本發(fā)明涉及一種顯示技術領域，特別是一種微發(fā)光二極管顯示面板及制作方法。

背景技術：

平面顯示裝置因具有高畫質、省電、機身薄及應用范圍廣等優(yōu)點，而被廣泛的應用于手機、電視、個人數字助理、數字相機、筆記本電腦、臺式計算機等各種消費性電子產品，成為顯示裝置中的主流。

微發(fā)光二極管(Micro LED，μLED)顯示器是一種以在一個基板上集成的高密度微小尺寸的LED陣列作為顯示像素來實現圖像顯示的顯示器，同大尺寸的戶外LED顯示屏一樣，每一個像素可定址、單獨驅動點亮，可以看成是戶外LED顯示屏的縮小版，將像素點距離從毫米級降低至微米級，μLED顯示器和有機發(fā)光二極管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)顯示器一樣屬于自發(fā)光顯示器，但μLED顯示器相比OLED顯示器還具有材料穩(wěn)定性更好、壽命更長、無影像烙印等優(yōu)點，被認為是OLED顯示器的最大競爭對手。

微轉印(Micro TransferPrinting)技術是目前制備μLED顯示裝置的主流方法，具體制備過程為：首先在藍寶石類基板生長出微發(fā)光二極管，然后通過激光剝離技術(Laserlift-off，LLO)將微發(fā)光二極管裸芯片(bare chip)從藍寶石類基板上分離開，隨后使用一個圖案化的聚二甲基硅氧烷(Polydimethylsiloxane，PDMS)傳送頭將微發(fā)光二極管裸芯片從藍寶石類基板吸附起來，并將PDMS傳送頭與接收基板進行對位，隨后將PDMS傳送頭所吸附的微發(fā)光二極管裸芯片貼附到接收基板上預設的位置，再剝離PDMS傳送頭，即可完成將微發(fā)光二極管裸芯片轉移到接收基板上，進而制得μLED顯示裝置。

目前液晶顯示面板等平板顯示面板中的子像素的尺寸相對于微發(fā)光二極管的尺寸而言都是比較大的，若在相當于現有的子像素區(qū)域大小的面積空間對應填充一個小尺寸的微發(fā)光二極管，則需要多塊具有微發(fā)光二極晶粒的轉印板進行陣列排布從而形成子像素區(qū)，現有的一個關鍵問題在于，對于R/G/BμLED chip(微發(fā)光二極管晶粒),在生產過程中存在一致性偏離的問題，即通常LED的生產，有一個分Bin(Bin Code檔次范圍)級的過程，即根據微發(fā)光二極管晶粒的光電特性將微發(fā)光二極管晶粒進行分類，每一類叫做一個Bin級，一般情況下，分Bin級時會先對于同一批次中的微發(fā)光二極管的峰值波長訂立一個固定值，然后將圍繞該固定值±2nm的微發(fā)光二極管作為一個Bin級，在該范圍值內的微發(fā)光二極管晶粒的色度和亮度的一致性較好，而在不同的Bin級中，峰值波長會發(fā)生大范圍的移動，色度和亮度會存在一致性偏離的問題。

若采用Micro LED作為光源，制備Micro LED彩色顯示器，則需要大規(guī)模生產R/G/B LED chip，這個過程中LED chip的一致性偏離是一個必然現象。不同硅晶片(Wafer)生長出的LED chip很大概率處于不同的Bin級中，若直接將不同Bin級中的微發(fā)光二極管直接一次轉印至陣列基板上，會導致了微發(fā)光二極管顯示面器顏色和亮度的均勻性差。

技術實現要素：

為克服現有技術的不足，本發(fā)明提供一種微發(fā)光二極管顯示面板及制作方法，有效改善整個微發(fā)光二極管顯示面板的顏色和亮度的勻稱性。

本發(fā)明提供了一種微發(fā)光二極管顯示面板，包括陣列基板，所述陣列基板上陣列排布有多個像素單元，每個像素單元至少包括R、G、B三色的子像素單元，每個子像素單元中均設有至少一個與該子像素單元顏色相對應的微發(fā)光二極管晶粒，相鄰兩個像素單元中顏色相同的子像素單元的微發(fā)光二極管晶粒的Bin級不同且峰值波長差值>2nm，從而將不同Bin級的微發(fā)光二極管晶?；旌吓挪?。

