本發(fā)明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種顯示基板及其制作方法。

背景技術：

在顯示裝置中，當需要將兩個不同膜層之間的導電層進行電連接時，通常在兩個膜層之間的絕緣層中設置連接孔，實現(xiàn)兩個導電層的連接。

如果絕緣層相對導電層過厚，導電層很薄，非常容易出現(xiàn)斷線問題，下面通過圖1進行舉例說明：

現(xiàn)有的一種如圖1所示的陣列基板結構，包括襯底基板，在襯底基板1上層疊設置的第一導電層2、絕緣層3、第二導電層4，第一導電層2通過絕緣層3中的連接孔5與第二導電層4電連接，從圖中可以看出，絕緣層越厚，第二導電層越薄，在連接孔臺階處的第二導電層越難鋪設，越容易出現(xiàn)斷線問題。例如，液晶顯示屏中，由于有機膜層作為絕緣層具有減小像素電極與數(shù)據(jù)線之間的耦合電容等優(yōu)勢，在薄膜晶體管(Thin Film Transistor，TFT)陣列基板側有機膜的應用越來越廣泛，但是一般有機膜層的厚度約為而一般的導電層的厚度只有幾百或上千如氧化銦錫(Indium Tin Oxide，ITO)層，厚度約為兩者的厚度差異較大，有時需要設置位于ITO層通過有機膜層的連接孔與該有機膜層另一側的導電層進行電連接，由于有機膜層非常厚，在有機膜層的連接孔的臺階處，ITO層鋪設很困難，就很容易出現(xiàn)斷線問題。

技術實現(xiàn)要素：

本發(fā)明實施例的目的是提供一種顯示基板及其制作方法，用于解決現(xiàn)有技術中連接孔處容易斷線的問題。

本發(fā)明實施例的目的是通過以下技術方案實現(xiàn)的：

一種顯示基板，包括：襯底基板，在襯底基板上層疊設置的第一導電層、絕緣層、第二導電層；所述絕緣層內(nèi)設置有用于連接所述第一導電層和所述第二導電層的連接孔；

所述顯示基板還包括：設置于所述連接孔中的導電墊層；所述第二導電層在所述連接孔中通過所述導電墊層與所述第一導電層電連接。

較佳地，所述導電墊層與所述第二導電層接觸的表面為曲面。

較佳地，所述導電墊層與所述第一導電層接觸表面的面積大于所述連接孔與所述第二導電層接觸端的開孔的面積。

較佳地，所述絕緣層的厚度大于所述第二導電層的厚度。

較佳地，所述絕緣層的材料包括有機材料；所述第二導電層的材料包括氧化銦錫ITO。

較佳地，所述導電墊層的厚度小于所述絕緣層的厚度，且不小于所述絕緣層的厚度與所述第二導電層的厚度之差。

較佳地，所述導電墊層的材料為金屬、合金、高分子有機物的導電材料或石墨烯。

一種如以上任一項所述的顯示基板的制作方法，包括：

在襯底基板上形成第一導電層；

在形成有所述第一導電層的襯底基板上形成具有連接孔的絕緣層以及位于所述連接孔中的導電墊層；

在形成有所述絕緣層和導電墊層的襯底基板上形成第二導電層；其中，所述第二導電層在所述連接孔中通過所述導電墊層與所述第一導電層電連接。

較佳地，在形成有所述第一導電層的襯底基板上形成具有連接孔的絕緣層以及位于所述連接孔中的導電墊層，包括：

在形成有所述第一導電層的襯底基板上待形成連接孔的區(qū)域形成導電墊層；

形成覆蓋所述第一導電層和所述導電墊層的絕緣層；

在所述絕緣層中與所述導電墊層對應的區(qū)域內(nèi)形成連接孔。

較佳地，在形成有所述第一導電層的襯底基板上形成具有連接孔的絕緣層以及位于所述連接孔中的導電墊層，包括：

在形成有所述第一導電層的襯底基板上形成覆蓋所述第一導電層的絕緣層；

在所述絕緣層中形成連接孔；

在所述連接孔中填充導電墊層。

本發(fā)明實施例的有益效果如下：

本發(fā)明實施例提供的顯示基板及其制作方法中，在絕緣層用于連接第一導電層與第二導電層的連接孔中設置有導電墊層，使得連接孔變淺，第二導電層與導電墊層電連接即可實現(xiàn)與第一導電層的電連接，降低了第二導電層在連接孔臺階處的鋪設難度，第二導電層在連接孔臺階處較平緩，改善了連接孔中的斷線問題。

