專利名稱：組合基片只讀存儲(chǔ)器及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及只讀存儲(chǔ)器。
通常的只讀存儲(chǔ)器是制造在整塊單晶硅基片上的，其只讀存儲(chǔ)電路，如只讀存儲(chǔ)單元矩陣電路、字線驅(qū)動(dòng)電路、字線驅(qū)動(dòng)外圍電路、位線驅(qū)動(dòng)電路、位線驅(qū)動(dòng)外圍電路等都位于一個(gè)單晶硅基片上。中國(guó)專利申請(qǐng)92109280.6公開的一種掩膜只讀存儲(chǔ)器，有一給定導(dǎo)電類型的擴(kuò)散區(qū)在第一方向上延伸并以隔離區(qū)與另一擴(kuò)散區(qū)隔開；一字線在和第一方向垂直的第二方向上延伸，且和另一字線平行；一位線沿第一方向在一區(qū)域里延伸，該區(qū)域在字線布線上方形成并對(duì)應(yīng)于擴(kuò)散區(qū)之間的隔離區(qū)，該位線通過(guò)給定的的接觸區(qū)和字線接觸。因位線和擴(kuò)散區(qū)隔開一給定間隔，故周轉(zhuǎn)時(shí)間可以大大降低。其只讀存儲(chǔ)單元矩陣電路等都位于一個(gè)單晶硅基片上，在集成度一定的情況下，要使該只讀存儲(chǔ)器具有較大的存儲(chǔ)容量，用單晶硅基片制造，將耗用較大面積的單晶硅基片，其成本較高。
本發(fā)明的目的是提供一種組合基片只讀存儲(chǔ)器。
本發(fā)明的組合基片只讀存儲(chǔ)器，具有單晶硅基片和只讀存儲(chǔ)單元矩陣電路和位于單晶硅基片上的字線驅(qū)動(dòng)電路、字線驅(qū)動(dòng)外圍電路、位線驅(qū)動(dòng)電路、位線驅(qū)動(dòng)外圍電路；所述只讀存儲(chǔ)單元矩陣電路的字線與所述字線驅(qū)動(dòng)電路相連，所述只讀存儲(chǔ)單元矩陣電路的位線與所述位線驅(qū)動(dòng)電路相連，其特征在于
還具有一絕緣材料基片；所述單晶硅基片包括第一單晶硅基片和第二單晶硅基片；所述一絕緣材料基片的兩個(gè)相鄰側(cè)面分別與所述第一單晶硅基片的一個(gè)側(cè)面和所述第二單晶硅基片的一個(gè)側(cè)面結(jié)合，所述一絕緣材料基片的上表面與所述第一單晶硅基片的上表面和第二單晶硅基片的上表面處于同一平面，所述一絕緣材料基片的上表面與所述第一單晶硅基片的上表面相接，所述一絕緣材料基片的上表面與所述第一單晶硅基片的上表面在相接處平滑過(guò)渡，所述一絕緣材料基片的上表面與所述第二單晶硅基片的上表面相接，所述一絕緣材料基片的上表面與所述第二單晶硅基片的上表面在相接處平滑過(guò)渡；所述只讀存儲(chǔ)單元矩陣電路的只讀存儲(chǔ)單元包括一字線，所述一字線與其他字線平行，一金屬氧化物絕緣層在所述一字線上，一位線在所述一金屬氧化物絕緣層上，所述一位線與其他位線平行，所述一字線與所述一位線之間有一金屬絲相連；所述只讀存儲(chǔ)單元矩陣電路在所述一絕緣材料基片上；所述字線驅(qū)動(dòng)電路、字線驅(qū)動(dòng)外圍電路在所述第一單晶硅基片上；所述位線驅(qū)動(dòng)電路、位線驅(qū)動(dòng)外圍電路在所述第二單晶硅基片上；所述字線驅(qū)動(dòng)電路與所述字線驅(qū)動(dòng)外圍電路相連，所述位線驅(qū)動(dòng)電路與所述位線驅(qū)動(dòng)外圍電路相連。
