本發(fā)明實施例涉及顯示技術，尤其涉及一種陣列基板、顯示面板、顯示裝置及陣列基板制作方法。

背景技術：

目前，帶有觸控功能的顯示面板作為一種信息輸入工具被廣泛應用于手機、平板電腦、公共場所大廳的信息查詢機等各種顯示產品中。這樣，用戶只需用手指觸摸觸控顯示面板上的標識就能夠實現(xiàn)對該電子設備的操作，消除了用戶對其他輸入設備(如鍵盤和鼠標等)的依賴，使人機交互更為簡易。

為了更好地滿足用戶需求，通常在觸控顯示面板中設置有用于檢測用戶觸摸觸控顯示面板時觸控壓力大小的壓力傳感器，使其不僅能夠采集觸控位置信息，而且能夠采集觸控壓力大小，以豐富觸控顯示技術的應用范圍。

現(xiàn)有技術中，壓力傳感器一般設置于觸控顯示面板的非顯示區(qū)，但壓力傳感器的面積較大，不利于顯示面板的窄邊框化。

技術實現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供一種陣列基板、顯示面板、顯示裝置及陣列基板制作方法，以減小壓力傳感器的面積。

第一方面，本發(fā)明實施例提供了一種陣列基板，所述陣列基板包括：

襯底基板，所述襯底基板包括顯示區(qū)和圍繞所述顯示區(qū)的非顯示區(qū)，所述襯底基板的顯示區(qū)設置有多個像素單元，所述像素單元包括薄膜晶體管；

至少一個壓力傳感器，所述壓力傳感器位于所述襯底基板的非顯示區(qū)，所述壓力傳感器與所述薄膜晶體管的有源層同層設置，且采用同種材料制作，所述有源層包括溝道區(qū)與重摻雜區(qū)，所述壓力傳感器的方阻大于所述有源層的重摻雜區(qū)的方阻。

第二方面，本發(fā)明實施例還提供了一種顯示面板，所述顯示面板包括本發(fā)明任意實施例所述的陣列基板。

第三方面，本發(fā)明實施例還提供了一種顯示裝置，所述顯示裝置包括本發(fā)明任意實施例所述的顯示面板。

第四方面，本發(fā)明還提供了一種陣列基板的制作方法，所述方法包括：

提供一襯底基板，所述襯底基板包括顯示區(qū)和圍繞所述顯示區(qū)的非顯示區(qū)；

在所述襯底基板的顯示區(qū)形成多個像素單元，并在所述襯底基板的非顯示區(qū)形成至少一個壓力傳感器；

其中，所述像素單元包括薄膜晶體管，所述壓力傳感器與所述薄膜晶體管的有源層同層設置，且采用同種材料制作，所述壓力傳感器的方阻大于所述有源層的重摻雜區(qū)的方阻。

本發(fā)明實施例通過設置壓力傳感器的方阻大于有源層的重摻雜區(qū)的方阻，增大了壓力傳感器的方阻，當壓力傳感器的電阻一定時，使得壓力傳感器的面積可以做的更小，有利于顯示裝置的窄邊框，并且減小陣列基板非顯示區(qū)信號線之間的干擾。

