本發(fā)明涉及基片處理裝置、基片處理方法和計(jì)算機(jī)可讀取的存儲(chǔ)介質(zhì)。

背景技術(shù)：

1、專利文獻(xiàn)1公開了一種基片處理裝置，其包括：保持部，其構(gòu)成為能夠以基片可旋轉(zhuǎn)的方式保持基片；供給部，其構(gòu)成為能夠?qū)Ρ槐３衷诒３植康幕┙o處理液；和加熱部，其構(gòu)成為能夠?qū)南卤砻婀┙o加熱后的氮?dú)鈦韺?duì)基片進(jìn)行加熱。

2、現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

3、專利文獻(xiàn)

4、專利文獻(xiàn)1：日本特開2019-134000號(hào)公報(bào)

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、發(fā)明要解決的技術(shù)問題

2、本發(fā)明對(duì)能夠更高精度地對(duì)基片的周緣部進(jìn)行處理的基片處理裝置、基片處理方法和計(jì)算機(jī)可讀取的存儲(chǔ)介質(zhì)進(jìn)行說明。

3、用于解決技術(shù)問題的技術(shù)方案

4、基片處理裝置的一例包括：旋轉(zhuǎn)保持部，其構(gòu)成為能夠保持基片并使其旋轉(zhuǎn)；處理液供給部，其構(gòu)成為能夠?qū)闹芫壊抗┙o處理液；加熱部，其構(gòu)成為能夠?qū)陌ㄖ行牟康膮^(qū)域進(jìn)行加熱；周緣加熱部，其構(gòu)成為能夠?qū)闹芫壊窟M(jìn)行加熱；和控制部。控制部構(gòu)成為能夠執(zhí)行：第一處理，控制旋轉(zhuǎn)保持部來使基片旋轉(zhuǎn)；第二處理，控制處理液供給部，來對(duì)旋轉(zhuǎn)中的基片的周緣部供給處理液；和第三處理，至少在對(duì)基片的周緣部供給處理液的期間，控制加熱部和周緣加熱部，對(duì)包含基片的中心部的區(qū)域和基片的周緣部進(jìn)行加熱，以使得包含基片的中心部的區(qū)域的溫度與基片的周緣部的溫度之差處于規(guī)定的范圍內(nèi)。

5、發(fā)明效果

6、根據(jù)本發(fā)明的基片處理裝置、基片處理方法和計(jì)算機(jī)可讀取的存儲(chǔ)介質(zhì)，能夠更高精度地對(duì)基片的周緣部進(jìn)行處理。

技術(shù)特征：

1.一種基片處理裝置，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基片處理裝置，其特征在于：

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基片處理裝置，其特征在于：

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基片處理裝置，其特征在于：

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基片處理裝置，其特征在于：

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的基片處理裝置，其特征在于：

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基片處理裝置，其特征在于：

8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的基片處理裝置，其特征在于：

9.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的基片處理裝置，其特征在于：

10.一種基片處理方法，其特征在于，包括：

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的基片處理方法，其特征在于：

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的基片處理方法，其特征在于：

13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的基片處理方法，其特征在于：

14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的基片處理方法，其特征在于：

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的基片處理方法，其特征在于：

16.根據(jù)權(quán)利要求10所述的基片處理方法，其特征在于：

17.根據(jù)權(quán)利要求10至16中的任一項(xiàng)所述的基片處理方法，其特征在于：

18.根據(jù)權(quán)利要求10至16中任一項(xiàng)所述的基片處理方法，其特征在于：

19.一種計(jì)算機(jī)可讀取的存儲(chǔ)介質(zhì)，其特征在于：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明說明能夠更高精度地對(duì)基片的周緣部進(jìn)行處理的基片處理裝置、基片處理方法和計(jì)算機(jī)可讀取的存儲(chǔ)介質(zhì)?；幚硌b置包括：旋轉(zhuǎn)保持部，其保持基片并使其旋轉(zhuǎn)；處理液供給部，其對(duì)基片的周緣部供給處理液；加熱部，其對(duì)包含基片的中心部的區(qū)域進(jìn)行加熱；周緣加熱部，其對(duì)基片的周緣部進(jìn)行加熱；和控制部?？刂撇繄?zhí)行：第一處理，控制旋轉(zhuǎn)保持部來使基片旋轉(zhuǎn)；第二處理，控制處理液供給部，來對(duì)旋轉(zhuǎn)中的基片的周緣部供給處理液；和第三處理，至少對(duì)向基片的周緣部供給處理液的期間，控制加熱部和周緣加熱部，對(duì)包含基片的中心部的區(qū)域和基片的周緣部進(jìn)行加熱，以使得包含基片的中心部的區(qū)域的溫度與基片的周緣部的溫度之差處于規(guī)定的范圍內(nèi)。

技術(shù)研發(fā)人員：后藤京成
受保護(hù)的技術(shù)使用者：東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/9