本發(fā)明涉及顯示技術(shù)，尤指一種刻蝕方法以及陣列基板制作方法。

背景技術(shù)：

有機(jī)膜具有極高的光透過率，并且能夠?qū)崿F(xiàn)產(chǎn)品表面平坦化。隨著液晶顯示器(liquidcrystaldisplay，簡(jiǎn)稱lcd)面板ppi(pixelsperinch，像素密度)提高，有機(jī)膜越來越多被應(yīng)用到產(chǎn)品中。

完成有機(jī)膜掩膜后，需要刻蝕過孔連接下層金屬。目前的方案是在有機(jī)膜層上增加過孔掩膜(viamask)后進(jìn)行刻蝕。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明至少一實(shí)施例提供了一種刻蝕方法以及陣列基板制作方法。

本發(fā)明至少一實(shí)施例提供了一種刻蝕方法，應(yīng)用于依次包括第一層、第二層、第三層的基板，包括：

在所述第三層形成過孔圖形暴露所述第二層后，使用對(duì)所述第三層的刻蝕率小于對(duì)所述第二層的刻蝕率的第一刻蝕方法對(duì)所述基板進(jìn)行第一次刻蝕，且使得所述第二層被刻蝕掉的厚度小于所述第二層進(jìn)行所述第一次刻蝕前的初始厚度；

在所述第一次刻蝕后，使用對(duì)所述第三層的刻蝕率大于對(duì)所述第二層的刻蝕率的第二刻蝕方法對(duì)所述基板進(jìn)行第二次刻蝕以暴露出所述第一層。

在本發(fā)明的一可選實(shí)施例中，所述第三層在進(jìn)行所述第一次刻蝕前的初始厚度根據(jù)所述第三層在所述第一次刻蝕和第二次刻蝕中損失的厚度以及所述第二次刻蝕完成后所述第三層的目標(biāo)厚度確定。

在本發(fā)明的一可選實(shí)施例中，所述第二層在所述第一次刻蝕中刻蝕掉的厚度為所述第二層的初始厚度的30％～80％。

在本發(fā)明的一可選實(shí)施例中，所述第一刻蝕方法包括：使用包括六氟化硫、氧氣的氣體進(jìn)行刻蝕，且所述六氟化硫的流量大于等于所述氧氣的流量。

在本發(fā)明的一可選實(shí)施例中，所述第二刻蝕方法包括：使用包括六氟化硫、氧氣的氣體進(jìn)行刻蝕，且所述六氟化硫的流量小于所述氧氣的流量。

在本發(fā)明的一可選實(shí)施例中，所述第三層為有機(jī)膜層。

在本發(fā)明的一可選實(shí)施例中，所述第一層為金屬層，所述第二層為非金屬層。

本發(fā)明至少一實(shí)施例提供一種陣列基板制作方法，包括：

提供襯底基板；

在所述襯底基板上依次形成金屬層、非金屬層和有機(jī)膜層，且所述有機(jī)膜層的厚度大于所述陣列基板制作完成后所述有機(jī)膜層的目標(biāo)厚度；

對(duì)所述有機(jī)膜層進(jìn)行構(gòu)圖工藝形成過孔圖形以暴露所述非金屬層；

使用對(duì)所述有機(jī)膜層的刻蝕率小于對(duì)所述非金屬層的刻蝕率的第一刻蝕方法進(jìn)行第一次刻蝕，且使得所述非金屬層被刻蝕掉的厚度小于所述非金屬層在進(jìn)行所述第一次刻蝕前的初始厚度；

在所述第一次刻蝕后，使用對(duì)所述有機(jī)膜層的刻蝕率大于對(duì)所述非金屬層的刻蝕率的第二刻蝕方法進(jìn)行第二次刻蝕以暴露出所述金屬層。

在本發(fā)明的一可選實(shí)施例中，所述非金屬層在所述第一次刻蝕中刻蝕掉的厚度為所述非金屬層的初始厚度的30％～80％。

在本發(fā)明的一可選實(shí)施例中，所述第一刻蝕方法包括：使用包括六氟化硫、氧氣的氣體進(jìn)行刻蝕，且所述六氟化硫的流量大于等于所述氧氣的流量；

所述第二刻蝕方法包括：使用包括六氟化硫、氧氣的氣體進(jìn)行刻蝕，且所述六氟化硫的流量小于所述氧氣的流量。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明部分實(shí)施例中采用有機(jī)膜層作為掩膜，減少了所使用的掩膜板，另外，通過兩次刻蝕率不同的刻蝕，避免了鉆刻。