附圖說明

圖1a是本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板的示意圖；

圖1b是陣列基板沿剖面線a1-a2的剖面示意圖；

圖2是本發(fā)明實施例提供的一種薄膜導電材料示意圖；

圖3是本發(fā)明實施例提供的又一種陣列基板的示意圖；

圖4是陣列基板沿剖面線b1-b2的剖面示意圖；

圖5是本發(fā)明實施例提供的一種壓力傳感器的示意圖；

圖6是本發(fā)明實施例提供的又一種陣列基板的示意圖；

圖7是本發(fā)明實施例提供的又一種壓力傳感器的示意圖；

圖8a是本發(fā)明實施例提供的一種顯示面板的示意圖；

圖8b是本發(fā)明實施例提供的又一種顯示面板的示意圖；

圖9是本發(fā)明實施例提供的一種顯示裝置的示意圖；

圖10是本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板制作方法的流程圖；

圖11a是本發(fā)明實施例提供的一種曝光工藝示意圖；

圖11b是本發(fā)明實施例提供的一種顯影后光阻層的的示意圖；

圖11c是本發(fā)明實施例提供的一種壓力傳感器和有源層示意圖；

圖11d是本發(fā)明實施例提供的又一種顯影后光阻層的示意圖；

圖12a是本發(fā)明實施例提供的圖案化后的半導體層和光阻層的示意圖；

圖12b是本發(fā)明實施例提供的又一種顯影后光阻層的示意圖；

圖12c是本發(fā)明實施例提供的又一種顯影后光阻層的示意圖。

具體實施方式

下面結合附圖和實施例對本發(fā)明作進一步的詳細說明?？梢岳斫獾氖?，此處所描述的具體實施例僅僅用于解釋本發(fā)明，而非對本發(fā)明的限定。另外還需要說明的是，為了便于描述，附圖中僅示出了與本發(fā)明相關的部分而非全部結構。

本實施例提供了一種陣列基板，圖1a是本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板的示意圖，圖1b是陣列基板沿剖面線a1-a2的剖面示意圖，參考圖1a和圖1b，所述陣列基板包括：

襯底基板10，襯底基板10包括顯示區(qū)11和圍繞顯示區(qū)11的非顯示區(qū)12，襯底基板10的顯示區(qū)11設置有多個像素單元110，像素單元包括薄膜晶體管111；

至少一個壓力傳感器20，壓力傳感器20位于襯底基板10的非顯示區(qū)12，壓力傳感器20與薄膜晶體管111的有源層101同層設置，且采用同種材料制作，有源層101包括溝道區(qū)101a與重摻雜區(qū)101b，壓力傳感器20的方阻大于有源層101的重摻雜區(qū)101b的方阻。

其中，薄膜晶體管111包括柵極102、有源層101、漏極103和源極104，其中，有源層101與柵極102相對應的區(qū)域為有源層101的溝道區(qū)101a，有源層101與漏極103和源極104相對應的區(qū)域為有源層101的重摻雜區(qū)101b。另外，方阻就是方塊電阻，指一個正方形的薄膜導電材料邊到邊之間的電阻。圖2是本發(fā)明實施例提供的一種薄膜導電材料示意圖，參考圖2，薄膜導電材料的長為l，寬為w，膜厚為d，薄膜導電材料的電阻r＝ρ*l/(w*d)＝(ρ/d)*(l/w)，令l＝w，則方阻r＝ρ/d，其中，ρ為薄膜導電材料的電阻率。

現(xiàn)有技術中，壓力傳感器20與薄膜晶體管111的有源層101通常在同一工藝中形成，壓力傳感器20的方阻通常與有源層101的重摻雜區(qū)101b的方阻相同，導致壓力傳感器20的電阻一定的情況下，其面積較大，不利于顯示裝置的窄邊框。并且由于陣列基板的非顯示區(qū)通常會有多條信號線，壓力傳感器20的占用面積較大，擠占信號線的空間，使得信號線之間間距縮短，易造成短路或耦合。

本實施例通過設置壓力傳感器20的方阻大于有源層101的重摻雜區(qū)101b的方阻，增大了壓力傳感器20的方阻。對于塊狀的當壓力傳感器20的電阻一定時，壓力傳感器20的長度與寬度的比值可以做的更小，即寬度一定時，長度可以做的較小，從而可以減小壓力傳感器20的面積；對于由多個感應電阻組成的壓力傳感器20，感應電阻的電阻一定時，每一個感應電阻的長度與寬度的比值都可以做的更小，每一個感應電阻的面積均可以做的更小，從而可以減小壓力傳感器20的面積，有利于顯示裝置的窄邊框，并且減小陣列基板非顯示區(qū)信號線之間的干擾。