本發(fā)明的組合基片只讀存儲(chǔ)器通過(guò)只讀存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，可在制造時(shí)通過(guò)掩膜、蝕刻等工序蝕刻斷只讀存儲(chǔ)單元字線和位線之間的金屬絲，對(duì)只讀存儲(chǔ)單元進(jìn)行編程；也可在使用時(shí)通過(guò)字線驅(qū)動(dòng)電路、位線驅(qū)動(dòng)電路熔斷只讀存儲(chǔ)單元的字線和位線之間的金屬絲，對(duì)只讀存儲(chǔ)單元進(jìn)行編程；讀出數(shù)據(jù)時(shí)通過(guò)字線驅(qū)動(dòng)電路、字線驅(qū)動(dòng)外圍電路、位線驅(qū)動(dòng)電路、位線驅(qū)動(dòng)外圍電路讀出只讀存儲(chǔ)單元中的數(shù)據(jù)。
本發(fā)明的組合基片只讀存儲(chǔ)器，其單晶硅上的電路，如字線驅(qū)動(dòng)電路、字線驅(qū)動(dòng)外圍電路、位線驅(qū)動(dòng)電路、位線驅(qū)動(dòng)外圍電路的電路結(jié)構(gòu)可沿用現(xiàn)有電路結(jié)構(gòu)，電路制造方法可沿用現(xiàn)有方法；其絕緣材料基片上的只讀存儲(chǔ)單元矩陣電路可用現(xiàn)有技術(shù)制造。
本發(fā)明的組合基片存儲(chǔ)器的字線驅(qū)動(dòng)電路、字線驅(qū)動(dòng)外圍電路在第一單晶硅基片上，位線驅(qū)動(dòng)電路、位線驅(qū)動(dòng)外圍電路在第二單晶硅基片上，只讀存儲(chǔ)單元矩陣電路在一絕緣材料基片上，因?yàn)槠渲蛔x存儲(chǔ)單元矩陣電路在一絕緣材料基片上，所以其只讀存儲(chǔ)單元矩陣電路不消耗單晶硅；而普通只讀存儲(chǔ)器的只讀存儲(chǔ)單元矩陣電路在一單晶硅基片上，其只讀存儲(chǔ)單元矩陣電路要消耗單晶硅。所以本發(fā)明的組合基片存儲(chǔ)器與相同集成度和相同容量的普通只讀存儲(chǔ)器相比，單晶硅的消耗量較少，其成本較低。
本發(fā)明的一絕緣材料基片可為玻璃基片或石英基片或藍(lán)寶石基片，第一晶硅基片上的字線驅(qū)動(dòng)外圍電路還可與電連接線相連，第二單晶硅基片上的位線驅(qū)動(dòng)外圍電路還可與電連接線相連。
本發(fā)明的組合基片只讀存儲(chǔ)器為金屬熔絲可編程只讀存儲(chǔ)器時(shí)，其金屬熔絲可編程只讀存儲(chǔ)單元的字線可為金屬鋁的字線，金屬氧化物絕緣層可為氧化鋁絕緣層，位線可為金屬鋁的的位線，金屬絲可為鎳鉻金屬絲，在使用前其鎳鉻金屬絲都未熔斷，在使用時(shí)通過(guò)熔斷鎳鉻金屬絲進(jìn)行編程；本發(fā)明的組合基片只讀存儲(chǔ)器為掩膜只讀存儲(chǔ)器時(shí)，其掩膜只讀存儲(chǔ)單元的字線可為金屬鋁的字線，氧化物絕緣層可為氧化鋁絕緣層，位線可為金屬鋁的位線，金屬絲可為金屬鋁絲，制造時(shí)通過(guò)掩膜、蝕刻等工序蝕刻斷金屬鋁絲進(jìn)行編程。
