霍爾傳感器設備的制造方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及一種根據權利要求1的前序部分的霍爾傳感器設備。
【背景技術】
[0002]從DE 101 50 955 Cl已知磁場傳感器。所述磁場傳感器具有多個豎直的霍爾傳感器，其分別具有五個連接觸點。在此，四個以內霍爾傳感器相互平行地構造，并且連接觸點借助于循環(huán)的調換來相互連接，以便與單個的霍爾傳感器的偏移相比降低磁場傳感器的偏移。附加地，能借助于所謂的“自旋電流(Spinning-Current) ”方法來進一步降低所述偏移。值得期望的是，改進磁場傳感器的昂貴的布置和靈敏性。
[0003]此外，從DE 10 2011 107 767 Al已知具有多個單個的霍爾元件的霍爾傳感器設備。在此，相應的霍爾傳感器設備的各個霍爾元件以環(huán)形的串聯電路連接。

【發(fā)明內容】

[0004]在此背景下，本發(fā)明的任務在于，說明一種擴展現有技術的設備。
[0005]該任務通過具有權利要求1的特征的霍爾傳感器設備來解決。本發(fā)明的有利的構型為從屬權利要求的主題。
[0006]根據本發(fā)明的主題，提供一種霍爾傳感器設備，其構造在半導體本體上，所述霍爾傳感器設備具有第一霍爾傳感器和第二霍爾傳感器，其中，每個霍爾傳感器具有至少四個單個的霍爾元件，并且所述四個霍爾元件以串聯電路連接，其中，每個霍爾元件具有三個布置成一排的連接觸點，其中，所述中間的連接觸點直接鄰近地布置在所述兩個外部的連接觸點之間，并且所述串聯電路通過相應的外部的連接觸點的連接在一起或連接而構成，其中，所述串聯電路的始端和末端相互短接，其中，所述霍爾元件分別構造在第一導電性類型的半導體槽區(qū)域中，其中，所述各個霍爾元件的半導體槽區(qū)域相互分開，其中，所述第一霍爾傳感器和所述第二霍爾傳感器并聯連接，其方式是，所述第一霍爾傳感器的霍爾元件的中間的連接觸點分別與所述第二霍爾傳感器的霍爾元件的中間的連接觸點連接，并且所連接的中間的連接觸點中的每一個分配有一個霍爾觸點，并且在所述霍爾觸點上或者能夠施加供電電壓或者能夠量取霍爾電壓。應注意，每個霍爾元件的布置成一排的連接觸點優(yōu)選位于一條直線上。顯然，在連接觸點下方構造有同樣第一導電類型的平坦的高摻雜的連接區(qū)域，并且所述半導體槽由隔離區(qū)域或者第二導電類型的區(qū)域環(huán)繞。應注意，所述霍爾元件中的每一個自身僅僅代表可運轉的霍爾元件，其中，在相應的中間的連接觸點上可測量霍爾電壓。
[0007]根據本發(fā)明的設備的優(yōu)點在于，通過各個霍爾元件的根據本發(fā)明的連接提高信號與霍爾傳感器設備的偏移電壓的比例，其方式是，通過霍爾傳感器的霍爾元件的并聯電路大大降低偏移電壓。霍爾傳感器相互并聯連接，并且各個偏移電壓幾乎完全抵償。顯然，霍爾傳感器設備的霍爾元件具有電流流經的面，其中，該面的法向量平行于穿過該面的磁場線的方向地構造。此外應實施，霍爾觸點僅僅分配給中間的連接觸點，并且所述中間的連接觸點中沒有一個相對其他鄰近的中間的連接觸點有區(qū)別，從而在所述中間的連接觸點中的每一個上可以施加供電電壓或者量取霍爾電壓。
[0008]在一種擴展方案中，霍爾元件的中間的連接觸點中的兩個構造為霍爾電壓抽頭，并且霍爾元件的中間的連接觸點中的兩個構造為供電電壓連接端。此外，霍爾元件沿著霍爾元件的縱向延展優(yōu)選在印制電路平面下方具有等同的橫截面結構，其中，所述縱向延展平行于所述三個布置成一排的連接觸點構造。優(yōu)選每個霍爾元件的連接觸點沿著一條直線布置。
