一種存儲器的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及存儲器技術(shù)。
【背景技術(shù)】
[0002]通常的存儲器，如包含有源存儲單元電路的隨機(jī)存儲器、只讀存儲器和閃存，包含無源存儲單元電路的電阻存儲器，相變存儲器等存儲器，是制造在整塊單晶硅基片上的，其存儲單元電路、驅(qū)動電路、外圍電路等都位于一個單晶硅基片上。如中國專利申請?zhí)枮椤?2109280.6”所公開的一種掩膜只讀存儲器，中國專利申請?zhí)枮椤?01010175802.8”所公開的多層交叉點電阻存儲器及制造方法等都是電路集成在一個單晶硅基片上，這樣雖然較易制作，但是將耗用較大面積的單晶硅基片，成本較高。
[0003]而如中國專利申請?zhí)枮椤?7107683.9”所公開的組合基片只讀存儲器及其制造方法，其為包含無源存儲單元電路的存儲器，結(jié)構(gòu)如圖1所示，截面圖如圖2所示，組合基片只讀存儲器，具有第一單晶硅基片5、第二單晶硅基片5和絕緣基片4，以及位于第一單晶硅基片5上的字線驅(qū)動電路及字線驅(qū)動外圍電路(第一電路單元6)，位于第二單晶硅基片5上的位線驅(qū)動電路及位線驅(qū)動外圍電路(第二電路單元6)，位于所述絕緣基片4上的無源存儲單元矩陣電路1，所述絕緣基片4的兩個相鄰側(cè)面分別與所述第一單晶硅基片5的一個側(cè)面和所述第二單晶硅基片5的一個側(cè)面結(jié)合，字線驅(qū)動電路及位線驅(qū)動電路(電路單元6)通過引線排2分別連接無源存儲單元矩陣電路I中的金屬字線及金屬位線。第一單晶硅基片5、字線驅(qū)動電路及字線驅(qū)動外圍電路(第一電路單元6)組成的字線控制部分可稱為第一控制芯片，第二單晶硅基片5、位線驅(qū)動電路及位線驅(qū)動外圍電路(第二電路單元6)組成的位線控制部分可稱為第二控制芯片。其雖然無源存儲單元矩陣電路下方不占用單晶硅基片，但是由于需要將絕緣基片4的兩個相鄰側(cè)面分別與所述第一單晶硅基片5的一個側(cè)面和所述第二單晶硅基片5的一個側(cè)面結(jié)合，而由于分為第一單晶硅基片5和第二單晶硅基片5后，每個單晶硅基片5則為長條形的基片，其側(cè)面較窄，絕緣基片4的側(cè)面也相對于其上下面較窄，將單晶硅基片5的側(cè)面與絕緣基片4的側(cè)面相結(jié)合制作較為困難。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的是要克服包含無源存儲單元電路的存儲器耗用較大面積的單晶硅基片，而組合基片只讀存儲器制作困難的缺點，提供一種存儲器。
[0005]本發(fā)明解決其技術(shù)問題，采用的技術(shù)方案是，一種存儲器，包括絕緣基片、無源存儲單元矩陣電路、引線排及至少一個控制芯片，無源存儲單元矩陣電路和引線排在絕緣基片上表面，控制芯片通過引線排與無源存儲單元矩陣電路連接，其特征在于，所述控制芯片倒裝在絕緣基片上表面。
[0006]具體的，所述控制芯片包括單晶硅基片及電路單元，所述電路單元設(shè)置在單晶硅基片上，電路單元通過引線排與無源存儲單元矩陣電路連接。
[0007]進(jìn)一步的，所述控制芯片倒裝在絕緣材料基片上表面是指:控制芯片的電路單元與絕緣基片上表面相接觸。
[0008]具體的，所述無源存儲單元矩陣電路包括金屬字線、金屬位線及金屬字線與金屬位線之間的導(dǎo)電材料，所述金屬字線及金屬位線分別與引線排連接。
[0009]再進(jìn)一步的，所述引線排為金屬引線排。
[0010]具體的，所述絕緣基片為塑料基片。
[0011]再進(jìn)一步的，所述絕緣基片為玻璃基片。
[0012]在本發(fā)明方案中，由于無源存儲單元矩陣電路和無源存儲單元矩陣電路延長線在絕緣材料基片上表面，不占用單晶硅基片，其可以節(jié)省大量單晶硅基片，控制芯片倒裝在絕緣材料基片上表面，制造比較容易。
【附圖說明】
[0013]圖1是現(xiàn)有組合基片只讀存儲器的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0014]圖2是現(xiàn)有組合基片只讀存儲器的截面示意圖。
[0015]圖3是本發(fā)明實施例中存儲器的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0016]圖4是本發(fā)明實施例中存儲器的截面示意圖。
