只讀存儲器的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，具體而言，涉及一種只讀存儲器(Read OnlyMemory, ROM)。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，相關(guān)技術(shù)中的只讀存儲器(ROM)的結(jié)構(gòu)如圖1所示，包括晶體管102至晶體管110，并通過反相器112連接輸出端D0UT。在對該ROM進(jìn)行讀操作時需要對位線進(jìn)行預(yù)充電，這樣使得在前幾個周期上出現(xiàn)錯誤，此外，由于每次需要進(jìn)行預(yù)充電，使得只讀存儲器在執(zhí)行讀操作時出現(xiàn)嚴(yán)重的延時，導(dǎo)致讀取ROM的速度較慢。
[0003]針對上述的問題，目前尚未提出有效的解決方案。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明實施例提供了一種只讀存儲器，以至少現(xiàn)有技術(shù)中需要預(yù)充電所導(dǎo)致的讀取ROM的速度較慢的技術(shù)問題。
[0005]根據(jù)本發(fā)明實施例的一個方面，提供了一種只讀存儲器，包括:單元陣列，包括字線、位線，與上述字線和上述位線連接的晶體管；充電電路，位于上述單元陣列外部，與電源端和上述位線連接，用于在上述位線方向上對上述單元陣列進(jìn)行充電。
[0006]可選地，上述充電電路包括:第一晶體管和第二晶體管，其中，上述第一晶體管的柵極與接地端連接，上述第二晶體管的柵極與上述接地端或與控制輸入端連接，上述第一晶體管的漏極與上述電源端連接，上述第一晶體管的源極與上述第二晶體管的漏極連接，上述第二晶體管的源極與上述位線連接。
[0007]可選地，在上述第二晶體管的柵極與上述控制輸入端連接的情況下，上述第一晶體管為一個，上述第二晶體管為多個，多個上述第二晶體管中的每一個的柵極均與上述控制輸入端連接，上述第一晶體管的源極與多個上述第二晶體管中的每一個的漏極連接，多個上述第二晶體管中的每一個的源極與上述位線連接。
[0008]可選地，上述位線為N條，上述第二晶體管為N個，其中，上述多個上述第二晶體管中的每一個的源極與上述位線連接包括:N個上述第二晶體管中的每一個的源極分別連接N條上述位線中的一條。
[0009]可選地，上述第一晶體管為低壓晶體管，上述第二晶體管為高壓晶體管。
[0010]可選地，上述第一晶體管和上述第二晶體管均為長溝道型晶體管。
[0011]可選地，上述位線通過使能部件與輸出端連接，其中，上述使能部件用于使能上述充電電路在上述位線方向上對上述單元陣列進(jìn)行自動充電。
[0012]可選地，上述使能部件包括:第三晶體管，上述第三晶體管的漏極與上述電源端連接，上述第三晶體管的柵極與第一使能控制端連接，上述第三晶體管的源極與上述輸出端和上述位線連接。
[0013]可選地，上述第三晶體管的源極與上述位線連接包括:
[0014]上述第三晶體管的源極與第四晶體管的漏極連接，上述第四晶體管的柵極與第二使能控制端連接，上述第四晶體管的源極與第五晶體管的漏極連接，上述第五晶體管的柵極與第三使能控制端連接，上述第五晶體管的源極與上述位線連接。
[0015]可選地，每一條上述位線與一個上述使能部件連接。
[0016]在本發(fā)明實施例中，采用位于單元陣列外部的充電電路在位線方向上對單元陣列進(jìn)行充電，解決了現(xiàn)有技術(shù)中需要預(yù)充電所導(dǎo)致的讀取ROM的速度較慢的技術(shù)問題，達(dá)到了提高讀取ROM的速度、且沒有增加芯片的尺寸和沒有影響平均有效電流的技術(shù)效果。
【附圖說明】
[0017]此處所說明的附圖用來提供對本發(fā)明的進(jìn)一步理解，構(gòu)成本申請的一部分，本發(fā)明的示意性實施例及其說明用于解釋本發(fā)明，并不構(gòu)成對本發(fā)明的不當(dāng)限定。在附圖中:
[0018]圖1是根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的一種只讀存儲器的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0019]圖2是根據(jù)本發(fā)明實施例的一種可選的只讀存儲器的示意圖；
