本技術(shù)涉及真空滅弧室領(lǐng)域，具體涉及一種真空滅弧室的外殼組件和真空滅弧室。

背景技術(shù)：

1、現(xiàn)有技術(shù)中，真空滅弧室的外殼組件的屏蔽筒的固定方式存在焊接和鉚接兩種形式。將屏蔽筒焊接在外殼的內(nèi)腔臺階上，外殼內(nèi)腔臺階需要增加涂覆金屬化，不僅工藝復(fù)雜且外殼內(nèi)腔臺階金屬化產(chǎn)生集中的電場靠近外殼內(nèi)壁，容易放電導(dǎo)致外殼擊穿，滅弧室失效的致命性問題；鉚接固定屏蔽筒工藝方式往往會產(chǎn)生一個尖端靠近外殼內(nèi)腔，同樣會產(chǎn)生一個較強的電場集中導(dǎo)致瓷殼擊穿現(xiàn)象。

2、因此，為降低外殼擊穿風險，提高產(chǎn)品耐壓性能，設(shè)計一種新型真空滅弧室外殼組件是必要的。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、為此，本實用新型為解決上述問題，提供一種真空滅弧室的外殼組件和真空滅弧室。

2、為實現(xiàn)上述目的，本實用新型提供的技術(shù)方案如下：

3、一種真空滅弧室的外殼組件，包括絕緣外殼和設(shè)置于絕緣外殼內(nèi)的屏蔽筒，所述絕緣外殼的內(nèi)壁凸起有環(huán)形的凸臺，所述凸臺具有上斜面、下斜面以及位于上斜面和下斜面之間的導(dǎo)向過渡面；所述屏蔽筒具有上端斜搭面、中段連接部和下端限位部，所述屏蔽筒的上端斜搭面搭接在凸臺的上斜面上，所述中段連接部與導(dǎo)向過渡面相對應(yīng)，所述下端限位部為分布在屏蔽筒外周的多個定位凸苞，多個定位凸苞均抵接在凸臺的下斜面上并形成過盈配合。

4、進一步的，多個定位凸苞沿屏蔽筒外周均勻分布。

5、進一步的，所述定位凸苞由屏蔽筒一體沖壓而成。

6、進一步的，所述凸臺的導(dǎo)向過渡面為豎直圓柱面。

7、進一步的，所述中段連接部與導(dǎo)向過渡面具有一定間距。

8、進一步的，所述中段連接部為豎直圓柱段。

9、進一步的，所述凸臺具有上斜面的斜度大于所述下斜面的斜度。

10、進一步的，所述屏蔽筒的上端斜搭面的斜度與凸臺的上斜面的斜度相同，以使上端斜搭面與上斜面形成面與面的接觸搭接。

11、進一步的，所述絕緣外殼為瓷殼。

12、一種真空滅弧室，包括外殼組件和設(shè)置在外殼組件內(nèi)的動觸頭和靜觸頭，所述動觸頭和靜觸頭位于屏蔽筒內(nèi)，其中，所述外殼組件為上述所述的真空滅弧室的外殼組件。

13、通過本實用新型提供的技術(shù)方案，具有如下有益效果：

14、絕緣外殼和屏蔽筒之間采用上端斜搭面搭接在凸臺的上斜面上，中段連接部與導(dǎo)向過渡面相對應(yīng)，以及下端限位部的多個定位凸苞均抵接在凸臺的下斜面上并形成過盈配合的裝配方式，無需采用現(xiàn)有技術(shù)中的焊接固定和鉚接固定，也可達到屏蔽筒在絕緣外殼內(nèi)緊固配合的效果，有效降低外殼(即絕緣外殼)擊穿風險，提高產(chǎn)品耐壓性能。

技術(shù)特征：

1.一種真空滅弧室的外殼組件，包括絕緣外殼和設(shè)置于絕緣外殼內(nèi)的屏蔽筒，其特征在于：所述絕緣外殼的內(nèi)壁凸起有環(huán)形的凸臺，所述凸臺具有上斜面、下斜面以及位于上斜面和下斜面之間的導(dǎo)向過渡面；所述屏蔽筒具有上端斜搭面、中段連接部和下端限位部，所述屏蔽筒的上端斜搭面搭接在凸臺的上斜面上，所述中段連接部與導(dǎo)向過渡面相對應(yīng)，所述下端限位部為分布在屏蔽筒外周的多個定位凸苞，多個定位凸苞均抵接在凸臺的下斜面上并形成過盈配合。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空滅弧室的外殼組件，其特征在于：多個定位凸苞沿屏蔽筒外周均勻分布。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的真空滅弧室的外殼組件，其特征在于：所述定位凸苞由屏蔽筒一體沖壓而成。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空滅弧室的外殼組件，其特征在于：所述凸臺的導(dǎo)向過渡面為豎直圓柱面。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或4所述的真空滅弧室的外殼組件，其特征在于：所述中段連接部與導(dǎo)向過渡面具有一定間距。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的真空滅弧室的外殼組件，其特征在于：所述中段連接部為豎直圓柱段。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空滅弧室的外殼組件，其特征在于：所述凸臺具有上斜面的斜度大于所述下斜面的斜度。

8.根據(jù)權(quán)利要求1或7所述的真空滅弧室的外殼組件，其特征在于：所述屏蔽筒的上端斜搭面的斜度與凸臺的上斜面的斜度相同，以使上端斜搭面與上斜面形成面與面的接觸搭接。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空滅弧室的外殼組件，其特征在于：所述絕緣外殼為瓷殼。

10.一種真空滅弧室，包括外殼組件和設(shè)置在外殼組件內(nèi)的動觸頭和靜觸頭，所述動觸頭和靜觸頭位于屏蔽筒內(nèi)，其特征在于：所述外殼組件為權(quán)利要求1至9任一所述的真空滅弧室的外殼組件。

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)提供一種一種真空滅弧室的外殼組件和真空滅弧室，包括絕緣外殼和設(shè)置于絕緣外殼內(nèi)的屏蔽筒，所述絕緣外殼的內(nèi)壁凸起有環(huán)形的凸臺，所述凸臺具有上斜面、下斜面以及位于上斜面和下斜面之間的導(dǎo)向過渡面；所述屏蔽筒具有上端斜搭面、中段連接部和下端限位部，所述屏蔽筒的上端斜搭面搭接在凸臺的上斜面上，所述中段連接部與導(dǎo)向過渡面相對應(yīng)，所述下端限位部為分布在屏蔽筒外周的多個定位凸苞，多個定位凸苞均抵接在凸臺的下斜面上并形成過盈配合；從而實現(xiàn)屏蔽筒固定裝配于絕緣外殼內(nèi)，有效降低外殼擊穿風險，提高產(chǎn)品耐壓性能。

技術(shù)研發(fā)人員：何躍,張騰飛,林智輝,陳柏良,黃福欽,陳東升,張偉
受保護的技術(shù)使用者：廈門宏發(fā)電力電器有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240430
技術(shù)公布日：2025/1/9