本發(fā)明涉及有機(jī)發(fā)光顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備及其制備方法。

背景技術(shù)：

隨著科學(xué)技術(shù)及社會經(jīng)濟(jì)的發(fā)展，科技的進(jìn)步正影響著社會的經(jīng)濟(jì)并改變著人們的生活方式。一般地，有機(jī)發(fā)光顯示裝置是包括有機(jī)發(fā)光設(shè)備(oled)的自發(fā)射型顯示裝置，并且oled包括空穴注入電極、電子注入電極和位于空穴注入電極與電子注入電極之間的有機(jī)發(fā)射層。在有機(jī)發(fā)光顯示裝置中，從空穴注入電極注入的空穴和從電子注入電極注入的電子在有機(jī)發(fā)射層中結(jié)合以生成激子，并且激子從激發(fā)態(tài)躍遷至基態(tài)并且產(chǎn)生光。

作為自發(fā)射型顯示裝置的有機(jī)發(fā)光顯示裝置不需要單獨的光源。因此，有機(jī)發(fā)光顯示裝置能夠在低壓下操作，為輕薄型，并且包括高質(zhì)量特征，例如，寬視角、高對比度和快速響應(yīng)，因此，有機(jī)發(fā)光顯示裝置逐漸成為下一代顯示裝置，以呈現(xiàn)更為優(yōu)質(zhì)的顯示效果。

然而，傳統(tǒng)的在第一有機(jī)膜上的電極表面具有反射膜，反射膜中存在很多薄的針孔(pinhole)。因為反射膜的銀容易和空氣中的硫反應(yīng)，所以當(dāng)形成像素電極的基板長時間在大氣中保管的話就會和大氣中的硫化氫(h2s)反應(yīng)，形成硫化銀(ag2s)。形成的硫化銀的將會使得像素電極的反射層部分的反射率變低，導(dǎo)致產(chǎn)品成為不良品。甚至出現(xiàn)反應(yīng)后的硫化銀凸起使得陽極和陰極發(fā)生短路，導(dǎo)致像素整體不發(fā)光的情況。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

基于此，有必要針對反射膜的銀容易和空氣中的硫反應(yīng)，形成硫化銀而使產(chǎn)品成為不良品的技術(shù)問題，提供一種有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備及其制備方法。

一種有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的制備方法，包括：在tft基板上順序形成第一有機(jī)絕緣層及第一電極；在所述第一電極上形成保護(hù)膜；在所述保護(hù)膜上形成第二有機(jī)絕緣層，所述第二有機(jī)絕緣層具有開口；在所述第一電極上制備有機(jī)發(fā)光層，其中在制備所述有機(jī)發(fā)光層前，去除位于所述開口下方的所述保護(hù)膜；在所述有機(jī)發(fā)光層上制備第二電極。

在其中一個實施例中，所述去除位于所述開口下方的所述保護(hù)膜，包括：使用刻蝕氣體對位于所述開口下方的所述保護(hù)膜進(jìn)行干法刻蝕。

在其中一個實施例中，所述刻蝕氣體包括含氟且不含硫的氣體。

在其中一個實施例中，所述在tft基板上順序形成第一有機(jī)絕緣層及第一電極，包括：在tft基板上形成第一有機(jī)絕緣層；在所述第一有機(jī)絕緣層上依次形成密著層、反射層以及阻擋層，得到所述第一電極。

在其中一個實施例中，所述有機(jī)發(fā)光層覆蓋所述第二有機(jī)絕緣層的所述開口。

在其中一個實施例中，在所述第一電極上形成保護(hù)膜之后，在所述保護(hù)膜上形成第二有機(jī)絕緣層之前，還包括步驟：對所述第一電極及所述保護(hù)膜進(jìn)行刻蝕，以形成若干像素電極。

在其中一個實施例中，所述對所述第一電極及所述保護(hù)膜進(jìn)行刻蝕，以形成若干像素電極，包括：使用刻蝕藥液對所述第一電極及所述保護(hù)膜進(jìn)行濕法刻蝕，以形成若干像素電極。

在其中一個實施例中，所述刻蝕藥液包括磷酸、硝酸、醋酸及其混合液。

在其中一個實施例中，所述保護(hù)膜是鉬或者鉬合金。

一種有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其特征在于，采用如上述任一項所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的制備方法制備得到。