本發(fā)明的組合基片只讀存儲(chǔ)器與上述現(xiàn)有同類產(chǎn)品相比，在相同集成度和相同的較大存儲(chǔ)容量情況下，具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，制造容易，成本較低的特點(diǎn)。
本發(fā)明的內(nèi)容結(jié)合以下實(shí)施例更進(jìn)一步進(jìn)行說(shuō)明，但本發(fā)明的內(nèi)容不僅限于實(shí)施例中的內(nèi)容。


圖1為普通只讀存儲(chǔ)器的平面示意圖。
圖2為普通只讀存儲(chǔ)器的一個(gè)表明結(jié)構(gòu)的局部剖面示意圖。
圖3為普通只讀存儲(chǔ)器的一個(gè)表明結(jié)構(gòu)的局部剖面示意圖。
圖4為本發(fā)明的實(shí)施例1的組合基片的平面示意圖。
圖5為本發(fā)明的實(shí)施例1的平面示意圖。
圖6為本發(fā)明的實(shí)施例1的一個(gè)表明結(jié)構(gòu)的局部剖面示意圖。
圖7為本發(fā)明的實(shí)施例1的一個(gè)表明結(jié)構(gòu)的局部剖面示意圖。
圖8為本發(fā)明的實(shí)施例1的已編程的電路的原理示意9為本發(fā)明的實(shí)施例1的鎳鉻金屬熔絲只讀存儲(chǔ)單元矩陣電路的局部剖面示意圖，表明結(jié)構(gòu)。
圖10為本發(fā)明的實(shí)施側(cè)2的已編程的電路的原理示意圖。
圖11為本發(fā)明的實(shí)施例2的已編程掩膜只讀存儲(chǔ)單元矩陣電路的局部剖面示意圖，表明結(jié)構(gòu)。
圖12(a)-(c)為本發(fā)明的實(shí)施例1的一個(gè)制造實(shí)施例的幾個(gè)平面示意圖，表明制造的步驟。
普通只讀存儲(chǔ)器的平面示意圖如圖1所示普通只讀存儲(chǔ)器在單晶硅基片10上有只讀存儲(chǔ)單元矩陣電路4，字線3，字線驅(qū)動(dòng)電路2，字線驅(qū)動(dòng)外圍電路1，位線5，位線驅(qū)動(dòng)電路6，位線驅(qū)動(dòng)外圍電路7，只讀存儲(chǔ)單元矩陣電路4通過(guò)字線3與字線驅(qū)動(dòng)電路2相連，字線驅(qū)動(dòng)電路2與字線驅(qū)動(dòng)外圍電路1相連，電連接線8的一端與字線驅(qū)動(dòng)外圍電路1相連，只讀存儲(chǔ)單元矩陣電路4通過(guò)位線5與位線驅(qū)動(dòng)電路6相連，位線驅(qū)動(dòng)電路6與位線驅(qū)動(dòng)外圍電路7相連，電連接線9的一端與位線驅(qū)動(dòng)外圍電路7相連。
如圖2所示在單晶硅基片10上，只讀存儲(chǔ)單元矩陣電路4通過(guò)字線3與字線驅(qū)動(dòng)電路2相連，字線驅(qū)動(dòng)電路2與字線驅(qū)動(dòng)外圍電路1相連，電連接線8的一端與字線驅(qū)動(dòng)外圍電路1相連。
如圖3所示在單晶硅基片10上，只讀存儲(chǔ)單元矩陣電路4通過(guò)位線5與位線驅(qū)動(dòng)電路6相連，位線驅(qū)動(dòng)電路6與位線驅(qū)動(dòng)外圍電路7相連，電連接線9的一端與位線驅(qū)動(dòng)外圍電路7相連。