進一步地，每個子像素單元至少由兩個顏色相同、Bin級不同且峰值波長差值>2nm的微發(fā)光二極管晶粒混合排布而成。

進一步地，所述陣列基板上劃分有n個排布區(qū)，每個排布區(qū)中R、G、B子像素單元分別采用對應顏色的m種Bin級的微發(fā)光二極管晶?；旌吓挪迹渲?，2<n<m，所述m和n均為正整數。

進一步地，每個排布區(qū)中每種Bin級的微發(fā)光二極管晶粒的個數為m/n個。

進一步地，每個排布區(qū)中相鄰兩個顏色相同的微發(fā)光二極管晶粒的峰值波長差值>2nm。

本發(fā)明還提供了一種微發(fā)光二極管顯示面板的制作方法，包括如下步驟：

提供一陣列基板；

在陣列基板的像素單元中的R、G、B三色的子像素單元內通過轉印將對應顏色的微發(fā)光二極管晶粒從轉印板上轉印至相應的子像素單元中，每次轉印的微發(fā)光二極管晶粒的顏色以及Bin級相同，相鄰兩個像素單元中顏色相同的子像素單元內的微發(fā)光二極管晶粒的Bin級不同且峰值波長差值>2nm。

進一步地，每個子像素單元至少通過兩次轉印，將兩個顏色相同、Bin級不同且峰值波長差值>2nm的微發(fā)光二極管晶?；旌吓挪荚谙鄳淖酉袼貑卧小?/p>

進一步地，在轉印前，將陣列基板劃分為n個排布區(qū)，每個排布區(qū)中R、G、B子像素單元分別采用對應顏色的m種Bin級的微發(fā)光二極管晶?；旌吓挪?，每一次轉印將一塊Bin級相同的轉印板上的多個微發(fā)光二極管晶粒分別排布至每一個排布區(qū)中對應的子像素單元內，直到將每個排布區(qū)布滿微發(fā)光二極管晶粒；其中，2<n<m，所述m和n均為正整數。

進一步地，每個排布區(qū)中每種Bin級的微發(fā)光二極管晶粒的個數為m/n個。

進一步地，每個排布區(qū)中相鄰兩個顏色相同的微發(fā)光二極管晶粒的峰值波長差值>2nm。

本發(fā)明與現有技術相比，通過在每個子像素單元中陣列排布有顏色相同且Bin級不同的微發(fā)光二極管晶粒，從而使不同色溫、不同批次生產的同一顏色的微微發(fā)光二極管晶?；旌详嚵信挪荚谝黄?，通過多次轉印，實現混合陣列排布，將不同Bin級的同一顏色的微微發(fā)光二極管晶粒分散在整個陣列基板中，能夠有效改善微發(fā)光二極管顯示面板的顏色和亮度的均稱性。

附圖說明

圖1是本發(fā)明的排布方式的示意圖；

圖2是本發(fā)明的第一種排布方式的示意圖；

圖3是本發(fā)明的第二種排布方式的示意圖。

具體實施方式

下面結合附圖和實施例對本發(fā)明作進一步詳細說明。

本發(fā)明中分Bin級是微發(fā)光二極管生產企業(yè)中的一個常規(guī)做法，因為在一次微發(fā)光二極管生產中會出現同一批次或者是同一塊襯底上形成的微發(fā)光二極管的光電特性都會存在差異，因此需要通過不同的光電特性將微放光二極管進行分類，每一類代表一個Bin(Bin Code檔次范圍)級，這里的檔次范圍指的不是質量高低檔次，是指根據色度和亮度來分類，比如紅色的顏色波長一般是620-625NM一個檔或625-630NM一個檔亮度350-450MCD一個檔、450-580MCD一個檔這個檔就是Bin Code。