[0009]在另一種擴展方案中，第一霍爾傳感器的霍爾元件和第二霍爾傳感器的霍爾元件具有位于所述兩個霍爾傳感器之間的重心軸線或對稱軸線，其中，每個霍爾傳感器的兩個霍爾元件具有到重心軸線或對稱軸線的相等距離。在另一種實施方式中，所述霍爾傳感器中的至少一個的所有霍爾元件具有到重心軸線或對稱軸線的相等距離。此外，優(yōu)選第一霍爾傳感器與第二霍爾傳感器具有恰好相等數量的霍爾元件。在此，霍爾元件優(yōu)選分別構造為豎直的霍爾兀件。此外應注意，在一種實施方式中，所述霍爾傳感器中的每一個具有多于四個霍爾元件，并且優(yōu)選所述霍爾傳感器分別具有相同數量的霍爾元件。
[0010]在一種優(yōu)選的實施方式中，在第一霍爾傳感器和第二霍爾傳感器之間分別僅僅中間的連接觸點相互連接，即每個霍爾傳感器的外部的觸點僅僅在相應的霍爾傳感器中相互連接，從而由于相應的外部的觸點的連接而形成以串聯電路連接的元件的閉合環(huán)。
[0011]在另一種實施方式中，在霍爾傳感器設備的半導體本體上附加地構造有集成電路，其中，優(yōu)選所述集成電路與霍爾傳感器、即在此與第一霍爾傳感器和第二傳感器處于電作用連接中。優(yōu)選所述集成電路構造用于不但在所選擇的第一中間的觸點上施加供電電壓而且同時在所選擇的第二中間的觸點上量取和分析處理霍爾電壓。
[0012]此外，優(yōu)選，在半導體本體上構造有第三霍爾傳感器和第四霍爾傳感器，并且所有四個霍爾傳感器相互處于電作用連接中，尤其這些霍爾傳感器的中間的連接觸點相互連接。在此應注意，術語作用連接其中應理解為在集成電路和所述一個或多個霍爾傳感器之間的電連接。此外，有利的是，所述半導體本體與所述霍爾傳感器和/或所述集成電路布置在唯一的共同的殼體中。應指出，所述集成電路優(yōu)選包括復用電路(Multiplexschaltung),以便在所述復用電路的第一連接狀態(tài)中以供電電壓加載所選擇的兩個第一中間的觸點，而在所選擇的兩個第二中間的觸點上量取存在的霍爾電壓。在復用電路的第二連接狀態(tài)中，以供電電壓加載所選擇的兩個第二中間的觸點，而在所選擇的兩個第一中間的觸點上量取存在的霍爾電壓。尤其也能夠借助于復用器單元執(zhí)行所謂的“自旋電流”方法以進一步減小霍爾傳感器設備的偏移電壓。
【附圖說明】
[0013]以下參照附圖詳細闡述本發(fā)明。在此，同類的部分以相同的標記標出。所示出的實施方式強烈示意化，即，距離和橫向延展和豎直延展不是按比例的，并且只要不另外說明，它們也不具有可推導的相互幾何關系。在此示出:
[0014]圖1示出根據本發(fā)明的具有在成對角線的第一連接配置中的恰好兩個霍爾傳感器的霍爾傳感器設備的實施方式的示意性的俯視圖，所述兩個霍爾傳感器分別具有四個霍爾元件，
[0015]圖2示出根據本發(fā)明的具有在成對角線的第一連接配置中的恰好四個霍爾傳感器的霍爾傳感器設備的實施方式的示意性的俯視圖，所述四個霍爾傳感器分別具有四個霍爾元件，
[0016]圖3示出根據本發(fā)明的具有在第二連接配置中的恰好四個霍爾傳感器的霍爾傳感器設備的實施方式的示意性的俯視圖，所述四個霍爾傳感器分別具有四個霍爾元件，
[0017]圖4示出根據本發(fā)明的具有在第二連接配置中的多于四個霍爾傳感器的霍爾傳感器設備的實施方式的示意性的俯視圖，其中，每個霍爾傳感器具有恰好四個霍爾元件，
[0018]圖5示出根據本發(fā)明的具有在第一連接配置中的四個霍爾傳感器的霍爾傳感器設備的實施方式的示意性的俯視圖，其中，每個霍爾傳感器具有多于四個霍爾元件，
[0019]圖6示出根據本發(fā)明的具有在成對角線的第一連接配置中、然而具有霍爾元件的組形的第一布置的恰好四個霍爾傳感器的霍爾傳感器設備的實施方式的示意性的俯視圖，其中，所述四個霍爾傳感器分別具有四個霍爾元件，
[0020]圖7示出根據本發(fā)明的具有在成對角線的第