[0017]圖5是本發(fā)明另一實施例中存儲器的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0018]其中，I為無源存儲單元矩陣電路，2為引線排，3為控制芯片，4為絕緣基片，5為單晶娃基片，6為電路單兀。
【具體實施方式】
[0019]下面結(jié)合實施例及附圖，詳細(xì)描述本發(fā)明的技術(shù)方案。
[0020]本發(fā)明的存儲器，由至少一個控制芯片3及位于絕緣基片4上的無源存儲單元矩陣電路I以及引線排2組成，與現(xiàn)有技術(shù)不同在于，控制芯片3倒裝在絕緣基片4上并通過引線排2與無源存儲單元矩陣電路I連接。
[0021]實施例
[0022]本發(fā)明實施例的存儲器的結(jié)構(gòu)示意圖如圖3，其截面示意圖如圖4。該存儲器由兩個控制芯片3及位于絕緣基片4上的無源存儲單元矩陣電路I和引線排2組成。
[0023]與現(xiàn)有技術(shù)相同，無源存儲單元矩陣電路I和引線排2位于絕緣基片4上，無源存儲單元矩陣電路I包括金屬字線、金屬位線及金屬字線與金屬位線之間的導(dǎo)電材料，金屬字線及金屬位線分別與引線排2連接，控制芯片3包括單晶硅基片5及電路單元6，電路單元6設(shè)置在單晶硅基片5上，電路單元6通過引線排2與無源存儲單元矩陣電路I連接。這里的電路單元6可以包括字線驅(qū)動電路和/或位線驅(qū)動電路及相應(yīng)的外圍電路等，引線排2可以為金屬引線排，絕緣基片4為塑料基片或玻璃基片。
[0024]與現(xiàn)有技術(shù)不同在于，控制芯片3倒裝在絕緣基片4上表面，即電路單元6與絕緣基片4上表面相接觸，也就是說，若以絕緣基片4為底，則絕緣基片4在最下方，電路單元6在絕緣基片4上表面，電路單元6上方為單晶硅基片5，電路單元6通過引線排2與無源存儲單元矩陣電路I連接。
[0025]當(dāng)然，控制芯片3也可以為一個，其結(jié)構(gòu)示意圖可以如圖5所示但并不限于圖5所示的形狀及排版方式，只需要達(dá)到無源存儲單元矩陣電路I和引線排2位于絕緣基片4上，控制芯片3倒裝在絕緣基片4上表面，并通過引線排2與無源存儲單元矩陣電路I連接即可。
[0026]由于制作無源存儲單元矩陣電路I及制作控制芯片3的方法均屬于現(xiàn)有技術(shù)，因此此處不再詳述。
[0027]由于本發(fā)明在絕緣基片4上制作無源存儲單元矩陣電路1，在單晶硅基片5上制作控制芯片3，最后將制作完成的控制芯片3固定在絕緣基片4上，這樣就避免了現(xiàn)有技術(shù)中控制芯片3中的單晶硅基片5較窄的側(cè)面與絕緣基片4較窄的側(cè)面結(jié)合相對麻煩的問題。
【主權(quán)項】
1.一種存儲器，包括絕緣基片、無源存儲單元矩陣電路、引線排及至少一個控制芯片，無源存儲單元矩陣電路和引線排在絕緣基片上表面，控制芯片通過引線排與無源存儲單元矩陣電路連接，其特征在于，所述控制芯片倒裝在絕緣基片上表面。
2.如權(quán)利要求1所述的一種存儲器，其特征在于，所述控制芯片包括單晶硅基片及電路單元，所述電路單元設(shè)置在單晶硅基片上，電路單元通過引線排與無源存儲單元矩陣電路連接。
3.如權(quán)利要求1所述的一種存儲器，其特征在于，所述無源存儲單元矩陣電路包括金屬字線、金屬位線及金屬字線與金屬位線之間的導(dǎo)電材料，所述金屬字線及金屬位線分別與引線排連接。
4.如權(quán)利要求1所述的一種存儲器，其特征在于，所述引線排為金屬引線排。
5.如權(quán)利要求1或2或3或4所述的一種存儲器，其特征在于，所述絕緣基片為塑料基片。
6.如權(quán)利要求1或2或3或4所述的一種存儲器，其特征在于，所述絕緣基片為玻璃基片。
【專利摘要】本發(fā)明涉及存儲器技術(shù)。本發(fā)明解決了現(xiàn)有包含無源存儲單元電路的存儲器耗用較大面積的單晶硅基片，而組合基片只讀存儲器制作困難的問題，提供了一種存儲器，其技術(shù)方案可概括為：一種存儲器，包括絕緣基片、無源存儲單元矩陣電路、引線排及至少一個控制芯片，無源存儲單元矩陣電路和引線排在絕緣基片上表面，控制芯片通過引線排與無源存儲單元矩陣電路連接，所述控制芯片倒裝在絕緣基片上表面。本發(fā)明的有益效果是，制造比較容易，適用于只讀存儲器。
【IPC分類】H01L25-18
【公開號】CN104810361
【申請?zhí)枴緾N201510217386
【發(fā)明人】于翔
【申請人】于翔
【公開日】2015年7月29日
【申請日】2015年4月30日