本發(fā)明的實(shí)施例1為組合基片鎳鉻金屬熔絲可編程只讀存儲(chǔ)器。
本發(fā)明的實(shí)施例1的組合基片平面示意圖如圖4所示一個(gè)單晶硅基片12，另一個(gè)單晶硅基片13，一個(gè)玻璃基片11在同一平面內(nèi)。
如圖6所示單晶硅基片12的一個(gè)側(cè)面14與玻璃基片11的一個(gè)側(cè)面15結(jié)合，玻璃基片11的上表面的一邊緣19與單晶硅基片12的上表面的一邊緣18相接，玻璃基片11上的鎳鉻金屬熔絲只讀存儲(chǔ)單元矩陣26通過(guò)金屬鋁的字線25與單晶硅基片12上的字線驅(qū)動(dòng)電路24相連，字線驅(qū)動(dòng)電路24與字線驅(qū)動(dòng)外圍電路23相連，字線驅(qū)動(dòng)外圍電路23與電連接線31的一端相連。
如圖7所示單晶硅基片13的一個(gè)側(cè)面16與玻璃基片11的一個(gè)側(cè)面17結(jié)合，玻璃基片11的上表面的一邊緣22與單晶硅基片13的上表面的一邊緣21相連，玻璃基片11上的鎳鉻金屬熔絲只讀存儲(chǔ)單元矩陣26通過(guò)金屬鋁的字線29與單晶硅基片13上的位線驅(qū)動(dòng)電路28相連，位線驅(qū)動(dòng)電路28與位線驅(qū)動(dòng)外圍電路27相連，字線驅(qū)動(dòng)外圍電路27與電連接線33的一端相連。
如圖5所示玻璃基片11上的鎳鉻金屬熔絲只讀存儲(chǔ)單元矩陣電路26通過(guò)金屬鋁的字線25與單晶硅基片12上的字線驅(qū)動(dòng)電路24相連，字線驅(qū)動(dòng)電路24與字線驅(qū)動(dòng)外圍電路23相連，字線驅(qū)動(dòng)外圍電路23與電連接線31的一端相連，玻璃基片11上的金屬熔絲只讀存儲(chǔ)單元矩陣電路26通過(guò)金屬鋁的位線29與單晶硅基片13上的位線驅(qū)動(dòng)電路28相連，位線驅(qū)動(dòng)電路28與位線驅(qū)動(dòng)外圍電路27相連，位線驅(qū)動(dòng)外圍電路27與電連接線33的一端相連。
如圖8所示本發(fā)明的實(shí)施例1的鎳鉻金屬熔絲只讀存儲(chǔ)器的結(jié)構(gòu)原理如下鎳鉻金屬熔絲只讀存儲(chǔ)單元矩陣電路26通過(guò)金屬鋁的字線25與字線驅(qū)動(dòng)電路24相連，字線驅(qū)動(dòng)電路24與字線驅(qū)動(dòng)外圍電路23相連，字線驅(qū)動(dòng)外圍電路23與電連接線31的一端相連，鎳鉻金屬熔絲只讀存儲(chǔ)單元矩陣電路26通過(guò)金屬鋁的位線29與位線驅(qū)動(dòng)電路28相連，位線驅(qū)動(dòng)電路28與位線驅(qū)動(dòng)外圍電路27相連，位線驅(qū)動(dòng)外圍電路27與電連接線33的一端相連，鎳鉻金屬熔絲只讀存儲(chǔ)單元矩陣電路26中的一個(gè)金屬鋁的字線35，一個(gè)金屬鋁的位線36，以及一個(gè)金屬鋁的字線35和一個(gè)金屬鋁的位線36之間連接的一個(gè)鎳鉻金屬熔絲37，構(gòu)成一個(gè)鎳鉻金屬熔絲未熔斷的只讀存儲(chǔ)單元；鎳鉻金屬熔絲只讀存儲(chǔ)單元矩陣電路26中的一個(gè)金屬鋁的字線39，一個(gè)金屬鋁的位線36，以及一個(gè)金屬鋁的字線39和一個(gè)金屬鋁的位線36之間相連的一個(gè)已熔斷的鎳鉻金屬熔絲38，構(gòu)成一個(gè)鎳鉻金屬熔絲已熔斷的只讀存儲(chǔ)單元。
