本發(fā)明涉及電子元器件封裝，特別是涉及一種陶瓷封裝基座組合板及分切方法。

背景技術(shù)：

1、陶瓷封裝基座通常用于對石英晶體、半導(dǎo)體芯片等電子元件進(jìn)行封裝，封裝后的構(gòu)成的元器件(如半導(dǎo)體器件、溫補(bǔ)型振蕩器tcxo、音叉諧振器、熱敏型諧振器等)被廣泛應(yīng)用于各種各樣的電子設(shè)備中。

2、在陶瓷封裝基座制備過程中，通常是在尺寸更大的陶瓷生坯膜帶上進(jìn)行加工，得到各層陶瓷基板所需結(jié)構(gòu)和金屬層，然后將各陶瓷生坯膜帶疊層、燒結(jié)、電鍍后，得到包含有多個(gè)陶瓷封裝基座的陶瓷封裝基座組合板，后續(xù)只需對組合板進(jìn)行分割就可以得到單個(gè)陶瓷封裝基座。

3、隨著電子設(shè)備的體積越來越小，電子元器件以及相應(yīng)的陶瓷封裝基座也朝著小型化方向發(fā)展，導(dǎo)致陶瓷封裝基座上電鍍層厚度差異對于電極圖案焊接性能的影響會(huì)被放大，因此需要有效提高陶瓷封裝基座上電鍍層的厚度均一性來保證陶瓷封裝基座的焊接可靠性。

4、傳統(tǒng)陶瓷封裝基座組合板內(nèi)的電鍍布線結(jié)構(gòu)的寬度均相同，且電鍍布線直接與組合板邊沿的電鍍用輔助布線連接，使得電鍍時(shí)，組合板不同區(qū)域內(nèi)的電勢差較大，導(dǎo)致不同區(qū)域的電鍍層厚度差值高，當(dāng)其分割形成單個(gè)陶瓷封裝基座后，各陶瓷封裝基座的一致性較差，部分封裝基座后續(xù)在一定封焊功率下進(jìn)行封焊時(shí)會(huì)出現(xiàn)因熱應(yīng)力集中而造成基座瓷體開裂的風(fēng)險(xiǎn)，產(chǎn)品的穩(wěn)定性較差。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明的目的是：提供一種陶瓷封裝基座組合板及分割方法，通過對電鍍布線的結(jié)構(gòu)進(jìn)行合理設(shè)計(jì)，降低組合板不同區(qū)域內(nèi)的電勢差，使組合板內(nèi)的電鍍層厚度均勻，分割形成單個(gè)陶瓷封裝基座后，產(chǎn)品的一致性和穩(wěn)定性較好，避免陶瓷封裝基座封焊時(shí)出現(xiàn)熱應(yīng)力集中開裂。

2、為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種陶瓷封裝基座組合板，包括由下至上層疊設(shè)置的第一陶瓷層和第二陶瓷層，所述第一陶瓷層包括沿豎直方向設(shè)置的第一上表面和第一下表面，所述第二陶瓷包括沿豎直方向設(shè)置的第二上表面和第二下表面，所述第一上表面和所述第一下表面相對設(shè)置；

3、所述第一上表面設(shè)有電鍍主流布線、電鍍支流布線、電鍍輔助布線；

4、所述第一上表面的邊沿環(huán)設(shè)有所述電鍍輔助布線，所述電鍍輔助布線內(nèi)側(cè)設(shè)有沿第一方向和第二方向交錯(cuò)布置的所述電鍍主流布線，所述電鍍主流布線將所述第一上表面均分形成多個(gè)子區(qū)域，各子區(qū)域內(nèi)均設(shè)有所述電鍍支流布線，所述電鍍主流布線和所述電鍍支流布線連接，所述電鍍主流布線的兩端均與所述電鍍輔助布線連接；

