本發(fā)明涉及電路板，特別是涉及一種埋入半導(dǎo)體晶體的方法及pcb板。

背景技術(shù)：

1、射線(ray)是由各種放射性核素，或者原子、電子、中子等粒子在能量交換過程中發(fā)射出的、具有特定能量的粒子束或光子束流。常見的有的α射線、β射線、γ射線、x射線和中子射線等。

2、醫(yī)療工控安防等需要接觸射線領(lǐng)域的場景，為了達到射線防護的效果，常常需要使用較厚的金屬板，例如鉛板等實現(xiàn)對x射線的阻擋，但對于電子設(shè)備，則較難起到射線防護作用，極端條件下，射線有可能損壞電子設(shè)備或芯片。

3、而半導(dǎo)體晶體具有很好的射線吸收功能。射線在半導(dǎo)體中會產(chǎn)生電子-空穴對，由于晶體將射線粒子流全部吸收轉(zhuǎn)換為電信號，不能被射線穿透，因而具有射線防護作用。因此，如何埋入將半導(dǎo)體晶體埋入pcb板中，提高產(chǎn)品可靠性成為需要解決的技術(shù)問題。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本申請為了解決現(xiàn)有技術(shù)中電子設(shè)備容易射線損壞的技術(shù)問題，提出了一種埋入半導(dǎo)體晶體的方法及pcb板。

2、為解決上述技術(shù)問題，本申請?zhí)峁┝艘环N埋入半導(dǎo)體晶體的方法，包括：提供一種包裹有所述半導(dǎo)體晶體的裝配體以及至少一張芯板；在單張芯板或多張芯板壓合形成的板件上開設(shè)至少一個與所述裝配體尺寸相同的通槽；將所述裝配體放置于所述通槽內(nèi)，并在所述板件的相對兩側(cè)表面貼合一層半固化片，以將所述裝配體封裝于所述板件內(nèi)形成待裝配件。

3、其中，所述提供一種包裹有所述半導(dǎo)體晶體的裝配體的步驟具體包括：提供一種厚度不小于所述半導(dǎo)體晶體厚度的芯板；在所述芯板上開設(shè)凹槽，并將所述半導(dǎo)體晶體放置于所述芯板的凹槽中；利用膠水將所述半導(dǎo)體晶體與所述凹槽的內(nèi)壁固定，以形成所述裝配體；其中，所述膠水包含導(dǎo)電介質(zhì)。

4、其中，所述將所述裝配體放置于所述通槽內(nèi)之前，還包括：在所述通槽的四壁涂覆隔熱材料。

5、其中，所述半導(dǎo)體晶體包括碲化鎘或碲鋅鎘，所述半導(dǎo)體晶體的硬度不大于3。

6、其中，所述在單張芯板或多張芯板壓合形成的板件上開設(shè)至少一個與所述裝配體尺寸相同的通槽的步驟，包括：選取厚度不低于所述裝配體厚度的芯板，并在所述芯板上開設(shè)與所述裝配體尺寸相同的通槽；或，將多張所述芯板壓合成厚度不低于所述裝配體的板件，并在所述板件上開設(shè)與所述裝配體尺寸相同的通槽。

7、其中，所述將所述裝配體放置于所述板件的通槽內(nèi)，并在所述板件的相對兩側(cè)表面貼合一層半固化片，以將所述裝配體封裝于所述板件內(nèi)形成待裝配件的步驟之后還包括：在所述待裝配件的相對兩側(cè)表面對稱壓合多層芯板，得到具有防射線功能的pcb板。

8、其中，所述在所述待裝配件的相對兩側(cè)表面對稱壓合多層芯板，得到具有防射線功能的pcb板的步驟之后，還包括：在所述pcb板的底面設(shè)置與所述半導(dǎo)體晶體在垂直于所述pcb板方向上重疊的元器件，以避免所述元器件被穿過所述pcb板表面的射線損壞；其中，所述底面與所述表面為所述pcb板的相對兩側(cè)表面。