可選的，參考圖1b，沿垂直于襯底基板10的方向，壓力傳感器20的厚度d1小于有源層101的重摻雜區(qū)101b的厚度d2。

具體的，在壓力傳感器20的電阻率一定的情況下，通過減小壓力傳感器20的膜厚，增大了壓力傳感器20的方阻，從而減小了壓力傳感器20的面積，有利于顯示裝置的窄邊框，并且減小陣列基板非顯示區(qū)信號線之間的干擾。

可選的，壓力傳感器20的摻雜濃度小于有源層101的重摻雜區(qū)101b的摻雜濃度。

具體的，在壓力傳感器20的膜層厚度一定的情況下，通過設置壓力傳感器20的摻雜濃度小于有源層101的重摻雜區(qū)101b的摻雜濃度，減小了壓力傳感器20的摻雜濃度，降低了壓力傳感器20的導電能力，即增大了壓力傳感器20的電阻率，從而增大了壓力傳感器20的方阻，減小了壓力傳感器20的面積，有利于顯示裝置的窄邊框，并且減小陣列基板非顯示區(qū)信號線之間的干擾。

可選的，壓力傳感器20和有源層101可以由多晶硅材料制成。可選的，壓力傳感器20可以采用p型摻雜或n型摻雜。

需要說明的是，可以通過保持壓力傳感器的膜厚與有源層的重摻雜區(qū)的膜厚相同，僅設置壓力傳感器的摻雜濃度小于重摻雜區(qū)的摻雜濃度來增大壓力傳感器的方阻，也可以通過保持壓力傳感器的摻雜濃度與有源層的重摻雜區(qū)的摻雜濃度一樣，僅設置壓力傳感器的膜厚小于重摻雜區(qū)的膜厚來增大壓力傳感器的方阻，還可以即設置壓力傳感器的摻雜濃度小于重摻雜區(qū)的摻雜濃度，又設置壓力傳感器的膜厚小于重摻雜區(qū)的膜厚來增大壓力傳感器的方阻，本實施例并不做具體限定。

圖3是本發(fā)明實施例提供的又一種陣列基板的示意圖，可選的，參考圖3，陣列基板還包括驅動電路30，用于為壓力傳感器20提供電源驅動信號；

距離驅動電路30較遠壓力傳感器20的摻雜濃度小于距離驅動電路30較近的壓力傳感器的摻雜濃度。

具體的，驅動電路30通過電源信號線31與壓力傳感器20電連接，為壓力傳感器20提供電源驅動信號，與距離驅動電路30較遠的壓力傳感器20電連接的電源信號線31的長度較長，電阻較大，導致電源信號線31分壓較大，影響傳輸?shù)綁毫鞲衅?0的電源驅動信號，從而可能影響壓力傳感器20的壓力檢測精度。通過設置距離驅動電路30較遠壓力傳感器20的摻雜濃度小于距離驅動電路30較近的壓力傳感器的摻雜濃度，使得距離驅動電路30較遠的壓力傳感器20的方阻較大，從而使得在壓力傳感器20采用與距離驅動電路30較近的壓力傳感器20相同的面積或采用較小的面積時仍可以具有較大的電阻，增大壓力傳感器20的分壓，保證傳輸?shù)綁毫鞲衅?0的電源驅動信號的強度，提高壓力檢測精度。

圖4是陣列基板沿剖面線b1-b2的剖面示意圖，可選的，參考圖3和圖4，陣列基板還包括驅動電路30，用于為壓力傳感器20提供電源驅動信號；

距離驅動電路30較遠的壓力傳感器20沿垂直于襯底基板10的方向的厚度d1小于距離驅動電路30較近的壓力傳感器20的沿垂直于襯底基板10的方向的厚度d2。

具體的，通過設置距離驅動電路30較遠的壓力傳感器20的厚度d1小于距離驅動電路30較近的壓力傳感器20的厚度d2，使得距離驅動電路30較遠的壓力傳感器20的方阻較大，從而使得在壓力傳感器20采用與距離驅動電路30較近的壓力傳感器20相同的面積或采用較小的面積時仍可以具有較大的電阻，增大壓力傳感器20的分壓，保證傳輸?shù)綁毫鞲衅?0的電源驅動信號的強度，提高壓力檢測精度。