本發(fā)明中采用的是以微發(fā)光二極管的峰值波長作為主要參數進行分類。

如圖1所示，本發(fā)明的微發(fā)光二極管顯示面板包括陣列基板1，所述陣列基板1上陣列排布有多個像素單元，每個像素單元至少包括R、G、B三色的子像素單元4，每個子像素單元4中均設有至少一個與該子像素單元4顏色相對應的微發(fā)光二極管晶粒2，相鄰兩個像素單元中顏色相同的子像素單元4的微發(fā)光二極管晶粒2來自不同的Bin級且相鄰兩個顏色相同的微發(fā)光二極管晶粒2的峰值波長差值>2nm。

由于常規(guī)的微發(fā)光二極管顯示面板中微發(fā)光二極管晶粒2的排布方式是通過將一塊轉印板上的微發(fā)光二極管晶粒2整體轉印到陣列基板1上，然后將其采用常規(guī)的連接方式與陣列基板1上的像素電極進行電連接，實現導通，而兩塊轉印板上的微發(fā)光二極管晶粒2由于會存Bin級不同，存在差異性，通過計算發(fā)現，對于相鄰的3-4個不同色溫的微發(fā)光二極管晶粒，其色度差異性大，當峰值波長平移2nm，色度差異就超過了0.01，而一個色溫的峰值波長范圍往往由2.5nm。導致在將整塊轉印板上的微發(fā)光二極管晶粒2轉印后，會導致局部顏色亮度不均勻的現象，因此，通過將相同顏色，Bin級不同且相鄰兩個顏色相同的微發(fā)光二極管晶粒2的峰值波長差值>2nm的微發(fā)光二極管晶粒2進行混合排布，使不同Bin級以及峰值波長差值>2nm的微發(fā)光二極管晶粒2分散在整塊陣列基板1中，這樣能夠解決顏色亮度不均勻的問題。

如圖2所示，微發(fā)光二極管晶粒2的第一種排布方式如下，本發(fā)明的微發(fā)光二極管顯示面板包括陣列基板1，所述陣列基板1上陣列排布有多個像素單元，每個像素單元至少包括R、G、B三色的子像素單元4，每個子像素單元4中均設有至少一個與該子像素單元4顏色相對應的微發(fā)光二極管晶粒2，相鄰兩個像素單元中顏色相同的子像素單元4的微發(fā)光二極管晶粒2的Bin級不同且峰值波長差值>2nm；具體地，每個子像素單元4至少由兩個顏色相同、Bin級不同且相鄰兩個微發(fā)光二極管晶粒2的峰值波長差值>2nm的微發(fā)光二極管晶粒2混合排布而成。

以下以G子像素單元為例，進行說明，由于微發(fā)光二極管晶粒2的整板尺寸較小，當轉印至陣列基板1上時，陣列基板1的尺寸有些會大于轉印板的尺寸，而且微發(fā)光二極管晶粒2自身的尺寸也較小，因此需要多塊不同Bin級的轉印板進行轉印，轉印時，每個G子像素單元由至少兩個顏色相同但是Bin級不同且峰值波長差值>2nm的微發(fā)光二極管晶粒2混合排布而成，例如，如圖2所示，每個G子像素單元由兩個顏色相同但是Bin級不同且相鄰兩個微發(fā)光二極管晶粒2的峰值波長差值>2nm的微發(fā)光二極管晶粒2混合排布而成。

如圖3所示，為微發(fā)光二極管晶粒2的另一種排布方式，圖中僅顯示出G子像素單元4中的微發(fā)光二極管晶粒2的排布方式，這種排布方式較第一種排布方式，不管從轉印或顏色亮度上均較優(yōu)，在陣列基板1上劃分有n個排布區(qū)3，每個排布區(qū)3中R、G、B子像素單元4分別采用對應顏色的m種Bin級不同且相鄰兩個顏色相同的微發(fā)光二極管晶粒2的峰值波長差值>2nm的微發(fā)光二極管晶粒2混合排布，其中，2<n<m，所述m和n均為正整數。