[0020]圖3是根據(jù)本發(fā)明實施例的另一種可選的只讀存儲器的示意圖；以及
[0021]圖4是根據(jù)本發(fā)明實施例的又一種可選的只讀存儲器的示意圖。
【具體實施方式】
[0022]為了使本技術(shù)領(lǐng)域的人員更好地理解本發(fā)明方案，下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分的實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都應(yīng)當(dāng)屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0023]需要說明的是，本發(fā)明的說明書和權(quán)利要求書及上述附圖中的術(shù)語“第一”、“第二”等是用于區(qū)別類似的對象，而不必用于描述特定的順序或先后次序。應(yīng)該理解這樣使用的數(shù)據(jù)在適當(dāng)情況下可以互換，以便這里描述的本發(fā)明的實施例能夠以除了在這里圖示或描述的那些以外的順序?qū)嵤?。此外，術(shù)語“包括”和“具有”以及他們的任何變形，意圖在于覆蓋不排他的包含，例如，包含了一系列步驟或單元的過程、方法、系統(tǒng)、產(chǎn)品或設(shè)備不必限于清楚地列出的那些步驟或單元，而是可包括沒有清楚地列出的或?qū)τ谶@些過程、方法、產(chǎn)品或設(shè)備固有的其它步驟或單元。
[0024]根據(jù)本發(fā)明實施例，還提供了一種只讀存儲器，如圖2所示，該裝置包括:
[0025]1)單元陣列，包括字線、位線，與字線和位線連接的晶體管；
[0026]2)充電電路，位于單元陣列外部，與電源端和位線連接，用于在位線方向上對單元陣列進(jìn)行充電。
[0027]可選地，如圖2所示，單元陣列包括字線(WL, Word Line),位線(BL, Bit Line),及與字線(WL)和位線(BL)連接的晶體管(Tr.,Transistor)?？蛇x地,在本實施例中的字線(WL)和位線(BL)包括但不限于一條或多條，其中，字線(WL)和位線(BL)的編號為0至n+1
中的任意一個數(shù)字。
[0028]可選地，在本實施例中充電電路包括但不限于:第一晶體管202和第二晶體管204
[0029]例如，如圖2所示，單元陣列為圖2左側(cè)框中的電路組合WL〈0>?WL〈n+l>，充電電路位于單元陣列外部，電源VCC通過充電電路，將電流控制到預(yù)定閾值后，在位線(BL)方向上對單元陣列進(jìn)行充電。
[0030]在本發(fā)明實施例中，采用位于單元陣列外部的充電電路在位線方向上對單元陣列進(jìn)行充電，解決了現(xiàn)有技術(shù)中需要預(yù)充電所導(dǎo)致的讀取ROM的速度較慢的技術(shù)問題，達(dá)到了提高讀取ROM的速度、且沒有增加芯片的尺寸和沒有影響平均有效電流的技術(shù)效果。
[0031]可選地，如圖3所示，充電電路包括:第一晶體管和第二晶體管，其中，第一晶體管的柵極與接地端連接，第二晶體管的柵極與接地端或與控制輸入端連接，第一晶體管的漏極與電源端連接，第一晶體管的源極與第二晶體管的漏極連接，第二晶體管的源極與位線連接。
[0032]可選地，在本實施例中的第一晶體管和第二晶體管可以為一個或多個。
[0033]例如，如圖3所7K,充電電路中有一個第一晶體管202和一個第二晶體管204,所有位線(BL)均通過一個PM0S晶體管與充電電路連接，實現(xiàn)實時充電。其中，第一晶體管202的柵極(G極)與接地端連接，第二晶體管的柵極(G極)與接地端或與控制輸入端連接，第一晶體管的漏極(D極)與電源端連接，第一晶體管的源極(S極)與第二晶體管的漏極(D極)連接，第二晶體管的源極(S極)與位線(WL)連接。
[0034]例如，如圖3所示，充電電路中利用被選中的字線(WL)和位線(BL)的電平轉(zhuǎn)換實現(xiàn)控制數(shù)據(jù)輸出，或者沒有選中位線(BL)，實現(xiàn)保持電源VCC的電壓。
[0035]在本發(fā)明實施例中，通過充電電路中的第一晶體管和第二晶體管實現(xiàn)連續(xù)供電，解決了現(xiàn)有技術(shù)中的讀寫延時，在不改變芯片尺寸，不影響有效電流的前提下，提高了只讀存儲器的讀取速度。
[0036]可選地，在第