上述有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備及其制備方法，通過在制備工藝的過程中，在設(shè)置第一電極后，于第一電極上設(shè)置保護(hù)膜，該保護(hù)膜在形成有機(jī)發(fā)光層前去除，保護(hù)膜從設(shè)置在第一電極上到被去除的這段時間內(nèi)，有效地隔絕了第一電極上的銀與空氣中的硫接觸，使得設(shè)置在第一電極上的有機(jī)發(fā)光層的結(jié)構(gòu)完整，提高了產(chǎn)品的良率。

附圖說明

圖1為一個實施例中有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為另一個實施例中有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為圖1實施例中和圖2實施例中a部分的放大截面示意圖；

圖4為一個實施例中有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的制備方法的步驟示意圖；

圖5為一個實施例中有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的制備方法流程一的斷面示意圖；

圖6為一個實施例中有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的制備方法流程二的斷面示意圖；

圖7為一個實施例中有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的制備方法流程三的斷面示意圖；

圖8為一個實施例中有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的制備方法流程四的斷面示意圖；

圖9為一個實施例中有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的制備方法流程五的斷面示意圖；

圖10為一個實施例中有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的制備方法流程六的斷面示意圖；

圖11為一個實施例中有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的制備方法流程七的斷面示意圖。

具體實施方式

為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的具體實施方式做詳細(xì)的說明。在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明。但是本發(fā)明能夠以很多不同于在此描述的其它方式來實施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似改進(jìn)，因此本發(fā)明不受下面公開的具體實施例的限制。

在本發(fā)明的描述中，需要理解的是，術(shù)語“中心”、“縱向”、“橫向”、“長度”、“寬度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“豎直”、“水平”、“頂”、“底”、“內(nèi)”、“外”、“順時針”、“逆時針”、“軸向”、“徑向”、“周向”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本發(fā)明和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對本發(fā)明的限制。

此外，術(shù)語“第一”、“第二”僅用于描述目的，而不能理解為指示或暗示相對重要性或者隱含指明所指示的技術(shù)特征的數(shù)量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隱含地包括至少一個該特征。在本發(fā)明的描述中，“多個”的含義是至少兩個，例如兩個，三個等，除非另有明確具體的限定。

在本發(fā)明中，除非另有明確的規(guī)定和限定，術(shù)語“安裝”、“相連”、“連接”、“固定”等術(shù)語應(yīng)做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或成一體；可以是機(jī)械連接，也可以是電連接；可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，可以是兩個元件內(nèi)部的連通或兩個元件的相互作用關(guān)系，除非另有明確的限定。對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以根據(jù)具體情況理解上述術(shù)語在本發(fā)明中的具體含義。

在本發(fā)明中，除非另有明確的規(guī)定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接觸，或第一和第二特征通過中間媒介間接接觸。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或僅僅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或僅僅表示第一特征水平高度小于第二特征。

需要說明的是，當(dāng)元件被稱為“固定于”或“設(shè)置于”另一個元件，它可以直接在另一個元件上或者也可以存在居中的元件。當(dāng)一個元件被認(rèn)為是“連接”另一個元件，它可以是直接連接到另一個元件或者可能同時存在居中元件。本文所使用的術(shù)語“垂直的”、“水平的”、“上”、“下”、“左”、“右”以及類似的表述只是為了說明的目的，并不表示是唯一的實施方式。

例如，一種有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的制備方法包括：在tft基板上順序形成第一有機(jī)絕緣層及第一電極；在所述第一電極上形成保護(hù)膜；在所述保護(hù)膜上形成第二有機(jī)絕緣層，所述第二有機(jī)絕緣層具有開口；去除位于所述開口下方的所述保護(hù)膜，并制備有機(jī)發(fā)光層；在所述有機(jī)發(fā)光層上制備第二電極。

上述有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的制備方法，通過在制備工藝的過程中，在設(shè)置第一電極后，于第一電極上設(shè)置保護(hù)膜，該保護(hù)膜在形成有機(jī)發(fā)光層前去除，保護(hù)膜從設(shè)置在第一電極上到被去除的這段時間內(nèi)，有效地隔絕了第一電極上的銀與空氣中的硫接觸，使得設(shè)置在第一電極上的有機(jī)發(fā)光層的結(jié)構(gòu)完整，提高了產(chǎn)品的良率。