附圖說明

圖1為現(xiàn)有技術中的一種顯示基板的結構示意圖；

圖2為本發(fā)明實施例提供的一種顯示基板的結構示意圖；

圖3為本發(fā)明實施例提供的另一種顯示基板的結構示意圖；

圖4為本發(fā)明實施例提供的一種顯示基板的制作方法流程圖；

圖5為本發(fā)明實施例提供的又一種顯示基板的結構示意圖；

圖6a～圖6g為本發(fā)明實施例提供的一種顯示基板的制作過程中的結構示意圖；

圖7a～圖7i為本發(fā)明實施例提供的另一種顯示基板的制作過程中的結構示意圖。

具體實施方式

為了解決以上技術問題，本發(fā)明實施例提供一種顯示基板及其制作方法。其中，本發(fā)明實施例提供的一種顯示基板，包括：襯底基板，在襯底基板上層疊設置的第一導電層、絕緣層、第二導電層；絕緣層內(nèi)設置有用于連接第一導電層和第二導電層的連接孔；顯示基板還包括：設置于連接孔中的導電墊層；第二導電層在連接孔中通過導電墊層與第一導電層電連接。

本發(fā)明實施例中，在絕緣層用于連接第一導電層與第二導電層的連接孔中設置有導電墊層，使得連接孔變淺，第二導電層與導電墊層電連接即可實現(xiàn)與第一導電層的電連接，降低了第二導電層在連接孔臺階處的鋪設難度，第二導電層在連接孔臺階處較平緩，改善了連接孔中的斷線問題。

下面結合附圖和實施例對本發(fā)明的方案進行更加詳細地說明。

如圖2和圖3所示，本發(fā)明實施例提供一種顯示基板，包括：襯底基板21，在襯底基板21上層疊設置的第一導電層22、絕緣層23、第二導電層24；絕緣層內(nèi)設置有用于連接第一導電層和第二導電層的連接孔25；顯示基板還包括：設置于連接孔25中的導電墊層26；第二導電層24在連接孔25中通過導電墊層26與第一導電層22電連接。

結合圖2和圖3，與上述現(xiàn)有技術的圖1對比可以看出，絕緣層的厚度與第二導電層的厚度差異越大，本發(fā)明實施例的方案的效果越明顯。因此，較佳地，絕緣層的厚度大于第二導電層的厚度。

例如，在一種可能的實施例中，絕緣層的材料包括有機材料；第二導電層的材料包括ITO。由于有機材料的膜層可以減小耦合電容，因此采用有機材料形成絕緣層，該結構中，包括有機材料的膜層的厚度與ITO層的厚度相比，相差非常大，因而，采用本發(fā)明的方案改善效果更加明顯。

為了進一步改善斷線不良的問題，具體實施時，如圖2所示，較佳地，導電墊層與第二導電層接觸的表面為曲面。由于接觸曲面相對接觸平面來說，接觸面積更大，這樣，可以使得導電墊層與第二導電層之間的連接就更為牢固，從而進一步改善了斷線的問題，并且二者接觸面積增大之后，還利于降低接觸電阻，利于降低功耗。

以上是從導電墊層與第二導電層一側的連接來說的，同樣，也可以增大導電墊層與第一導電層之間的接觸面積，具體實施時，如圖2所示，較佳地，導電墊層與第一導電層接觸表面的面積大于連接孔與第二導電層接觸端的開孔的面積。這樣，不僅增大了導電墊層與第一導電層的接觸面積，使得導電墊層與第一導電層之間的連接更為牢固，改善了斷線的問題，也降低了二者的接觸電阻，進一步降低功耗。

具體實施時，為了使得第二導電層鋪設的更加平緩，進一步改善斷線不良的問題，較佳地，導電墊層的厚度小于絕緣層的厚度，且不小于絕緣層的厚度與第二導電層的厚度之差。

基于以上任意實施例，較佳地，導電墊層的材料為金屬、合金、高分子有機物的導電材料或石墨烯。

其中，導電墊層的材料可以是低電阻金屬或合金材料，例如，Al，Mo，Cu，Al/Mo，AlNd/Mo，等等。

其中，高分子有機物的導電材料可以但不限于是聚3,4-乙撐二氧噻吩單體(PEDOT)。

其中，導電墊層與第一導電層的材料可以相同，同種材料之間的連接更加牢固。

本發(fā)明實施例的方案中，顯示基板可以但不限于是液晶顯示器中的TFT陣列基板。

基于同樣的發(fā)明構思，本發(fā)明實施例還提供一種如以上任意實施例所述的顯示基板的制作方法，如圖4所示，至少包括如下步驟：

步驟410、在襯底基板上形成第一導電層；

步驟420、在形成有第一導電層的襯底基板上形成具有連接孔的絕緣層以及位于連接孔中的導電墊層；

步驟430、在形成有絕緣層和導電墊層的襯底基板上形成第二導電層；其中，第二導電層在連接孔中通過導電墊層與第一導電層電連接。

本發(fā)明實施例中，在絕緣層用于連接第一導電層與第二導電層的連接孔中設置有導電墊層，使得連接孔變淺，第二導電層與導電墊層電連接即可實現(xiàn)與第一導電層的電連接，降低了第二導電層在連接孔臺階處的鋪設難度，第二導電層在連接孔臺階處較平緩，改善了連接孔中的斷線問題。