圖5是本發(fā)明實施例提供的一種壓力傳感器的示意圖，圖6是本發(fā)明實施例提供的又一種陣列基板的示意圖，可選的，參考圖5和圖6，壓力傳感器20呈四邊形，包括相對設置的第一邊21和第二邊22，以及相對設置的第三邊23和第四邊24；

壓力傳感器20包括位于第一邊21的第一電源信號輸入端vin1和位于第二邊22的第二電源信號輸入端vin2，用于向壓力傳感器20輸入電源驅動信號；

壓力傳感器20還包括位于第三邊23的第一感應信號測量端vout1和位于第四邊24的第二感應信號測量端vout2，用于從壓力傳感器20輸出壓感檢測信號。

在具體應用時，驅動電路30通過第一電源信號輸入端vin1和第二電源信號輸入端vin2對壓力傳感器20施加電源驅動信號后，當按壓陣列基板時，陣列基板發(fā)生形變，壓力傳感器20發(fā)生相應的形變，其電阻發(fā)生變化，從而使得壓力傳感器20的第一感應信號測量端vout1和第二感應信號測量端vout2輸出的壓感檢測信號之差與無按壓時壓力傳感器20的第一感應信號測量端vout1和第二感應信號測量端vout2輸出的壓感檢測信號之差不同，據此，可以確定觸控壓力的大小。

可選的，參考圖6，陣列基板還包括多條數(shù)據線40，壓力傳感器20的一條對角線25與數(shù)據線40相互垂直。

具體的，壓力傳感器20的對角線與數(shù)據線40之間的夾角會影響壓力傳感器20識別觸控壓力大小的靈敏度。通過設置壓力傳感器20的一條對角線25與數(shù)據線40相互垂直，使得壓力傳感器20具有較大的識別觸控壓力大小的靈敏度，保證壓力檢測精度。另外，四邊形的壓力傳感器20具有兩條對角線，可以設置任意一條對角線與數(shù)據線40相互垂直，并不做具體限定。

圖7是本發(fā)明實施例提供的又一種壓力傳感器的示意圖，可選的，參考圖7，壓力傳感器20包括第一感應電阻r1、第二感應電阻r2、第三感應電阻r3和第四感應電阻r4；

第一感應電阻r1的第一端以及第四感應電阻r4的第一端與第一電源信號輸入端vin1電連接，第一感應電阻r1的第二端以及第二感應電阻r2的第一端與第一感應信號測量端vout1電連接，第四感應電阻r4的第二端以及第三感應電阻r3的第一端與第二感應信號測量端vout2電連接，第二感應電阻r2的第二端以及第三感應電阻r3的第二端與第二電源信號輸入端vin2電連接；

第一電源信號輸入端vin1和第二電源信號輸入端vin2用于向壓力傳感器20輸入電源驅動信號；第一感應信號測量端vout1和第二感應信號測量端vout2用于從壓力傳感器20輸出壓感檢測信號。

具體的，第一感應電阻r1、第二感應電阻r2、第三感應電阻r3和第四感應電阻r4構成惠斯通電橋結構。當向第一電源信號輸入端vin1和第二電源信號輸入端vin2輸入電源驅動信號時，惠斯通電橋中各支路均有電流通過。此時，按壓陣列基板，壓力傳感器20因受到來自陣列基板上與其對應位置處剪切力的作用，其內部各電阻(包括第一感應電阻r1、第二感應電阻r2、第三感應電阻r3和第四感應電阻r4)的電阻阻值發(fā)生變化，從而使得壓力傳感器20的第一感應信號測量端vout1和第二感應信號測量端vout2的輸出電信號之差與無按壓時壓力傳感器20的第一感應信號測量端vout1和第二感應信號測量端vout2的輸出電信號之差不同，據此，可以確定觸控壓力的大小。