5、所述第一下表面設(shè)有焊接端子，所述焊接端子通過所述電鍍支流布線與所述電鍍主流布線的連接；

6、所述電鍍主流布線的寬度為w1，所述電鍍支流布線的寬度為w2，w1＞w2。

7、更進(jìn)一步地，1.3≤(w1-w2)/w2≤1.9。

8、更進(jìn)一步地，所述電鍍主流布線的電阻為r1，所述電鍍支流布線的電阻為r2，0.5≤(r2-r1)/r2≤0.8。

9、更進(jìn)一步地，所述第一陶瓷層沿豎直方向開設(shè)有第一通孔，所述第一通孔內(nèi)嵌設(shè)有第一導(dǎo)體，所述電鍍支流布線通過所述第一導(dǎo)體與所述焊接端子連接。

10、更進(jìn)一步地，所述第二上表面設(shè)有焊接電極，所述第二陶瓷層沿豎直方向開設(shè)有第二通孔，所述第二通孔內(nèi)設(shè)有第二導(dǎo)體，所述電鍍支流布線上設(shè)有擴(kuò)增部，所述第二導(dǎo)體一端與所述擴(kuò)增部連接，另一端與所述焊接電極連接。

11、更進(jìn)一步地，所述第一下表面設(shè)有多個(gè)焊接端子，且多個(gè)所述焊接端子分別通過不同的所述電鍍支流布線與所述電鍍主流布線連接。。

12、更進(jìn)一步地，設(shè)有與封裝基座單元一一對應(yīng)的基座區(qū)域，單個(gè)所述基座區(qū)域中，最多只有一個(gè)所述電鍍支流布線的全部結(jié)構(gòu)設(shè)于所述基座區(qū)域內(nèi)的第一上表面，單個(gè)所述基座區(qū)域內(nèi)的其它所述電鍍支流布線的兩端分別延伸于兩個(gè)相鄰的所述基座區(qū)域內(nèi)，或/和一端位于所述基座區(qū)域內(nèi)，另一端延伸至所述基座區(qū)域相鄰且靠近所述電鍍用輔助布線的邊沿區(qū)域。

13、更進(jìn)一步地，所述第一陶瓷層設(shè)有導(dǎo)鍍孔。

14、本發(fā)明還提供一種陶瓷封裝基座組合板的分切方法，基于上述任一項(xiàng)所述的陶瓷封裝基座組合板，包括以下步驟：

15、所述陶瓷封裝基座組合板完成電鍍，在所述陶瓷封裝基座組合板上沿封裝基座單元的輪廓設(shè)置分切線，并沿著所述分切線在所述第一陶瓷層和所述第二陶瓷層設(shè)置分切槽，所述分切槽將所述陶瓷封裝基座組合板分成多個(gè)所述封裝基座單元。

16、更進(jìn)一步地，所述封裝基座單元底部設(shè)有所述焊接端子，多個(gè)所述焊接端子中最多只有一個(gè)通過所述電鍍支流布線與所述電鍍主流布線連通。

17、本發(fā)明實(shí)施例一種陶瓷封裝基座組合板及分切方法與現(xiàn)有技術(shù)相比，其有益效果在于：在第一上表面設(shè)置電鍍主流布線、電鍍輔助布線和電鍍支流布線，電鍍主流布線沿第一方向和第二方向交錯(cuò)布置，將第一上表面分隔成多個(gè)子區(qū)域，各子區(qū)域內(nèi)均設(shè)有電鍍輔助布線，且電鍍主流布線的寬度大于電鍍支流布線的寬度，電鍍主流布線分別與電鍍支流布線以及電鍍輔助布線連接，焊接端子通過電鍍支流布線和電鍍主流布線連接，通過對電鍍布線的結(jié)構(gòu)進(jìn)行合理設(shè)計(jì)，使得組合板各區(qū)域內(nèi)均形成“電鍍輔助布線-電鍍主流布線-電鍍支流布線-焊接端子”的電鍍電流流路，有效降低組合板不同區(qū)域內(nèi)的電勢差，使組合板內(nèi)的電鍍層厚度均勻，分切形成單個(gè)陶瓷封裝基座后，產(chǎn)品的一致性和穩(wěn)定性較好，避免陶瓷封裝基座封焊時(shí)出現(xiàn)熱應(yīng)力集中開裂。

技術(shù)特征：

1.一種陶瓷封裝基座組合板，其特征在于：包括由下至上層疊設(shè)置的第一陶瓷層和第二陶瓷層，所述第一陶瓷層包括沿豎直方向設(shè)置的第一上表面和第一下表面，所述第二陶瓷包括沿豎直方向設(shè)置的第二上表面和第二下表面，所述第一上表面和所述第二下表面貼合設(shè)置；

