本公開涉及圖像傳感器及其制造方法，更具體地，涉及互補金屬氧化物半導(dǎo)體(cmos)圖像傳感器及其制造方法。

背景技術(shù)：

1、圖像傳感器是將光學(xué)圖像轉(zhuǎn)換成電信號的半導(dǎo)體裝置。計算機和通信行業(yè)的最新發(fā)展已經(jīng)導(dǎo)致在各種消費電子設(shè)備(諸如數(shù)碼相機、攝像機、pcs(個人通信系統(tǒng))、游戲設(shè)備、安全相機、醫(yī)用微型相機等)中對高性能圖像傳感器的強烈需求。圖像傳感器可以分類為電荷耦合器件(ccd)類型和互補金屬氧化物半導(dǎo)體(cmos)類型。cmos型圖像傳感器可以縮寫為cis(cmos圖像傳感器)。cis具有多個二維布置的像素。每個像素包括光電二極管。光電二極管將入射光轉(zhuǎn)換成電信號。多個像素由設(shè)置在其間的深器件隔離圖案限定。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本公開的一些實施例提供了一種被配置為最小化或抑制暗電流的發(fā)生的圖像傳感器及其制造方法。

2、本公開的一些實施例提供了一種高度集成的圖像傳感器及其制造方法。

3、根據(jù)本公開的一些實施例，圖像傳感器可以包括：基底，包括多個像素區(qū)域，其中，基底包括彼此相對的第一表面和第二表面；以及器件隔離圖案，從第一表面延伸并延伸到基底中，其中，器件隔離圖案位于多個像素區(qū)域之間，其中，器件隔離圖案包括中間區(qū)域、交叉區(qū)域、第一器件隔離部分和第二器件隔離部分，其中，中間區(qū)域包括第一介電圖案、接觸第一介電圖案的側(cè)壁的導(dǎo)電襯墊以及接觸導(dǎo)電襯墊的側(cè)壁和導(dǎo)電襯墊的頂表面的第二介電圖案，其中，第一介電圖案從第一器件隔離部分延伸并朝向第二器件隔離部分延伸，并且其中，第一器件隔離部分包括導(dǎo)電襯墊和第二介電圖案。

4、根據(jù)本公開的一些實施例，圖像傳感器可以包括：基底，包括多個像素區(qū)域，其中，基底包括彼此相對的第一表面和第二表面；以及器件隔離圖案，從第一表面延伸并延伸到基底中，其中，器件隔離圖案位于多個像素區(qū)域之間，其中，器件隔離圖案包括中間區(qū)域、交叉區(qū)域、第一器件隔離部分和第二器件隔離部分，其中，中間區(qū)域包括中間介電圖案、接觸中間介電圖案的導(dǎo)電襯墊、接觸導(dǎo)電襯墊的第一介電圖案和位于第一介電圖案上的第二介電圖案，其中，第一介電圖案從第一器件隔離部分延伸并朝向第二器件隔離部分延伸，其中，第一器件隔離部分包括中間介電圖案、導(dǎo)電襯墊和第二介電圖案，并且其中，第一介電圖案包括位于第一器件隔離部分上的臺階形狀。

5、根據(jù)本公開的一些實施例，圖像傳感器可以包括：基底，包括多個像素區(qū)域，其中，基底包括彼此相對的第一表面和第二表面；器件隔離圖案，從第一表面延伸并延伸到基底中，其中，器件隔離圖案位于多個像素區(qū)域之間；以及淺器件隔離圖案，與基底的第二表面相鄰，其中，器件隔離圖案包括中間區(qū)域、交叉區(qū)域、第一器件隔離部分和第二器件隔離部分，其中，在中間區(qū)域中：第一器件隔離部分的寬度小于淺器件隔離圖案的寬度，第二器件隔離部分的寬度小于第一器件隔離部分的寬度，第一器件隔離部分包括至少一種介電材料和至少一種導(dǎo)電材料，并且第二器件隔離部分包括至少一種介電材料。

技術(shù)特征：

1.一種圖像傳感器，所述圖像傳感器包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，其中，第一介電圖案的寬度小于第二介電圖案的寬度。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，其中，導(dǎo)電襯墊的寬度大于第一介電圖案的寬度。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，所述圖像傳感器還包括位于基底上的摻雜區(qū)域，其中，摻雜區(qū)域接觸第一器件隔離部分并且摻雜有硼。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，其中，交叉區(qū)域包括接觸導(dǎo)電襯墊的掩埋導(dǎo)電圖案，其中，掩埋導(dǎo)電圖案位于第一器件隔離部分中。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的圖像傳感器，其中，掩埋導(dǎo)電圖案的頂表面距基底的第二表面第一距離，其中，導(dǎo)電襯墊的頂表面距基底的第二表面第二距離，其中，第一距離小于第二距離。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的圖像傳感器，所述圖像傳感器還包括：

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的圖像傳感器，其中，掩埋介電圖案的頂表面接觸導(dǎo)電襯墊和掩埋導(dǎo)電圖案。

9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的圖像傳感器，其中，掩埋導(dǎo)電圖案的寬度大于第一介電圖案的寬度。

10.一種圖像傳感器，所述圖像傳感器包括：

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的圖像傳感器，其中，導(dǎo)電襯墊還包括：

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的圖像傳感器，其中，延伸導(dǎo)電部分位于中間介電圖案和第一介電圖案之間。

13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的圖像傳感器，所述圖像傳感器還包括位于基底上的摻雜區(qū)域，其中，摻雜區(qū)域摻雜有硼并且接觸第一器件隔離部分和第二器件隔離部分。

14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的圖像傳感器，其中，導(dǎo)電襯墊至少部分地圍繞中間介電圖案的側(cè)表面和中間介電圖案的頂表面。

15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的圖像傳感器，其中，在交叉區(qū)域中，器件隔離圖案還包括接觸導(dǎo)電襯墊的掩埋導(dǎo)電圖案，其中，掩埋導(dǎo)電圖案從第一器件隔離部分延伸并朝向第二器件隔離部分延伸。

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的圖像傳感器，其中，第一介電圖案還包括：

17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的圖像傳感器，其中，導(dǎo)電襯墊還包括：

18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的圖像傳感器，其中，第二器件隔離部分中的掩埋導(dǎo)電圖案的寬度小于第一器件隔離部分中的掩埋導(dǎo)電圖案的寬度。

19.根據(jù)權(quán)利要求10所述的圖像傳感器，所述圖像傳感器還包括：

20.一種圖像傳感器，所述圖像傳感器包括：

技術(shù)總結(jié)
提供了一種圖像傳感器。所述圖像傳感器包括：基底，包括多個像素區(qū)域，其中，基底包括彼此相對的第一表面和第二表面；以及器件隔離圖案，從第一表面延伸并延伸到基底中，其中，器件隔離圖案位于多個像素區(qū)域之間，其中，器件隔離圖案具有中間區(qū)域和交叉區(qū)域并且包括第一器件隔離部分和第二器件隔離部分，其中，中間區(qū)域包括第一介電圖案、導(dǎo)電襯墊和第二介電圖案，其中，第一介電圖案從第一器件隔離部分延伸并朝向第二器件隔離部分延伸，并且其中，第一器件隔離部分包括導(dǎo)電襯墊和第二介電圖案。

技術(shù)研發(fā)人員：金局泰
受保護的技術(shù)使用者：三星電子株式會社
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/2