上述步驟420，在形成有第一導電層的襯底基板上形成具有連接孔的絕緣層以及位于連接孔中的導電墊層，其中一種實現(xiàn)方式可以是：

首先，在形成有第一導電層的襯底基板上待形成連接孔的區(qū)域形成導電墊層；

然后，形成覆蓋第一導電層和導電墊層的絕緣層；

最后，在絕緣層中與導電墊層對應的區(qū)域內(nèi)形成連接孔。

上述步驟420，在形成有第一導電層的襯底基板上形成具有連接孔的絕緣層以及位于連接孔中的導電墊層，另一種實現(xiàn)方式可以是：

首先，在形成有第一導電層的襯底基板上形成覆蓋第一導電層的絕緣層；

然后，在絕緣層中形成連接孔；

最后，在連接孔中填充導電墊層。

以上對步驟420列舉了兩種具體的實現(xiàn)方式，其中一種是先形成導電墊層再形成連接孔，適用于圖2所示的結構，另一種是先形成連接孔再形成導電墊層，適用于圖3所示的結構。

下面以TFT陣列基板為例，對本發(fā)明實施例提供的顯示基板及其制作方法進行更加詳細地描述。

如圖5所示，本實施例中的TFT陣列基板包括：

襯底基板51；

位于襯底基板上的像素區(qū)的柵極52、位于非像素區(qū)的與柵極金屬同層同材質(zhì)的公共電極走線53；

覆蓋柵極的第一絕緣層54；

設置在第一絕緣層54上且位于柵極上方的有源層55；

在有源層55上相對設置的源極56和漏極57，位于非像素區(qū)與源漏極金屬同層同材質(zhì)的公共電極走線58；

覆蓋源極56、漏極57、第一絕緣層54的第二絕緣層59；第二絕緣層59中與漏極57、柵極金屬同層同材質(zhì)的公共電極走線53、源漏極金屬同層同材質(zhì)的公共電極走線58相對應的位置分別形成第一連接孔510、第二連接孔511、第三連接孔512；其中，第二連接孔511還位于第一絕緣層54中。

在第一連接孔510、第二連接孔511和第三連接孔512中分別設置的導電墊層513；

位于像素區(qū)的ITO像素電極514，以及位于非像素區(qū)的ITO導電層515；其中，ITO像素電極514通過第一連接孔510中的導電墊層與漏極57電連接；ITO導電層515分別通過第二連接孔511中的導電墊層與柵極金屬同層同材質(zhì)的公共電極走線53電連接，通過第三連接孔512中的導電墊層與源漏極金屬同層同材質(zhì)的公共電極走線58電連接，以使得柵極金屬同層同材質(zhì)的公共電極走線53與源漏極金屬同層同材質(zhì)的公共電極走線58電連接，以便傳送公共電極信號。

其中，第二絕緣層的材料為有機材料。

從圖中可以看出，在實現(xiàn)ITO像素電極514與漏極57電連接、ITO導電層515與柵極金屬同層同材質(zhì)的公共電極走線53、源漏極金屬同層同材質(zhì)的公共電極走線58電連接時，由于連接孔要經(jīng)過有機材料的第二絕緣層，該膜層比較厚，采用本發(fā)明的結構，在連接孔中設置導電墊層，可以減少斷線的風險。

其中，漏極57、柵極同層金屬同材質(zhì)的公共電極走線53、源漏極金屬同層同材質(zhì)的公共電極走線58分別相當于上述相關實施例中的第一導電層22；ITO像素電極514、ITO導電層515分別相當于上述相關實施例中的第二導電層24；第二絕緣層59相當于上述相關實施例中的絕緣層23，或者，第一絕緣層和第二絕緣層相當于上述相關實施例中的絕緣層23。

基于圖5的結構，一種實施例中，具體的制作步驟如下：

步驟一、利用物理氣相沉積方法在襯底基板上沉積柵極金屬材料，金屬材料可以是Al，沉積的厚度可以為再通過光刻工藝和刻蝕工藝形成所需要的柵極52，同時形成柵極金屬同層同材質(zhì)的公共電極走線53，如圖6a所示。