需要說明的是，由于將惠斯通電橋設置于陣列基板上，當對陣列基板施加壓力時，陣列基板發(fā)生形變，則設置在該陣列基板上的第一感應電阻r1、第二感應電阻r2、第三感應電阻r3和第四感應電阻r4均會發(fā)生形變，為了能夠起到檢測觸控壓力的大小的作用，需要要求第一感應電阻r1、第二感應電阻r2、第三感應電阻r3和第四感應電阻r4所感受的形變不同。

具體的，通過設置壓力傳感器的方阻大于有源層重摻雜區(qū)的方阻，使得第一感應電阻、第二感應電阻、第三感應電阻和第四感應電阻的電阻一定時，每一個電阻的面積都可以做的更小，減小了壓力傳感器的面積，有利于顯示裝置的窄邊框，并且減小陣列基板非顯示區(qū)信號線之間的干擾。

本實施例還提供了一種顯示面板。圖8a是本發(fā)明實施例提供的一種顯示面板的示意圖，參考圖8a，顯示面板200可以包括本發(fā)明任意實施例所述的陣列基板100。具體的，參考圖8a，顯示面板200可以為液晶顯示面板，還可以包括與陣列基板100相對設置的彩膜基板300，以及填充于陣列基板100和彩膜基板300之間的液晶層400。

圖8b是本發(fā)明實施例提供的又一種顯示面板的示意圖，參考圖8b，顯示面板200還可以為有機發(fā)光顯示面板，則顯示面板200還包括與陣列基板100相對設置的封裝層500。

本實施例還提供了一種顯示裝置。圖9是本發(fā)明實施例提供的一種顯示裝置的示意圖，參考圖9，顯示裝置600包括本發(fā)明任意實施例所述的顯示面板200。

本實施例還提供了一種陣列基板制作方法，圖10是本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板制作方法的流程圖，參考圖10，所述陣列基板制作方法包括：

步驟310、提供一襯底基板。

其中，襯底基板包括顯示區(qū)和圍繞顯示區(qū)的非顯示區(qū)。

步驟320、在襯底基板的顯示區(qū)形成多個像素單元，并在襯底基板的非顯示區(qū)形成至少一個壓力傳感器。

其中，像素單元包括薄膜晶體管，壓力傳感器與薄膜晶體管的有源層同層設置，且采用同種材料制作，壓力傳感器的方阻大于有源層的重摻雜區(qū)的方阻。

本實施例通過設置壓力傳感器的方阻大于有源層的重摻雜區(qū)的方阻，增大了壓力傳感器的方阻，當壓力傳感器的電阻一定時，壓力傳感器面積可以做的更小，有利于顯示裝置的窄邊框，并且減小陣列基板非顯示區(qū)信號線之間的干擾。

可選的，薄膜晶體管的有源層與壓力傳感器在同一工藝中形成。

具體的，通過將薄膜晶體管的有源層和壓力傳感器在同一制作工藝中完成，能夠有效減少一道硅材料膜制程，簡化了陣列基板的制作工藝，降低了制作成本。

圖11a是本發(fā)明實施例提供的一種曝光工藝示意圖，圖11b是本發(fā)明實施例提供的一種顯影后光阻層的示意圖，圖11c是本發(fā)明實施例提供的一種壓力傳感器和有源層的示意圖。參考圖11a-圖11c，在襯底基板的顯示區(qū)形成多個像素單元，并在襯底基板的非顯示區(qū)形成至少一個壓力傳感器可以包括如下步驟：

形成一半導體層50，半導體層50覆蓋襯底基板10；

在半導體層50遠離襯底基板10的一側形成光阻層60；

采用半色調掩膜工藝對光阻層60進行曝光，并顯影，使沿垂直于襯底基板10的方向，有源層的重摻雜區(qū)對應區(qū)域保留的光阻層60a的厚度h2大于壓力傳感器對應區(qū)域保留的光阻層60b的厚度h1；