在本排布方式中，每個排布區(qū)3中每種Bin級的微發(fā)光二極管晶粒2的個數為m/n個。

所述每個排布區(qū)3中相鄰兩個顏色相同的微發(fā)光二極管晶粒2的Bin級不同且峰值波長差值>2nm。

本發(fā)明的微發(fā)光二極管顯示面板的制作方法如下：

如圖1所示，提供一陣列基板1；

在陣列基板1的像素單元中的R、G、B三色的子像素單元4內通過轉印將對應顏色的微發(fā)光二極管晶粒2從轉印板上轉印至相應的子像素單元4中，每次轉印的微發(fā)光二極管晶粒2的顏色相同以及Bin級相同，相鄰兩個像素單元中顏色相同的子像素單元4內的微發(fā)光二極管晶粒2的Bin級不同且峰值波長差值>2nm。

如圖2所示，本發(fā)明的第一種排布方式的制作方法具體為，每個子像素單元4至少通過兩次轉印，將兩個顏色相同、Bin級不同且峰值波長差值>2nm的微發(fā)光二極管晶粒2混合排布在相應的一個子像素單元4中。

如圖3所示，本發(fā)明的另一種排布方式的微發(fā)光二極管顯示面板的制作方法具體為，在轉印前，將陣列基板1劃分為n個排布區(qū)3，每個排布區(qū)3中R、G、B子像素單元4分別采用對應顏色的m種Bin級不同的微發(fā)光二極管晶粒2混合排布，每一次轉印將一塊Bin級相同的轉印板上的多個微發(fā)光二極管晶粒2分別排布至每一個排布區(qū)3中對應的子像素單元4內，直到將每個排布區(qū)布滿微發(fā)光二極管晶粒2；其中，2<n<m，所述m和n均為正整數；每個排布區(qū)3中每種Bin級的微發(fā)光二極管晶粒2的個數為m/n個；

具體地，每個排布區(qū)3中相鄰兩個顏色相同的微發(fā)光二極管晶粒2的Bin級不同且峰值波長差值。

在現有的制作方法中，在一次轉印后會將一塊Bin級相同的轉印板上攜帶的所有微發(fā)光二極管晶粒2都轉移到陣列基板對應的子像素單元中，同一次轉印的所有微發(fā)光二極管晶粒2都密集排布在一起。而在本發(fā)明，每次轉印僅從一塊Bin級相同的轉印板上抓取部分微發(fā)光二極管晶粒2，將一塊Bin級相同的轉印板在陣列基板1上進行多次轉印，也就是在陣列基板的不同位置都用同一塊Bin級相同的轉印板進行轉印微發(fā)光二極管晶粒2，而不是一次將所有微發(fā)光二極管晶粒2轉移完。

在上述過程中，原本一次轉印的所有具有相同顏色、Bin級相同的微發(fā)光二極管晶粒2排布是相鄰的，而采用一個Bin級的轉印板多次轉印意味著在顯示器陣列基板1上存在多個分散的微發(fā)光二極管晶粒組，這種從同一Bin級的轉印板上多次轉印一致性較好、峰值波長差值較小的微發(fā)光二極管晶粒2，再將它們分散排布放置在陣列基板上的方法，可以有效改善整個微發(fā)光二極管顯示面板的顏色和亮度的均勻性。

本發(fā)明的轉印刻采用靜電力控制的轉印模板,僅對需要放下的LED進行靜電力的解除；另一種是非靜電力控制的轉印模板，通過對陣列基板的局部加熱，來控制僅加熱融化對應區(qū)域的位置LED被轉移到陣列基板上。

雖然已經參照特定實施例示出并描述了本發(fā)明，但是本領域的技術人員將理解：在不脫離由權利要求及其等同物限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可在此進行形式和細節(jié)上的各種變化。