步驟二、形成覆蓋柵極52以及柵極金屬同層同材質(zhì)的公共電極走線53的第一絕緣層54，如圖6b所示。

步驟三、形成位于柵極上方的有源層55，如圖6c所示。

步驟四、形成在有源層55上相對設置的源極56和漏極57，以及位于非像素區(qū)與源漏極金屬同層同材質(zhì)的公共電極走線58，如圖6d所示。

步驟五、在形成源極56、漏極57、柵極金屬同層同材質(zhì)的公共電極走線53、源漏極金屬同層同材質(zhì)的公共電極走線58的襯底基板上覆蓋第二絕緣層薄膜59’，如圖6e所示；利用涂膠工藝涂覆厚度為的光刻膠，采用光刻工藝及高溫烘干，形成所需要的有機材料的第二絕緣層59的圖形，其中形成有第一連接孔510、第二連接孔511和第三連接孔512，如圖6f所示。其中，第二連接孔511還位于第一絕緣層54中。

步驟六、在第一連接孔510、第二連接孔511和第三連接孔512中形成導電墊層513，如圖6g所示。可以采用噴墨打印方式在各連接孔的位置形成，也可以采用鍍膜，光刻工藝形成，等等。

其中，采用噴墨打印方式形成導電墊層的方法如下：在載物基臺上吸附形成有連接孔的襯底基板，對用于噴墨打印的溶液進行加熱，使該溶液中的溶質(zhì)進行液化，從而通過具有多個噴射口的噴頭，將該溶液噴射到襯底基板上過孔位置。用于噴墨打印的溶液可以為PEDOT溶液，當然，實際應用中，還可以包括其他可以導電材料的溶液，本發(fā)明實施例對此不做具體限定。向該載物基臺上吸附的襯底基板的顯示區(qū)域噴射用于噴墨打印的溶液之后，通過溶劑的揮發(fā)，使襯底基板上的導電溶液進行干燥，從而形成導電墊層。

步驟七、利用物理氣相沉積方法沉積ITO透明金屬材料，在通過光刻工藝和刻蝕工藝形成ITO像素電極514的圖形，同時形成ITO導電層515的圖形，如圖5所示。

在另一種實施例中，具體制作步驟如下：

步驟一、利用物理氣相沉積方法在襯底基板上沉積柵極金屬材料，金屬材料可以是Al，沉積的厚度可以為再通過光刻工藝和刻蝕工藝形成所需要的柵極52，同時形成柵極金屬同材質(zhì)的公共電極走線53，如圖7a所示。

步驟二、形成覆蓋柵極52以及柵極金屬同層同材質(zhì)的公共電極走線53的第一絕緣層54，如圖7b所示。

步驟三、形成位于柵極上方的有源層55，如圖7c所示。

步驟四、形成在有源層55上相對設置的源極56和漏極57，以及位于非像素區(qū)與源漏極金屬同層同材質(zhì)的公共電極走線58，如圖7d所示。

步驟六、在第一絕緣層54中形成連接孔暴露出柵極金屬同層同材質(zhì)的公共電極走線53，如圖7e所示。

步驟七、在待形成第一連接孔、第二連接孔和第三連接孔的位置形成導電墊層513，如圖7f所示。

其中，可以采用噴墨打印方式形成，也可以采用鍍膜，光刻工藝形成。

其中，采用噴墨打印方式形成導電墊層的方法如下：在載物基臺上吸附形成有連接孔的襯底基板，對用于噴墨打印的溶液進行加熱，使該溶液中的溶質(zhì)進行液化，從而通過具有多個噴射口的噴頭，將該溶液噴射到襯底基板上待形成連接孔的位置。用于噴墨打印的溶液可以為PEDOT溶液，當然，實際應用中，還可以包括其他可以導電材料的溶液，本發(fā)明實施例對此不做具體限定。向該載物基臺上吸附的襯底基板的顯示區(qū)域噴射用于噴墨打印的溶液之后，通過溶劑的揮發(fā)，使襯底基板上的導電溶液進行干燥，從而形成導電墊層。

步驟六、如圖7g所示，在形成導電墊層的襯底基板上覆蓋第二絕緣層薄膜59’；利用涂膠工藝涂覆厚度為的光刻膠，采用光刻工藝及高溫烘干，形成所需要的有機材料的第二絕緣層59的圖形，其中形成有第一連接孔510、第二連接孔511和第三連接孔512，如圖7h所示。

步驟七、利用物理氣相沉積方法沉積ITO透明金屬材料，在通過光刻工藝和刻蝕工藝形成ITO像素電極514的圖形，同時形成ITO導電層515的圖形，如圖7i所示。

以上列舉的實施例中，導電墊層其它的更加具體的結構可以參見以上相關實施例。

顯然，本領域的技術人員可以對本發(fā)明進行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權利要求及其等同技術的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。