對半導體層50和保留的光阻層60a和60b進行刻蝕，以使刻蝕后沿垂直于襯底基板10的方向，壓力傳感器20的厚度d1小于有源層101的重摻雜區(qū)101b的厚度d2。

具體的，在半色調掩膜工藝中，采用半色調掩膜70對光阻層60進行曝光，使得顯影后，光阻層60可以形成厚度不同的圖案，通過設置有源層101的重摻雜區(qū)101b對應區(qū)域保留的光阻層60a的厚度h2大于壓力傳感器20對應區(qū)域保留的光阻層60b的厚度h1，使得壓力傳感器20對應區(qū)域的半導體層50刻蝕掉的厚度大于重摻雜區(qū)101b對應區(qū)域的半導體層50刻蝕掉的厚度，即形成的壓力傳感器20的厚度d1小于有源層101的重摻雜區(qū)101b的厚度d2。

通過采用半色調掩膜工藝，使得在同一工藝中形成的壓力傳感器的厚度小于重摻雜區(qū)的厚度，使得壓力傳感器具有較大的方阻，一方面節(jié)省了工藝步驟，降低了工藝成本，另一方面減小壓力傳感器的面積，有利于顯示裝置的窄邊框，并且減小陣列基板非顯示區(qū)信號線之間的干擾。

需要說明的是，本實施例僅對形成壓力傳感器和有源層的步驟進行了說明，形成像素單元的其他膜層的工藝步驟與現(xiàn)有技術中類似，在此不做具體說明。另外，本實施例對有源層的溝道區(qū)的厚度等厚度并不做具體限定，圖11a-圖11c中僅示例性的示出了整個有源層的厚度相同，并非對本發(fā)明的限定。

圖11d是本發(fā)明實施例提供的又一種顯影后光阻層的示意圖，可選的，參考圖11d，陣列基板還包括驅動電路，用于為壓力傳感器提供電源驅動信號；在襯底基板的顯示區(qū)形成多個像素單元，并在襯底基板的非顯示區(qū)形成至少一個壓力傳感器之時，還包括：

采用半色調掩膜工藝對光阻層進行曝光，并顯影，使距離驅動電路較遠的壓力傳感器對應區(qū)域保留的光阻層60b1沿垂直于襯底基板10的方向的厚度h1小于距離驅動電路較近的壓力傳感器對應區(qū)域保留的光阻層60b2沿垂直于襯底基板10的方向的厚度h2；對半導體層和保留的光阻層60b1和60b2進行刻蝕，以使刻蝕后距離驅動電路較遠的壓力傳感器沿垂直于襯底基板10的方向的厚度小于距離驅動電路較近的壓力傳感器沿垂直于襯底基板10的方向的厚度。

具體的，通過設置距離驅動電路較遠的壓力傳感器的厚度小于距離驅動電路較近的壓力傳感器的厚度，使得距離驅動電路較遠的壓力傳感器的方阻較大，從而使得在壓力傳感器采用與距離驅動電路較近的壓力傳感器相同的面積或采用較小的面積時仍可以具有較大的電阻，增大壓力傳感器的分壓，保證傳輸?shù)綁毫鞲衅鞯碾娫打寗有盘柕膹姸?，提高壓力檢測精度。

圖12a是本發(fā)明實施例提供的圖案化后的半導體層和光阻層的示意圖，圖12b是本發(fā)明實施例提供的又一種顯影后光阻層的示意圖，參考圖12a和圖12b，在襯底基板的顯示區(qū)形成多個像素單元，并在襯底基板的非顯示區(qū)形成至少一個壓力傳感器包括：

形成一半導體層，半導體層覆蓋襯底基板10；

圖案化半導體層；形成與壓力傳感器對應的半導體圖案50a和與有源層對應的半導體圖案50b；

在半導體層遠離襯底基板10的一側形成一層光阻層60’；

采用半色調掩膜工藝對光阻層60’進行曝光，并顯影，使有源層的重摻雜區(qū)101b對應區(qū)域保留的光阻層的厚度小于壓力傳感器對應區(qū)域保留的光阻層60c的厚度；