上述一個(gè)鎳鉻金屬熔絲已熔斷的只讀存儲(chǔ)單元與上述一個(gè)鎳鉻金屬熔絲未熔斷的只讀存儲(chǔ)單元在讀出時(shí)，分別表示相反的邏輯，如果鎳鉻金屬熔絲未熔斷的存儲(chǔ)單元讀出時(shí)表示敷據(jù)1，則鎳鉻金屬熔絲已熔斷的存儲(chǔ)單元讀出時(shí)表示數(shù)據(jù)0，如果鎳鉻金屬熔絲未熔斷的存儲(chǔ)單元讀出時(shí)表示數(shù)據(jù)0，則鎳鉻金屬熔絲已熔斷的存儲(chǔ)單元讀出時(shí)表示數(shù)據(jù)1。
假設(shè)鎳鉻金屬熔絲未熔斷的存儲(chǔ)單元讀出時(shí)表示數(shù)據(jù)1，則鎳鉻金屬熔絲已熔斷的存儲(chǔ)單元讀出時(shí)表示數(shù)據(jù)0，本發(fā)明的金屬熔絲只讀存儲(chǔ)器制造時(shí)，各存儲(chǔ)單元的鎳鉻金屬熔絲都未熔斷，讀出時(shí)都為數(shù)據(jù)1，假設(shè)一個(gè)金屬鋁的字線35與一個(gè)金屬鋁的位線36之間的鎳鉻金屬熔絲未熔斷，一個(gè)金屬鋁的字線39與一個(gè)金屬鋁的位線36之間的鎳鉻金屬熔絲未熔斷，讀出時(shí)都為數(shù)據(jù)1；如果進(jìn)行編程，在一個(gè)金屬鋁的字線35與一個(gè)金屬鋁的位線36所在的存儲(chǔ)單元寫入數(shù)據(jù)1，由字線驅(qū)動(dòng)電路24選擇一個(gè)金屬鋁的字線35，由位線驅(qū)動(dòng)電路28選擇一個(gè)金屬鋁的位線36，因?yàn)閷懭霐?shù)據(jù)1所以一個(gè)金屬鋁的字線35與一個(gè)金屬鋁的位線36之間不通電流，其鎳鉻金屬熔絲不熔斷，完成寫入數(shù)據(jù)1的操作；如果在一個(gè)金屬鋁的字線39與一個(gè)金屬鋁的位線36所在的存儲(chǔ)單元寫入數(shù)據(jù)0，則由字線驅(qū)動(dòng)電路24選擇一個(gè)金屬鋁的字線39，由位線驅(qū)動(dòng)電路28選擇一個(gè)金屬鋁的位線36，因?yàn)閷懭霐?shù)據(jù)0所以一個(gè)金屬鋁的字線39與一個(gè)金屬鋁的位線36之間通以一定電流，將其鎳鉻金屬熔絲熔斷，完成寫入數(shù)據(jù)0的操作。
如圖9所示一個(gè)金屬鋁的字線41在玻璃基片11的上表面，所述一個(gè)金屬鋁的字線41上有一個(gè)氧化鋁絕緣層44，所述一個(gè)氧化鋁絕緣層44上有一個(gè)金屬鋁的位線43，一個(gè)鎳鉻金屬熔絲42連接在所述一個(gè)金屬鋁的字線41和所述一個(gè)金屬鋁的位線43之間。
本發(fā)明的實(shí)施例2為組合基片掩膜只讀存儲(chǔ)器。