請參閱圖1，本實施例中提供一種采用本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的制備方法所制備的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備10，該有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備10包括設(shè)置于基板100上的有機(jī)發(fā)光單元110、面對基板100的密封基板120。有機(jī)發(fā)光單元110被密封在基板100和密封基板120之間。

密封基板120為透明材料，以允許透過來自有機(jī)發(fā)光單元110的光所顯示的圖像，并且減少或有效地防止氧氣和/或濕氣流入有機(jī)發(fā)光單元110。

基板100和密封基板120的邊緣通過密封材料130彼此連接，并且在基板100、密封基板120和密封材料130之間限定透光空腔140。吸收劑或填充材料可設(shè)置在透光空腔140中。

請參閱圖2，有機(jī)發(fā)光顯示裝置20包括設(shè)置在基板100上的有機(jī)發(fā)光單元110和面對基板100的密封薄膜210。有機(jī)發(fā)光單元110被密封在面對的基板100與密封薄膜210之間?？蛇x地，密封薄膜210可具有包括低熔點玻璃的結(jié)構(gòu)，但不限于此；例如低熔點玻璃為氧化錫(sno)。

本實施例中，不同于圖1的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備10，圖2的有機(jī)發(fā)光顯示裝置20包括密封薄膜210以取代密封基板120。密封薄膜210可覆蓋有機(jī)發(fā)光單元110以保護(hù)有機(jī)發(fā)光單元110免于暴露于氧氣和/或濕氣。在一個示例性實施方式中，例如，密封薄膜210可包括多層結(jié)構(gòu)，例如，所述多層結(jié)構(gòu)包括若干有機(jī)層與若干無機(jī)層，有機(jī)層與無機(jī)層交替設(shè)置，即各有機(jī)層與各無機(jī)層相互間隔設(shè)置。例如，所述多層結(jié)構(gòu)包括與包含有機(jī)材料的有機(jī)層交替的包含無機(jī)材料的無機(jī)層。例如，有機(jī)材料為聚酰亞胺，例如，無機(jī)材料為氧化硅或氮化硅。

例如，無機(jī)層和/或有機(jī)層可以是密封薄膜210的多層結(jié)構(gòu)中的多個。

例如，有機(jī)層可包括聚合物，例如可以是包括聚對苯二甲酸乙二酯、聚酰亞胺、聚碳酸脂、環(huán)氧樹脂、聚乙烯和聚丙烯酸酯及它們組合中的一種的單層或堆疊層。具體地，有機(jī)層可包括聚丙烯酸酯，并且更詳細(xì)地可包括聚合的單體組合，所述聚合的單體組合包括二丙烯酸酯基單體和三丙烯酸酯基單體。聚合的單體組合中還可包括單丙烯酸酯基單體。而且，聚合的單體組合還可包括已知的光敏引發(fā)器，例如單丙烯醛基磷化氫氧化物(tpo)，但是不限于此。

無機(jī)層可包括包含金屬氧化物或金屬氮化物的單層或堆疊層。詳細(xì)地，無機(jī)層可包括sinx、al2o3、sio2和tio2及它們組合中的一種。

密封薄膜210暴露于外部的最上層可包括無機(jī)層以減少或有效地防止水蒸氣傳遞、氧氣或濕氣流入有機(jī)發(fā)光層22和/或其內(nèi)的有機(jī)發(fā)光二極管中。

在其中一個實施方式中，密封薄膜210可包括多層結(jié)構(gòu)，其中至少一個有機(jī)層被插入至少兩個無機(jī)層之間。在其中一個實施方式中，密封薄膜210可包括多層結(jié)構(gòu)，其中至少一個無機(jī)層被插入至少兩個有機(jī)層之間。

密封薄膜210可包括從有機(jī)發(fā)光單元110的頂部順序堆疊的第一無機(jī)層、第一有機(jī)層和第二無機(jī)層。密封薄膜210可包括從有機(jī)發(fā)光單元110的頂部順序堆疊的第一無機(jī)層、第一有機(jī)層、第二無機(jī)層、第二有機(jī)層和第三無機(jī)層?？蛇x地，密封薄膜210可包括從有機(jī)發(fā)光單元110的頂部順序堆疊的第一無機(jī)層、第一有機(jī)層、第二無機(jī)層、第二有機(jī)層、第三無機(jī)層、第三有機(jī)層和第四無機(jī)層。