本發(fā)明的其它特征和優(yōu)點(diǎn)將在隨后的說明書中闡述，并且，部分地從說明書中變得顯而易見，或者通過實(shí)施本發(fā)明而了解。本發(fā)明的目的和其他優(yōu)點(diǎn)可通過在說明書、權(quán)利要求書以及附圖中所特別指出的結(jié)構(gòu)來實(shí)現(xiàn)和獲得。

附圖說明

附圖用來提供對(duì)本發(fā)明技術(shù)方案的進(jìn)一步理解，并且構(gòu)成說明書的一部分，與本申請(qǐng)的實(shí)施例一起用于解釋本發(fā)明的技術(shù)方案，并不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明技術(shù)方案的限制。

圖1為本發(fā)明一實(shí)施例提供的刻蝕過孔示意圖；

圖2為本發(fā)明一實(shí)施例提供的刻蝕方法流程圖；

圖3為本發(fā)明另一實(shí)施例提供的陣列基板制作方法流程圖；

圖4(a)～圖4(c)為本發(fā)明一實(shí)施例提供的陣列基板制作過程示意圖。

具體實(shí)施方式

為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，下文中將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)說明。需要說明的是，在不沖突的情況下，本申請(qǐng)中的實(shí)施例及實(shí)施例中的特征可以相互任意組合。

在附圖的流程圖示出的步驟可以在諸如一組計(jì)算機(jī)可執(zhí)行指令的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中執(zhí)行。并且，雖然在流程圖中示出了邏輯順序，但是在某些情況下，可以以不同于此處的順序執(zhí)行所示出或描述的步驟。

除非另外定義，本公開使用的技術(shù)術(shù)語或者科學(xué)術(shù)語應(yīng)當(dāng)為本發(fā)明所屬領(lǐng)域內(nèi)具有一般技能的人士所理解的通常意義。本公開中使用的“第一”、“第二”以及類似的詞語并不表示任何順序、數(shù)量或者重要性，而只是用來區(qū)分不同的組成部分?！鞍ā被蛘摺鞍钡阮愃频脑~語意指出現(xiàn)該詞前面的元件或者物件涵蓋出現(xiàn)在該詞后面列舉的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件?！斑B接”或者“相連”等類似的詞語并非限定于物理的或者機(jī)械的連接，而是可以包括電性的連接，不管是直接的還是間接的?！吧稀?、“下”、“左”、“右”等僅用于表示相對(duì)位置關(guān)系，當(dāng)被描述對(duì)象的絕對(duì)位置改變后，則該相對(duì)位置關(guān)系也可能相應(yīng)地改變。

由于有機(jī)膜特性類似于光刻膠，因此，可以直接利用有機(jī)膜作為掩膜進(jìn)行刻蝕。如圖1所示，陣列基板包括襯底基板1，以及設(shè)置在襯底基板1上的金屬層2、非金屬層3和有機(jī)膜層4，直接使用有機(jī)膜層4作為掩膜進(jìn)行刻蝕時(shí)，會(huì)出現(xiàn)圖1所示的鉆刻問題。為了解決鉆刻問題，本申請(qǐng)中采用了進(jìn)行兩次刻蝕的方法進(jìn)行刻蝕，其中一次對(duì)非金屬層的刻蝕率大于對(duì)有機(jī)膜層的刻蝕率，另一次對(duì)有機(jī)膜層的刻蝕率大于對(duì)非金屬層的刻蝕率，從而避免了鉆刻。下面通過具體實(shí)施例進(jìn)一步說明本申請(qǐng)。

實(shí)施例一

如圖2所示，本實(shí)施例提供一種刻蝕方法，應(yīng)用于依次包括第一層、第二層、第三層的基板，包括：

步驟201，在所述第三層形成過孔圖形暴露所述第二層后，使用對(duì)所述第三層的刻蝕率小于對(duì)所述第二層的刻蝕率的第一刻蝕方法對(duì)所述基板進(jìn)行第一次刻蝕，且使得所述第二層被刻蝕掉的厚度小于進(jìn)行所述第一次刻蝕前所述第二層的初始厚度；

其中，第二層的初始厚度指進(jìn)行第一次刻蝕前第二層的厚度。

步驟202，在所述第一次刻蝕后，使用對(duì)所述第三層的刻蝕率大于對(duì)所述第二層的刻蝕率的第二刻蝕方法對(duì)所述基板進(jìn)行第二次刻蝕以暴露出所述第一層。