如圖10所示本發(fā)明的實(shí)施例2的已編程掩膜只讀存儲(chǔ)器的結(jié)構(gòu)原理如下掩膜只讀存儲(chǔ)單元矩陣電路57通過(guò)金屬鋁的字線53與字線驅(qū)動(dòng)電路51相連，字線驅(qū)動(dòng)電路51與字線驅(qū)動(dòng)外圍電路52相連，字線驅(qū)動(dòng)外圍電路52與電連接線63相連，掩膜只讀存儲(chǔ)單元矩陣電路57通過(guò)金屬鋁的位線56與位線驅(qū)動(dòng)電路55相連，位線驅(qū)動(dòng)電路55與位線驅(qū)動(dòng)外圍電路54相連，位線驅(qū)動(dòng)外圍電路54與電連接線64相連，掩膜只讀存儲(chǔ)單元矩陣電路57中的一個(gè)金屬鋁的字線59，一個(gè)金屬鋁的位線58，以及一個(gè)金屬鋁的字線59和一個(gè)金屬鋁的位線58之間相連的一個(gè)金屬鋁絲61構(gòu)成一個(gè)只讀存儲(chǔ)單元；掩膜只讀存儲(chǔ)單元矩陣電路57中的一個(gè)金屬鋁的字線62，一個(gè)金屬鋁的位線58，一個(gè)金屬鋁的字線62和一個(gè)金屬鋁的位線58之間無(wú)金屬鋁絲相連構(gòu)成一個(gè)只讀存儲(chǔ)單元。
讀出時(shí)，上述兩個(gè)存儲(chǔ)單元分別表示相反的邏輯，如果字線與位線之間連有金屬鋁絲的存儲(chǔ)單元讀出時(shí)表示數(shù)據(jù)1，則字線與位線之間未連有金屬絲的存儲(chǔ)單元讀出時(shí)表示數(shù)據(jù)0，如果字線與位線之間連有金屬絲的存儲(chǔ)單元讀出時(shí)表示數(shù)據(jù)0，則字線與位線之間未連有金屬鋁絲的存儲(chǔ)單元讀出時(shí)表示數(shù)據(jù)1；其存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)是通過(guò)掩膜在制造時(shí)寫入，在制造好后其存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)不能更改，只能讀出。
如圖11所示一個(gè)金屬鋁的字線72在一個(gè)玻璃基片71上，所述一個(gè)金屬鋁的字線72上有一個(gè)氧化鋁絕緣層73、一個(gè)氧化鋁絕緣層75、一個(gè)氧化鋁絕緣層79，所述一個(gè)氧化鋁絕緣層73上有一個(gè)金屬鋁的位線74，所述一個(gè)氧化鋁絕緣層75上有一個(gè)金屬鋁的位線76，所述一個(gè)氧化鋁絕緣層79上有一個(gè)金屬鋁的位線78；所述一個(gè)金屬鋁的字線72與所述一個(gè)金屬鋁的位線78之間有一個(gè)金屬鋁線77相連，所述一個(gè)金屬鋁的字線72與所述一個(gè)金屬鋁的位線74之間無(wú)金屬鋁線相連；所述一個(gè)金屬鋁的字線72與所述一個(gè)金屬鋁的位線76之間無(wú)金屬鋁線相連。
如圖12(a)-(c)所示為本發(fā)明的實(shí)施例1的一個(gè)制造實(shí)施例的幾個(gè)平面示意圖，表明制造的步驟，包括以下步驟(1)制備如圖10(a)所示的單晶硅基片81，單晶硅基片82，玻璃基片83；(2)玻璃基片83的兩個(gè)相鄰側(cè)面分別與單晶硅基片81的一個(gè)側(cè)面和單晶硅基片82的一個(gè)側(cè)面拼成如圖10(b)所示的平面結(jié)構(gòu)；(3)玻璃基片83的兩個(gè)相鄰側(cè)面分別與單晶硅基片81的一個(gè)側(cè)面和單晶硅基片82的一個(gè)側(cè)面熱熔結(jié)合；(4)把上述基片表面拋光；(5)上述基片經(jīng)過(guò)氧化，掩膜，光刻，蝕刻，表面引線等過(guò)程，形成如圖10(c)所示半成品；在單晶硅基片81上形成字線驅(qū)動(dòng)電路85、字線驅(qū)動(dòng)外圍電路84，在單晶硅基片82上形成位線驅(qū)動(dòng)電路92、位線驅(qū)動(dòng)外圍電路91，在玻璃基片83上形成鎳鉻金屬熔絲只讀存儲(chǔ)單元矩陣電路88，鎳鉻金屬熔絲只讀存儲(chǔ)單元矩陣電路88通過(guò)金屬鋁的字線87與字線驅(qū)動(dòng)電路85相連，字線驅(qū)動(dòng)電路85與字線驅(qū)動(dòng)外圍電路84相連，鎳鉻金屬熔絲只讀存儲(chǔ)單元矩陣電路88通過(guò)金屬鋁的位線93與位線驅(qū)動(dòng)電路92相連，位線驅(qū)動(dòng)電路92與位線驅(qū)動(dòng)外圍電路91相連；(6)把上述制好的半成品連接引線，封裝。
本發(fā)明的實(shí)施例2的制造方法和過(guò)程與本發(fā)明的實(shí)施例1的制造方法和過(guò)程相似，只有一點(diǎn)不同，是在制造時(shí)通過(guò)掩膜、蝕刻工序把只讀存儲(chǔ)單元編程。
權(quán)利要求
1．一種組合基片只讀存儲(chǔ)器，具有單晶硅基片和只讀存儲(chǔ)單元矩陣電路和位于單晶硅基片上的字線驅(qū)動(dòng)電路、字線驅(qū)動(dòng)外圍電路、位線驅(qū)動(dòng)電路、位線驅(qū)動(dòng)外圍電路；所述只讀存儲(chǔ)單元矩陣電路的字線與所述字線驅(qū)動(dòng)電路相連，所述只讀存儲(chǔ)單元矩陣電路的位線與所述位線驅(qū)動(dòng)電路相連，其特征在于還具有一絕緣材料基片；所述單晶硅基片包括第一單晶硅基片和第二單晶硅基片；所述一絕緣材料基片的兩個(gè)相鄰側(cè)面分別與所述第一單晶硅基片的一個(gè)側(cè)面和所述第二單晶硅基片的一個(gè)側(cè)面結(jié)合，所述一絕緣材料基片的上表面與所述第一單晶硅基片的上表面和所述第二單晶硅基片的上表面處于同一平面，所述一絕緣材料基片的上表面與所述第一單晶硅基片的上表面相接，所述一絕緣材料基片的上表面與所述第一單晶硅基片的上表面在相接處平滑過(guò)渡，所述一絕緣材料基片的上表面與所述第二單晶硅基片的上表面相接，所述一絕緣材料基片的上表面與所述第二單晶硅基片的上表面在相接處平滑過(guò)渡；所述只讀存儲(chǔ)單元矩陣電路的只讀存儲(chǔ)單元包括一字線，所述一字線與其他字線平行，一金屬氧化物絕緣層在所述一字線上，一位線在所述一金屬氧化物絕緣層上，所述一位線與其他字線平行，所述一字線與所述一位線之間有一金屬絲相連；所述只讀存儲(chǔ)單元矩陣電路在所述一絕緣基片上，所述字線驅(qū)動(dòng)電路、字線驅(qū)動(dòng)外圍電路在所述第一單晶硅基片上，所述位線驅(qū)動(dòng)電路、位線驅(qū)動(dòng)外圍電路在所述第二單晶硅基片上，所述字線驅(qū)動(dòng)電路與所述字線驅(qū)動(dòng)外圍電路相連，所述位線驅(qū)動(dòng)電路與所述位線驅(qū)動(dòng)外圍電路相連。
2．如權(quán)利要求1所述的一種組合基片只讀存儲(chǔ)器，其特征在于所述一絕緣材料基片為玻璃基片或石英基片或藍(lán)寶石基片。