9、其中，所述在所述待裝配件的相對兩側(cè)表面對稱壓合多層芯板的步驟之前，包括：在所述半固化片的表面對應(yīng)所述裝配體的位置蝕刻出過孔，并在所述半固化片的表面制作線路銅層，以使所述線路銅層通過所述過孔與所述半導(dǎo)體晶體電連接。

10、其中，所述在所述待裝配件的相對兩側(cè)表面對稱壓合多層芯板的步驟，還包括：在所述待裝配件的一側(cè)表面壓合功能芯板，另一側(cè)表面壓合普通芯板；其中，所述功能芯板設(shè)置于靠近所述元器件的一側(cè)。

11、為了解決上述技術(shù)問題，本申請還提供一種pcb板，所述pcb板包括多層芯板壓合形成的板件，所述板件內(nèi)設(shè)置有至少一個通槽，所述通槽內(nèi)填充有包覆半導(dǎo)體晶體的裝配體，所述板件對應(yīng)所述通槽的兩表面貼合有半固化片。

12、本申請的有益效果是：通過先將半導(dǎo)體晶體放置于裝配件內(nèi)，再將裝配件放置于pcb板內(nèi)層芯板的通槽內(nèi)，在芯板的相對兩側(cè)貼合半固化片，從而將包裹有半導(dǎo)體晶體的裝配體封裝于pcb板的內(nèi)層板中，從而能得到具有抗射線的pcb板。

技術(shù)特征：

1.一種埋入半導(dǎo)體晶體的方法，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的埋入半導(dǎo)體晶體的方法，其特征在于，所述提供一種包裹有所述半導(dǎo)體晶體的裝配體的步驟具體包括：

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的埋入半導(dǎo)體晶體的方法，其特征在于，所述將所述裝配體放置于所述通槽內(nèi)之前，還包括：

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的埋入半導(dǎo)體晶體的方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體晶體包括碲化鎘或碲鋅鎘，所述半導(dǎo)體晶體的硬度不大于3。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的埋入半導(dǎo)體晶體的方法，其特征在于，所述在單張芯板或多張芯板壓合形成的板件上開設(shè)至少一個與所述裝配體尺寸相同的通槽的步驟，包括：

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的埋入半導(dǎo)體晶體的方法，其特征在于，所述將所述裝配體放置于所述板件的通槽內(nèi)，并在所述板件的相對兩側(cè)表面貼合一層半固化片，以將所述裝配體封裝于所述板件內(nèi)形成待裝配件的步驟之后還包括：

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的埋入半導(dǎo)體晶體的方法，其特征在于，所述在所述待裝配件的相對兩側(cè)表面對稱壓合多層芯板，得到具有防射線功能的pcb板的步驟之后，還包括：

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的埋入半導(dǎo)體晶體的方法，其特征在于，所述在所述待裝配件的相對兩側(cè)表面對稱壓合多層芯板的步驟之前，包括：

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的埋入半導(dǎo)體晶體的方法，其特征在于，所述在所述待裝配件的相對兩側(cè)表面對稱壓合多層芯板的步驟，還包括：

10.一種pcb板，其特征在于，所述pcb板包括多層芯板壓合形成的板件，所述板件內(nèi)設(shè)置有至少一個通槽，所述通槽內(nèi)填充有包覆半導(dǎo)體晶體的裝配體，所述板件對應(yīng)所述通槽的兩表面貼合有半固化片。

技術(shù)總結(jié)
本申請公開了一種埋入半導(dǎo)體晶體的方法及PCB板，其中，埋入半導(dǎo)體晶體的方法包括：提供一種包裹有所述半導(dǎo)體晶體的裝配體以及至少一張芯板；在單張芯板或多張芯板壓合形成的板件上開設(shè)至少一個與所述裝配體尺寸相同的通槽；將所述裝配體放置于所述通槽內(nèi)，并在所述板件的相對兩側(cè)表面貼合一層半固化片，以將所述裝配體封裝于所述板件內(nèi)形成待裝配件。通過上述方法，實現(xiàn)具有放射線功能的PCB板。

技術(shù)研發(fā)人員：劉世生,鄒良云
受保護的技術(shù)使用者：深南電路股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/9