對圖案化后的半導體層50a和50b進行摻雜，以使摻雜后形成的壓力傳感器的摻雜濃度小于有源層的重摻雜區(qū)的摻雜濃度。

具體的，在實際摻雜工藝中重摻雜區(qū)101b上并不保留光阻層，即重摻雜區(qū)101b對應區(qū)域保留的光阻層的厚度為零，壓力傳感器對應區(qū)域保留的光阻層60c的厚度可根據實際摻雜濃度需要進行設定，并不做具體限定。摻雜工藝中時，由于光阻層60c的阻擋，壓力傳感器對應的半導體圖案50a的摻雜量小于正常重摻雜區(qū)101b對應半導體層的摻雜量，從而增大了壓力傳感器的方阻。

需要說明的是，本實施例僅對形成壓力傳感器和有源層的步驟進行了說明，形成像素單元的其他膜層的工藝步驟與現(xiàn)有技術中類似，在此不做具體說明。另外，有源層還可以包括溝道區(qū)與重摻雜區(qū)之間的輕摻雜區(qū)，本實施例僅示例性的示出了輕摻雜區(qū)和溝道區(qū)上保留的光阻層的厚度，并非對本發(fā)明的限定。

另外，為降低工藝難度，壓力傳感器器邊緣的第一電源信號輸入端、第二電源信號輸入端、第一感應信號測量端以及第二感應信號測量端的摻雜濃度可以與有源層重摻雜區(qū)的摻雜濃度相同。

圖12c是本發(fā)明實施例提供的又一種顯影后光阻層的示意圖，可選的，參考圖12c，陣列基板還包括驅動電路，用于為壓力傳感器提供電源驅動信號；

在在襯底基板的顯示區(qū)形成多個像素單元，并在襯底基板的非顯示區(qū)形成至少一個壓力傳感器之時，還包括：

采用半色調掩膜工藝對光阻層進行曝光，并顯影，使距離驅動電路較遠壓力傳感器對應區(qū)域保留的光阻層60c1的厚度h3大于距離驅動電路較近的壓力傳感器對應區(qū)域保留的光阻層60c2的厚度h4；

對圖案化后的半導體層進行摻雜，以使摻雜后形成的距離驅動電路較遠的壓力傳感器的摻雜濃度小于距離驅動電路較近的壓力傳感器的摻雜濃度。

摻雜工藝中時，由于光阻層60c1和60c2的阻擋，距離驅動電路較遠的壓力傳感器對應的半導體圖案50a1的摻雜量小于距離驅動電路較近的壓力傳感器對應的半導體圖案50a2的摻雜量，使摻雜后形成的距離驅動電路較遠的壓力傳感器的摻雜濃度小于距離驅動電路較近的壓力傳感器的摻雜濃度，使得距離驅動電路較遠的壓力傳感器的方阻較大，從而使得在壓力傳感器采用與距離驅動電路較近的壓力傳感器相同的面積或采用較小的面積時仍可以具有較大的電阻，增大壓力傳感器的分壓，保證傳輸?shù)綁毫鞲衅鞯碾娫打寗有盘柕膹姸?，提高壓力檢測精度。

本實施例提供的陣列基板制作方法與本發(fā)明任意實施例提供的陣列基板屬于同一發(fā)明構思，具有相應的有益效果。未在本實施例中詳盡描述的技術細節(jié)，可參見本發(fā)明任意實施例提供的陣列基板。

注意，上述僅為本發(fā)明的較佳實施例及所運用技術原理。本領域技術人員會理解，本發(fā)明不限于這里所述的特定實施例，對本領域技術人員來說能夠進行各種明顯的變化、重新調整、相互結合和替代而不會脫離本發(fā)明的保護范圍。因此，雖然通過以上實施例對本發(fā)明進行了較為詳細的說明，但是本發(fā)明不僅僅限于以上實施例，在不脫離本發(fā)明構思的情況下，還可以包括更多其他等效實施例，而本發(fā)明的范圍由所附的權利要求范圍決定。