本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件工藝過程量測檢測領(lǐng)域,尤其涉及一種芯粒位置度的測量方法、裝置、設(shè)備、計算機存儲介質(zhì)以及計算機程序產(chǎn)品。
背景技術(shù):
1、在半導(dǎo)體器件的制造工藝過程中,例如半導(dǎo)體多芯片集成封裝場景下需要應(yīng)用到芯粒(chiplet)封裝技術(shù),半導(dǎo)體芯片采用多個小芯粒集成,可以在不同晶圓工藝基礎(chǔ)上制造芯粒,并實現(xiàn)高密度互聯(lián)互通,能夠得到低成本、低能耗、高性能的芯片;例如,在新型半導(dǎo)體顯示micro-led技術(shù)中,micro-led顯示需要將數(shù)以萬計的微米級芯片,整齊分布在顯示屏上,實現(xiàn)互聯(lián)及控制,實現(xiàn)高對比度、高亮度、長壽命、低能耗的顯示;以及射頻或者高性能計算芯片的生產(chǎn)制造,不同的功能芯粒由不同的工藝制造而成,再由多芯片扇出封裝(multi-chip?fan?out)實現(xiàn)高密度的互聯(lián)。當(dāng)多個芯粒排布在載板上形成重復(fù)的矩陣結(jié)構(gòu)進(jìn)行顯示時,需要保證芯粒的位置準(zhǔn)確性,才能實現(xiàn)可靠的電性互聯(lián),因此對芯粒的位置度進(jìn)行監(jiān)控,是保證芯粒產(chǎn)品可靠性的必要方法。
2、一般情況下,在對芯粒位置度進(jìn)行測量時,通常以成像視野(shot)內(nèi)的位置參考點作為參考,通過像素計算芯粒位置度。這種方法依賴位置參考點的存在,還需要保證位置參考點的位置精度。然而在芯粒制造工藝過程中,比如在臨時載板或者塑封板上,不能密集地排布參考點,無法保證各個成像視野內(nèi)均存在位置參考點,或者位置參考點本身的位置誤差也會使芯粒的位置存在偏差,而導(dǎo)致芯粒的位置度無法準(zhǔn)確測量。因此,亟需一種芯粒位置度的測量方法,能夠?qū)崿F(xiàn)不需要局部視野內(nèi)的外部參考點即可計算芯粒位置度的測量,且能得到較為準(zhǔn)確的測量結(jié)果。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、本發(fā)明的主要目的在于解決現(xiàn)有技術(shù)中對芯粒位置度進(jìn)行測量時依賴參考點,且測量結(jié)果不準(zhǔn)確的技術(shù)問題。
2、本發(fā)明第一方面提供了一種芯粒位置度的測量方法,包括:
3、獲取初始的實際芯粒陣列的第一位置信息,獲取理論芯粒陣列的第二位置信息;
4、對所述實際芯粒陣列進(jìn)行旋轉(zhuǎn)平移變換以與所述理論芯粒陣列進(jìn)行匹配擬合;
5、獲取旋轉(zhuǎn)平移變換后的實際芯粒陣列和所述理論芯粒陣列達(dá)到最大化重合時所述實際芯粒陣列對應(yīng)的擬合變換矩陣;
6、根據(jù)所述第一位置信息和所述擬合變換矩陣計算最大化重合時實際芯粒陣列的第三位置信息;
7、根據(jù)所述第二位置信息和第三位置信息計算實際芯粒陣列的芯粒位置度。
8、可選地,在本發(fā)明第一方面的第一種實現(xiàn)方式中,在對所述實際芯粒陣列進(jìn)行旋轉(zhuǎn)平移變換之后,還包括:
9、計算所述旋轉(zhuǎn)平移后的實際芯粒陣列中各芯粒與理論芯粒陣列中對應(yīng)芯粒之間距離的均方根值;
10、當(dāng)所述均方根值最小時,所述旋轉(zhuǎn)平移變換后的實際芯粒陣列和所述理論芯粒陣列達(dá)到最大化重合。
11、可選地,在本發(fā)明第一方面的第二種實現(xiàn)方式中,所述芯粒位置度的測量方法還包括:
12、獲取所述均方根值最小時實際芯粒陣列中各芯粒和理論芯粒陣列中各芯粒的位置對應(yīng)關(guān)系;
13、所述根據(jù)所述第二位置信息和第三位置信息計算實際芯粒陣列的芯粒位置度包括:
14、根據(jù)所述第二位置信息、第三位置信息和各芯粒的位置對應(yīng)關(guān)系,計算每個芯粒的位置度。
15、可選地,在本發(fā)明第一方面的第三種實現(xiàn)方式中,所述計算每個芯粒的位置度包括:
16、計算實際芯粒陣列和理論芯粒陣列中每個對應(yīng)的芯粒之間的水平偏差、豎直偏差以及斜邊偏差,得到芯粒的位置度。
17、可選地,在本發(fā)明第一方面的第四種實現(xiàn)方式中,所述獲取初始的實際芯粒陣列的第一位置信息包括:
18、采集包含位置已知的多個特征點的標(biāo)定板圖像,獲得特征點的矩陣圖像;
19、根據(jù)所述特征點的矩陣圖像獲取各特征點的像素坐標(biāo);
20、根據(jù)所述標(biāo)定板已知特征點的坐標(biāo)、圖像特征點的坐標(biāo),標(biāo)定運動平臺的世界坐標(biāo),得到標(biāo)定算法;