在本發(fā)明的一可選實(shí)施例中，所述第三層在進(jìn)行所述第一次刻蝕前的初始厚度根據(jù)所述第三層在所述第一次刻蝕和第二次刻蝕中損失的厚度以及所述第二次刻蝕完成后所述第三層的目標(biāo)厚度確定。由于使用第三層作為掩膜，在刻蝕過程中第三層會(huì)被刻蝕掉部分，因此，第三層的初始厚度需要比最終的目標(biāo)厚度要大。具體多出的厚度根據(jù)刻蝕過程中損失的厚度決定。實(shí)際使用中可以進(jìn)行測(cè)試后決定第三層的初始厚度。

在本發(fā)明的一可選實(shí)施例中，所述第二層在所述第一次刻蝕中刻蝕掉的厚度為所述第二層的初始厚度的30％～80％。當(dāng)然，此處僅為示例，第二層在第一次刻蝕中刻蝕掉的厚度也可以是其他比例。

本實(shí)施例中，使用干法刻蝕。可以使用含六氟化硫(sf6)、氧氣(o2)的氣體進(jìn)行刻蝕。當(dāng)然，也可以包含氦氣(he)。

可選的，所述第一刻蝕方法包括：使用包括sf6、o2的氣體進(jìn)行刻蝕，且所述sf6的流量大于等于所述o2的流量。sf6和o2的具體流量可以根據(jù)需要刻蝕的厚度，所刻蝕的材料特性等通過試驗(yàn)確定。需要說明的是，此處僅為示例，可以使用其他使得對(duì)所述第三層的刻蝕率小于對(duì)所述第二層的刻蝕率的刻蝕方法進(jìn)行刻蝕。

例如，所述第二刻蝕方法包括：使用包括sf6、o2的氣體進(jìn)行刻蝕，且所述sf6的流量小于所述o2的流量。sf6和o2的具體流量可以根據(jù)需要刻蝕的厚度，所刻蝕的材料特性等通過試驗(yàn)確定。需要說明的是，此處僅為示例，可以使用其他使得對(duì)所述第三層的刻蝕率大于對(duì)所述第二層的刻蝕率的刻蝕方法進(jìn)行刻蝕。

例如，所述第三層為有機(jī)膜層。該有機(jī)膜層比如可以是亞克力。

例如，所述第一層為金屬層，比如鉬(mo)，銅(cu)、銀(ag)、鈦(ti)、鉛(pb)、銦(in)、鉬(mo)鋁(al)合金、鉬(mo)釹(nd)合金等；所述第二層為非金屬層，比如為硅的氮化物、硅的氧化物、硅的氮氧化物等。需要說明的是，此處僅為示例，也可以是其他物質(zhì)。

當(dāng)然，該方法也可用于其他結(jié)構(gòu)的基板的刻蝕。

需要說明的是，上述各層為邏輯上的層，物理上可以包括多層。比如，所述第二層為邏輯上的第二層，物理上可以包括多層。

需要說明的是，在本發(fā)明其他實(shí)施例中，也可使用更多次刻蝕，比如3次或更多次刻蝕，最后一次刻蝕使用對(duì)所述第三層的刻蝕率大于對(duì)所述第二層的刻蝕率的刻蝕方法進(jìn)行刻蝕。

本實(shí)施例提供的刻蝕方法，不需要額外增加過孔掩膜，而且不會(huì)產(chǎn)生非金屬層的鉆刻問題，提升了產(chǎn)能和良率。

實(shí)施例二

本實(shí)施例提供一種陣列基板制作方法，如圖3所示，包括：

步驟301，提供襯底基板；

步驟302，在所述襯底基板上依次形成金屬層、非金屬層和有機(jī)膜層，且所述有機(jī)膜層的厚度大于所述陣列基板制作完成后所述有機(jī)膜層的目標(biāo)厚度；

步驟303，對(duì)所述有機(jī)膜層進(jìn)行構(gòu)圖工藝形成過孔圖形暴露所述非金屬層；

步驟304，使用對(duì)所述有機(jī)膜層的刻蝕率小于對(duì)所述非金屬層的刻蝕率的第一刻蝕方法進(jìn)行第一次刻蝕，且使得所述非金屬層被刻蝕掉的厚度小于進(jìn)行所述第一次刻蝕前所述非金屬層的初始厚度；

步驟305，在所述第一次刻蝕后，使用對(duì)所述有機(jī)膜層的刻蝕率大于對(duì)所述非金屬層的刻蝕率的第二刻蝕方法進(jìn)行第二次刻蝕以暴露出所述金屬層。