在其中一個實施方式中，有機(jī)發(fā)光單元110與密封薄膜210的第一無機(jī)層之間還設(shè)置有包括lif的鹵化金屬層。例如，鹵化金屬層可在經(jīng)由濺射方法或等離子沉積方法形成(或提供)第一無機(jī)層的同時減少或有效地防止有機(jī)發(fā)光單元110被損壞。

第一有機(jī)層的大小可小于第二無機(jī)層的大小，并且第二有機(jī)層的大小可小于第三無機(jī)層的大小。層的大小可指層的截面厚度和/或平面尺寸(例如，平面長度和寬度)，但不限于此。而且，第一有機(jī)層可被第二無機(jī)層完全覆蓋，并且第二有機(jī)層可被第三無機(jī)層完全覆蓋。也就是說，被覆蓋的層可能沒有暴露于密封薄膜210之外的部分。

請參閱圖3，其為圖1實施例中和圖2實施例中a部分的放大截面示意圖，例如，一種有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備300包括：基板100、tft(thinfilmtransistor，薄膜晶體管)310、第一有機(jī)絕緣層320、第二有機(jī)絕緣層330、第一電極340、保護(hù)膜350、有機(jī)發(fā)光層360以及第二電極370。

薄膜晶體管310位于基板100上，在具有薄膜晶體管310的基板上順序形成有第一有機(jī)絕緣層320、第一電極340、保護(hù)膜350、第二有機(jī)絕緣層330、有機(jī)發(fā)光層360及第二電極370。其中第二有機(jī)絕緣層330具有開口，保護(hù)膜350僅覆蓋第一電極340的部分區(qū)域，例如，保護(hù)膜350僅覆蓋第一電極340不與上述開口相對應(yīng)的部分區(qū)域，或者說，保護(hù)膜350具有與第二有機(jī)絕緣層330相對應(yīng)的開口。

薄膜晶體管310包括半導(dǎo)體層311、柵極絕緣膜312、柵極電極313、層間絕緣膜314、源漏極電極315。柵極絕緣膜312設(shè)置于半導(dǎo)體層311及柵極電極313之間，以將半導(dǎo)體層311及柵極電極313隔開。

半導(dǎo)體層311可設(shè)置在基板100上，并且包括無機(jī)半導(dǎo)體(例如，非晶硅、多晶硅)、或有機(jī)半導(dǎo)體。在示例性實施方式中，有源層212可包括氧化物半導(dǎo)體。在一個示例性實施中，例如，氧化物半導(dǎo)體可包括選自第12至14族金屬元素(例如，鋅(zn)、銦(in)、鎵(ga)、錫(sn)、鎘(cd)、鍺(ge)和鉿(hf)及它們的組合)的材料的氧化物。

柵極絕緣膜312設(shè)置在基板100上，以覆蓋半導(dǎo)體層311。柵極電極313設(shè)置在柵極絕緣膜312上。

層間絕緣膜314設(shè)置在柵極絕緣膜312上，以覆蓋柵極電極313。源漏極電極315設(shè)置在層間絕緣膜314上。層間絕緣膜314設(shè)置有一個或多個接觸孔，接觸孔的厚度等于源漏極電極315的厚度。源漏極電極315穿過該接觸孔后與半導(dǎo)體層311接觸。

需要說明的是，薄膜晶體管310不限于上述的結(jié)構(gòu)，并且可包括各種結(jié)構(gòu)。本實施例中，薄膜晶體管310為圖3所示的頂柵型薄膜晶體管，在其他實施例中，薄膜晶體管也可以為柵極電極313設(shè)置在半導(dǎo)體層311下方的底柵型薄膜晶體管。

有機(jī)發(fā)光顯示裝置還可包括像素電路(未示出)，所述像素電路包括薄膜晶體管和電容器。

第一有機(jī)絕緣層320設(shè)置在層間絕緣膜314上，以覆蓋包括薄膜晶體管310的像素電路。

本實施例中，第一有機(jī)絕緣層320為有機(jī)材料。例如，第一有機(jī)絕緣層320包括光刻膠、丙烯基聚合物、聚酰亞胺基聚合物、聚酰胺基聚合物、硅氧烷基聚合物、包含光敏丙烯酸羧基團(tuán)的聚合物、酚醛清漆樹脂、堿溶性樹脂及其的組合。例如，第一有機(jī)絕緣膜和第二有機(jī)絕緣膜使用同一種材料。

第一電極340、有機(jī)發(fā)光層360以及第二電極370組成有機(jī)發(fā)光二級管(oled)。有機(jī)發(fā)光二級管可以產(chǎn)生可見光。例如，第一電極340是以ag或者al或者這些金屬為主體的合金。本實施例中，第一電極340為ito、ag或者其合金等高反射率的金屬材料。

本實施例中，第一有機(jī)絕緣層320設(shè)置有穿孔，第一電極340穿過該穿孔后與源漏極電極315接觸。穿孔的厚度可根據(jù)有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的尺寸設(shè)定。

第二有機(jī)絕緣層330設(shè)置在保護(hù)膜350上。本實施例中，第二有機(jī)絕緣層330設(shè)置開口，以將位于開口之間的保護(hù)膜暴露，并將位于該開口之間的保護(hù)膜去除，從而進(jìn)一步的將第一電極340暴露，以便后續(xù)制備與第一電極相接觸的有機(jī)發(fā)光層，其中有機(jī)發(fā)光層與第一電極相接觸的區(qū)域為發(fā)光區(qū)域，又稱發(fā)射區(qū)域。也就是說，第二有機(jī)絕緣層的開口處為發(fā)射區(qū)域，非開口處為非發(fā)射區(qū)域。

有機(jī)發(fā)光層360設(shè)置在第一電極340上，并位于第二有機(jī)絕緣層330的開口處。有機(jī)發(fā)光層360與開口處的邊緣部分還與第二有機(jī)絕緣層330重疊。例如，第二有機(jī)絕緣層330的開口的兩側(cè)傾斜設(shè)置，有機(jī)發(fā)光層360與開口處的邊緣部分隨著傾斜設(shè)置的第二有機(jī)絕緣層330上翹，形成凹形結(jié)構(gòu)，這樣可將產(chǎn)生的光反射出去。例如，在所述第一電極上設(shè)置有機(jī)發(fā)光層，包括以下步驟：依次形成的空穴傳輸層、rgb顏色發(fā)光材料層和電子傳輸層，以形成有機(jī)發(fā)光層，其中，在形成所述有機(jī)發(fā)光層前，去除開口處的所述保護(hù)膜。

第二電極370設(shè)置在所述有機(jī)發(fā)光層360上且兩端延伸覆蓋第二有機(jī)絕緣層330。可以理解，第二電極370位于有機(jī)發(fā)光層360上的部分也為凹形結(jié)構(gòu)。

請參閱圖4，本實施例中，提供了一種有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的制備方法400，該方法包括如下步驟：

步驟s401：在tft基板上順序形成第一有機(jī)絕緣層及第一電極。

其中，tft基板指的是帶有tft的基板。例如，tft基板可通過在絕緣基板上制備tft得到。其中，tft基板上的tft，可以為各種結(jié)構(gòu)，本發(fā)明實施例對此不做限定。例如，tft可以為頂柵結(jié)構(gòu)的tft或底柵結(jié)構(gòu)的tft。

在一個實施例中，在tft基板上順序形成第一有機(jī)絕緣層及第一電極，包括：在tft基板上形成第一有機(jī)絕緣層；在所述第一有機(jī)絕緣層上依次形成密著層、反射層以及阻擋層，得到所述第一電極。即，所述第一電極包括密著層、反射層以及阻擋層。

作為一種實施方式，密著層和阻擋均采用ito材料，反射層采用銀或銀合金材料。例如第一電極340包括ito/ag/ito結(jié)構(gòu)?；蛘?，反射層342還可以采用mg、al、pt、pd、au、ni、nd、ir、cr、li、yb或ca等金屬或它們中至少一種的合金。

步驟s402：在所述第一電極上形成保護(hù)膜。例如，形成覆蓋所述第一電極的保護(hù)膜。保護(hù)膜對第一電極起保護(hù)作用，能夠隔絕第一電極與空氣的接觸，避免第一電極與空氣中的成分發(fā)生反應(yīng)。