21、獲取襯底平面上排布的芯粒矩陣的各芯粒的像素坐標(biāo),根據(jù)所述標(biāo)定算法對各芯粒的像素坐標(biāo)進(jìn)行轉(zhuǎn)換,得到初始的實際芯粒陣列的第一位置信息。
22、可選地,在本發(fā)明第一方面的第五種實現(xiàn)方式中,在根據(jù)所述第二位置信息和第三位置信息計算實際芯粒陣列的芯粒位置度之后,還包括:
23、根據(jù)預(yù)設(shè)的缺陷判斷規(guī)則,基于所述芯粒位置度對所述實際芯粒陣列進(jìn)行缺陷程度評估。
24、本發(fā)明第二方面提供了一種芯粒位置度的測量裝置,包括:
25、第一位置獲取模塊,用于獲取初始的實際芯粒陣列的第一位置信息,獲取理論芯粒陣列的第二位置信息;
26、擬合模塊,用于對所述實際芯粒陣列進(jìn)行旋轉(zhuǎn)平移變換以與所述理論芯粒陣列進(jìn)行匹配擬合;
27、矩陣計算模塊,用于獲取旋轉(zhuǎn)平移變換后的實際芯粒陣列和所述理論芯粒陣列達(dá)到最大化重合時所述實際芯粒陣列對應(yīng)的擬合變換矩陣;
28、第二位置獲取模塊,用于根據(jù)所述第一位置信息和所述擬合變換矩陣計算最大化重合時實際芯粒陣列的第三位置信息;
29、位置度計算模塊,用于根據(jù)所述第二位置信息和第三位置信息計算實際芯粒陣列的芯粒位置度。
30、本發(fā)明第三方面提供了一種芯粒位置度的測量設(shè)備,包括:運動平臺、圖像采集單元、存儲器和至少一個處理器,所述存儲器中存儲有指令;所述至少一個處理器調(diào)用所述存儲器中的所述指令,以使得所述芯粒位置度的測量設(shè)備執(zhí)行上述的芯粒位置度的測量方法的步驟。
31、本發(fā)明的第四方面提供了一種計算機可讀存儲介質(zhì),所述計算機可讀存儲介質(zhì)中存儲有指令,當(dāng)其在計算機上運行時,使得計算機執(zhí)行上述的芯粒位置度的測量方法的步驟。
32、本發(fā)明的第五方面提供了一種計算機程序產(chǎn)品,包括計算機程序/指令,其特征在于,當(dāng)所述計算機程序/指令被處理器執(zhí)行時實現(xiàn)如上述的芯粒位置度的測量方法的步驟。
33、本發(fā)明提供的技術(shù)方案中,獲取初始的實際芯粒陣列的第一位置信息,獲取理論芯粒陣列的第二位置信息;對實際芯粒陣列進(jìn)行旋轉(zhuǎn)平移變換以與理論芯粒陣列進(jìn)行匹配擬合;獲取旋轉(zhuǎn)平移變換后的實際芯粒陣列和理論芯粒陣列達(dá)到最大化重合時實際芯粒陣列對應(yīng)的擬合變換矩陣;根據(jù)第一位置信息和擬合變換矩陣計算最大化重合時實際芯粒陣列的第三位置信息;根據(jù)第二位置信息和第三位置信息計算實際芯粒陣列的芯粒位置度。該方法能夠?qū)崿F(xiàn)不需要局部視野內(nèi)外部參考點即可計算芯粒位置度的測量,且能得到較為準(zhǔn)確的測量結(jié)果。本發(fā)明提供的一種裝置、設(shè)備、計算機可讀存儲介質(zhì)以及計算機程序產(chǎn)品也解決了相應(yīng)技術(shù)問題。
1.一種芯粒位置度的測量方法,其特征在于,包括:
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯粒位置度的測量方法,其特征在于,在對所述實際芯粒陣列進(jìn)行旋轉(zhuǎn)平移變換之后,還包括:
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的芯粒位置度的測量方法,其特征在于,所述芯粒位置度的測量方法還包括:
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的芯粒位置度的測量方法,其特征在于,所述計算每個芯粒的位置度包括:
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一項所述的芯粒位置度的測量方法,其特征在于,所述獲取初始的實際芯粒陣列的第一位置信息包括:
6.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一項所述的芯粒位置度的測量方法,其特征在于,在根據(jù)所述第二位置信息和第三位置信息計算實際芯粒陣列的芯粒位置度之后,還包括:
7.一種芯粒位置度的測量裝置,其特征在于,所述芯粒位置度的測量裝置包括:
8.一種芯粒位置度的測量設(shè)備,其特征在于,所述芯粒位置度的測量設(shè)備包括:運動平臺、圖像采集單元、存儲器和至少一個處理器,所述存儲器中存儲有指令;
9.一種計算機可讀存儲介質(zhì),所述計算機可讀存儲介質(zhì)上存儲有計算機程序/指令,其特征在于,所述程序/指令被處理器執(zhí)行時實現(xiàn)如權(quán)利要求1-6中任一項所述芯粒位置度的測量方法的步驟。
10.一種計算機程序產(chǎn)品,包括計算機程序/指令,其特征在于,當(dāng)所述計算機程序/指令被處理器執(zhí)行時實現(xiàn)如權(quán)利要求1-6中任一項所述的芯粒位置度的測量方法的步驟。