3．如權(quán)利要求1所述的一種組合基片只讀存儲(chǔ)器，其特征在于所述只讀存儲(chǔ)單元矩陣電路的只讀存儲(chǔ)單元，包括一金屬鋁的字線，所述一金屬鋁的字線與其他金屬鉬的字線平行，一氧化鋁絕緣層在所述一金屬鋁的字線上，一金屬鋁的位線在所述一氧化鋁絕緣層上，所述一金屬鋁的位線與其他金屬鋁的位線平行，所述一金屬鋁的字線和所述一金屬鋁的位線之間有一鎳鉻金屬絲相連。
4．如權(quán)利要求1所述的一種組合基片只讀存儲(chǔ)器，其特征在于所述只讀存儲(chǔ)單元矩陣電路的只讀存儲(chǔ)單元，包括一金屬鋁的字線，所述一金屬鋁的字線與其他金屬鋁的字線平行，一氧化鋁絕緣層在所述一金屬鋁的字線上，一金屬鋁的位線在所述一氧化鋁絕緣層上，所述一金屬鋁的位線與其他金屬鋁的位線平行，所述一金屬鋁的字線和所述一金屬鋁的位線之間有一金屬鋁絲相連。
5．如權(quán)利要求1所述的一種組合基片只讀存儲(chǔ)器，其特征在于所述第一單晶硅基片上的字線驅(qū)動(dòng)外圍電路還與電連接線相連，所述第二單晶硅基片上的位線驅(qū)動(dòng)外圍電路還與電連接線相連。
6．一種形成如權(quán)利要求1和權(quán)利要求2所述的一種組合基片只讀存儲(chǔ)器的方法，其特征在于包括以下步驟(1)制備兩個(gè)單晶硅基片和一個(gè)玻璃基片；(2)把所述一個(gè)玻璃基片的兩個(gè)相鄰側(cè)面分別與所述兩個(gè)單晶硅基片中的第一個(gè)單晶硅基片的一個(gè)側(cè)面和所述兩個(gè)單晶硅基片中的第二個(gè)單晶硅基片的一個(gè)側(cè)面拼和；(3)所述一個(gè)玻璃基片的兩個(gè)相鄰側(cè)面分別與所述兩個(gè)單晶硅基片中的第一個(gè)單晶硅基片的一個(gè)側(cè)面和所述兩個(gè)單晶硅基片中的第二個(gè)單晶硅基片的一個(gè)側(cè)面熱熔結(jié)合；(4)拋光上述基片表面；(5)把上述基片經(jīng)過(guò)氧化，掩膜，蝕刻，離子注入，表面布線等工序，在所述兩個(gè)單晶硅基片中的第一個(gè)單晶硅基片上形成字線驅(qū)動(dòng)電路、字線驅(qū)動(dòng)外圍電路，所述兩個(gè)單晶硅基片中的第二個(gè)單晶硅基片上形成位線驅(qū)動(dòng)電路、位線驅(qū)動(dòng)外圍電路，所述一個(gè)玻璃基片上形成所述只讀存儲(chǔ)單元矩陣電路。
全文摘要
一種組合基片只讀存儲(chǔ)器,具有第一、第二單晶硅基片和一絕緣材料基片,以及位于第一單晶硅基片上的字線驅(qū)動(dòng)電路、字線驅(qū)動(dòng)外圍電路,位于第二單晶硅基片上的位線驅(qū)動(dòng)電路、位線驅(qū)動(dòng)外圍電路,位于所述一絕緣材料基片上的只讀存儲(chǔ)單元矩陣電路,所述一絕緣材料基片的兩個(gè)相鄰側(cè)面分別與所述第一單晶硅基片的一個(gè)側(cè)面和所述第二單晶硅基片的一個(gè)側(cè)面結(jié)合。本只讀存儲(chǔ)器具有省硅的特點(diǎn)。
文檔編號(hào)H01L27/02GK1211824SQ9710768
公開日1999年3月24日 申請(qǐng)日期1997年9月18日 優(yōu)先權(quán)日1997年9月18日
發(fā)明者于翔 申請(qǐng)人:于翔