在形成背部接電結(jié)構(gòu)時(shí)，同時(shí)會(huì)在第二鈍化層暴露芯片頂部的第二開口處形成金屬層，該金屬層可用于對(duì)芯片進(jìn)行散熱，降低熱阻，特別是對(duì)于高功耗的芯片，其能更好的保證芯片的正常工作。
[0023]實(shí)施本發(fā)明實(shí)施例提供的雙面互聯(lián)扇出工藝，具體地，如圖2a所不，提供一晶圓I，在晶圓I的頂面鐳射刻蝕標(biāo)記。如圖2b所示，在晶圓I的頂面上對(duì)應(yīng)于刻蝕標(biāo)記的位置處形成多個(gè)盲孔2。多個(gè)盲孔2可以通過刻蝕的方式加工。如圖2c所示，在盲孔2內(nèi)形成第一導(dǎo)電柱3，第一導(dǎo)電柱3的設(shè)置位置及設(shè)置數(shù)量根據(jù)實(shí)際需要確定。第一導(dǎo)電柱3的頂部高于晶圓I的頂面。作為一種可實(shí)現(xiàn)方式，第一導(dǎo)電柱3可以采用銅柱。如圖2d所示，在盲孔內(nèi)以倒置的形式放置至少一個(gè)芯片，芯片位于第一導(dǎo)電柱之間。每個(gè)盲孔2內(nèi)可以設(shè)置一個(gè)或多個(gè)芯片4，芯片4的設(shè)置數(shù)量根據(jù)實(shí)際需要確定。需要說明的是，再將芯片放置于盲孔內(nèi)之前，首先對(duì)芯片進(jìn)行再造，也即在芯片的焊墊上形成第二導(dǎo)電柱，第二導(dǎo)電柱可以是銅柱。如圖2e所示，在晶圓I的頂部形成塑封層5，塑封層5包覆第一導(dǎo)電柱3及芯片4上的第二導(dǎo)電柱6頂部。如圖2