2.如權(quán)利要求1所述的陶瓷封裝基座組合板，其特征在于：1.3≤(w1-w2)/w2≤1.9。

3.如權(quán)利要求1所述的陶瓷封裝基座組合板，其特征在于：所述電鍍主流布線的電阻為r1，所述電鍍支流布線的電阻為r2，0.5≤(r2-r1)/r2≤0.8。

4.如權(quán)利要求1所述的陶瓷封裝基座組合板，其特征在于：所述第一陶瓷層沿豎直方向開設(shè)有第一通孔，所述第一通孔內(nèi)嵌設(shè)有第一導(dǎo)體，所述電鍍支流布線通過所述第一導(dǎo)體與所述焊接端子連接。

5.如權(quán)利要求1所述的陶瓷封裝基座組合板，其特征在于：所述第二上表面設(shè)有焊接電極，所述第二陶瓷層沿豎直方向開設(shè)有第二通孔，所述第二通孔內(nèi)設(shè)有第二導(dǎo)體，所述電鍍支流布線上設(shè)有擴(kuò)增部，所述第二導(dǎo)體一端與所述擴(kuò)增部連接，另一端與所述焊接電極連接。

6.如權(quán)利要求1所述的陶瓷封裝基座組合板，其特征在于：所述第一下表面設(shè)有多個(gè)焊接端子，且多個(gè)所述焊接端子分別通過不同的所述電鍍支流布線與所述電鍍主流布線連接。

7.如權(quán)利要求6所述的陶瓷封裝基座組合板，其特征在于：設(shè)有與封裝基座單元一一對應(yīng)的基座區(qū)域，單個(gè)所述基座區(qū)域中，最多只有一個(gè)所述電鍍支流布線的全部結(jié)構(gòu)設(shè)于所述基座區(qū)域內(nèi)的第一上表面，單個(gè)所述基座區(qū)域內(nèi)的其它所述電鍍支流布線的兩端分別延伸于兩個(gè)相鄰的所述基座區(qū)域內(nèi)，或/和一端位于所述基座區(qū)域內(nèi)，另一端延伸至所述基座區(qū)域相鄰且靠近所述電鍍用輔助布線的邊沿區(qū)域。

8.如權(quán)利要求1所述的陶瓷封裝基座組合板，其特征在于：所述第一陶瓷層設(shè)有導(dǎo)鍍孔。

9.一種陶瓷封裝基座組合板的分切方法，基于權(quán)利要求1-8任一項(xiàng)所述的陶瓷封裝基座組合板，其特征在于，包括以下步驟：

10.如權(quán)利要求9所述的陶瓷封裝基座組合板的分切方法，其特征在于：所述封裝基座單元底部設(shè)有多個(gè)焊接端子，多個(gè)所述焊接端子中最多只有一個(gè)通過所述電鍍支流布線與所述電鍍主流布線連通。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及電子元器件封裝技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種陶瓷封裝基座組合板及分切方法，該組合板包括由下至上層疊設(shè)置的第一陶瓷層和第二陶瓷層，所述第一陶瓷層包括沿豎直方向設(shè)置的第一上表面和第一下表面，所述第二陶瓷包括沿豎直方向設(shè)置的第二上表面和第二下表面，所述第一上表面和所述第二下表面貼合設(shè)置；所述第一上表面設(shè)有電鍍主流布線、電鍍支流布線、電鍍輔助布線；所述電鍍主流布線的寬度為W1，所述電鍍支流布線的寬度為W2，W1＞W(wǎng)2。本發(fā)明的有益效果：降低組合板不同區(qū)域內(nèi)的電勢差，使組合板內(nèi)的電鍍層厚度均勻，分割形成單個(gè)陶瓷封裝基座后，產(chǎn)品的一致性和穩(wěn)定性較好，避免陶瓷封裝基座封焊時(shí)出現(xiàn)熱應(yīng)力集中開裂。

技術(shù)研發(fā)人員：孫健,邱基華
受保護(hù)的技術(shù)使用者：德陽三環(huán)科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/6