例如，步驟304中，所述非金屬層在所述第一次刻蝕中刻蝕掉的厚度為所述非金屬層的初始厚度的30％～80％。

例如，步驟304中，所述第一刻蝕方法包括：使用包括sf6、o2的氣體進(jìn)行刻蝕，且所述sf6的流量大于等于所述o2的流量。當(dāng)然，還可根據(jù)需要包括其他氣體，比如he。需要說明的是，此處僅為示例，可以使用其他使得對(duì)所述有機(jī)膜層的刻蝕率小于對(duì)所述非金屬層的刻蝕率的刻蝕方法進(jìn)行刻蝕。

例如，步驟305中，所述第二刻蝕方法包括：使用包括sf6、o2的氣體進(jìn)行刻蝕，且所述sf6的流量小于所述o2的流量。當(dāng)然，還可根據(jù)需要包括其他氣體，比如he。需要說明的是，此處僅為示例，可以使用其他使得對(duì)所述有機(jī)膜層的刻蝕率大于對(duì)所述非金屬層的刻蝕率的刻蝕方法進(jìn)行刻蝕。

以圖4(a)～圖4(c)為例說明一下陣列基板的制作過程。其中，陣列基板的制作過程中使用干法刻蝕，使用的是加強(qiáng)型陰極耦合等離子體(enhancecathodecoupleplasma，eccp)類型設(shè)備。

如圖4(a)所示，依次在襯底基板41上形成金屬層42、非金屬層43和有機(jī)膜層44，且有機(jī)膜層44的厚度大于陣列基板制作完成后的目標(biāo)厚度，高出的厚度與過孔刻蝕(viaetch)過程中損失的厚度相當(dāng)。對(duì)有機(jī)膜層進(jìn)行曝光，形成有機(jī)膜過孔圖形，暴露出非金屬層43。

示例的，有機(jī)膜層的目標(biāo)厚度(埃)，viaetch損失厚度因此有機(jī)膜層的涂覆厚度為

如圖4(b)所示，進(jìn)行第一次viaetch，源射頻功率500～5000w，偏置射頻功率0～5000w，壓力50～200mtorr，使用氣體sf6，o2和he，sf6流量不低于o2流量，其中he為可選，也可以不使用he。該刻蝕條件對(duì)有機(jī)膜層的刻蝕率小于對(duì)非金屬層刻蝕率。該viaetch只刻蝕非金屬層43的部分厚度，不暴露下面的金屬層42，可選的，刻蝕的非金屬層厚度占總厚度30％～80％。第一步viaetch對(duì)非金屬層刻蝕率較高，可以減少生產(chǎn)節(jié)拍時(shí)間；只刻蝕部分厚度非金屬層是為了減少鉆刻深度。

如圖4(c)所示，進(jìn)行第二次viaetch，源射頻功率500～5000w，偏置射頻功率0～5000w，壓力50～200mtorr，使用氣體sf6，o2，he，sf6流量低于o2流量，其中he為可選。該刻蝕條件對(duì)有機(jī)膜層的刻蝕率大于對(duì)非金屬層的刻蝕率，因此在刻蝕后可將有機(jī)膜層刻蝕至非金屬層上方，消除鉆刻。第二次刻蝕的目的是消除鉆刻，保證金屬層被完成刻蝕?？梢钥吹?，采取這種刻蝕方法，由于對(duì)有機(jī)膜層的刻蝕率大于對(duì)非金屬層的刻蝕率，對(duì)有機(jī)膜層的刻蝕程度大于對(duì)非金屬層，因此，不出現(xiàn)鉆刻。

有以下幾點(diǎn)需要說明：

(1)本發(fā)明實(shí)施例附圖只涉及到與本發(fā)明實(shí)施例涉及到的結(jié)構(gòu)，其他結(jié)構(gòu)可參考通常設(shè)計(jì)。

(2)為了清晰起見，在用于描述本發(fā)明的實(shí)施例的附圖中，層或區(qū)域的厚度被放大或縮小，即這些附圖并非按照實(shí)際的比例繪制?？梢岳斫?，當(dāng)諸如層、膜、區(qū)域或基板之類的元件被稱作位于另一元件“上”或“下”時(shí)，該元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”，或者可以存在中間元件。

(3)在不沖突的情況下，本發(fā)明的實(shí)施例及實(shí)施例中的特征可以相互組合以得到新的實(shí)施例。

雖然本發(fā)明所揭露的實(shí)施方式如上，但所述的內(nèi)容僅為便于理解本發(fā)明而采用的實(shí)施方式，并非用以限定本發(fā)明。任何本發(fā)明所屬領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明所揭露的精神和范圍的前提下，可以在實(shí)施的形式及細(xì)節(jié)上進(jìn)行任何的修改與變化，但本發(fā)明的專利保護(hù)范圍，仍須以所附的權(quán)利要求書所界定的范圍為準(zhǔn)。