優(yōu)選的，在所述第一電極上形成保護(hù)膜之后，還包括步驟：對所述第一電極及所述保護(hù)膜進(jìn)行刻蝕，以形成若干像素電極。也就是說，在形成保護(hù)膜后，進(jìn)行陽極(第一電極)刻蝕工藝。其中，在陽極刻蝕工藝之前，第一電極為連續(xù)的膜層，經(jīng)過陽極刻蝕工藝之后，第一電極被分成若干互相獨立、不相連的像素電極，例如第一電極被分為若干像素的陽極。

傳統(tǒng)的陽極刻蝕工藝通常使用磷酸、硝酸、醋酸及其混合液作為刻蝕液。作為一種實施方式，為了避免陽極刻蝕工藝復(fù)雜化，保護(hù)膜采用鉬或者鉬為主的合金，這樣能夠通過傳統(tǒng)的陽極刻蝕工藝同時對陽極和保護(hù)膜進(jìn)行刻蝕，避免由于增加保護(hù)膜而導(dǎo)致陽極刻蝕工藝復(fù)雜化。

步驟s403：在所述保護(hù)膜上形成第二有機(jī)絕緣層，所述第二有機(jī)絕緣層具有開口。

綜合步驟s402和步驟s403可知，本實施例中，先形成第一電極，接著形成保護(hù)膜，然后再形成第二絕緣層。也就是說，保護(hù)膜在第二絕緣層之下。

在本實施例中，所述第二有機(jī)絕緣層具有開口，以暴露所述保護(hù)膜的部分區(qū)域。作為一種實施方式，有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備中各層與所述開口相對應(yīng)的區(qū)域稱為發(fā)射區(qū)域，與所述開口不相對應(yīng)的區(qū)域稱為非發(fā)射區(qū)域。也就是說，所述第二有機(jī)絕緣層具有開口，以暴露所述保護(hù)膜的發(fā)射區(qū)域。

步驟s404：在所述第二有機(jī)絕緣層上制備有機(jī)發(fā)光層，其中在制備所述有機(jī)發(fā)光層前，去除位于所述開口下方的所述保護(hù)膜。

例如，在第二有機(jī)絕緣層上制備覆蓋所述開口的有機(jī)發(fā)光層，使有機(jī)發(fā)光層與第一電極相接觸。

可以理解，在形成第一電極之后到去除位于所述開口下方的所述保護(hù)膜之前，保護(hù)膜同時存在發(fā)射區(qū)域和非發(fā)射區(qū)域。制備有機(jī)發(fā)光層前，去除位于所述開口下方的所述保護(hù)膜之后，發(fā)射區(qū)域的保護(hù)膜被去除，保護(hù)膜存在于非發(fā)射區(qū)域。

作為一種實施方式，使用刻蝕氣體對位于所述開口下方的所述保護(hù)膜進(jìn)行干法刻蝕，從而去除位于所述開口下方的所述保護(hù)膜。例如，使用含氟且不含硫的氣體對保護(hù)膜進(jìn)行干刻，即上述刻蝕氣體為含氟且不含硫的氣體。例如，上述刻蝕氣體包括f2、nf3、cf4、bf3、sif4中至少一種。

需要說明的是，陽極成膜后，還要經(jīng)過若干掩模(mask)工藝及測試制程，才到形成有機(jī)發(fā)光層的制程，這中間需要經(jīng)過較長的時間，例如幾天到半個月不等。本發(fā)明實施例通過在第一電極上設(shè)置保護(hù)膜來避免在如此長的時間中第一電極發(fā)生氧化而影響產(chǎn)品的質(zhì)量性能，從而提高良品率。其中，上述若干mask工藝包括陽極相關(guān)工藝、pdl(像素定義層)相關(guān)工藝、spacer(間隔物)相關(guān)工藝等，而每個mask工藝包括涂膠、顯影成像、曝光、刻蝕和脫膜等步驟；上述若干測試制程包括teg測試、arraytest(陣列測試)、成像線寬檢測、自動光學(xué)異物檢測、宏觀微觀檢測等制程。

其中，去除開口下方的保護(hù)膜的步驟，可以在形成保護(hù)膜之后、制備有機(jī)發(fā)光層之前的任意工藝節(jié)點進(jìn)行。例如，可以在任一mask工藝之前或任一測試制程之前去除開口下方的保護(hù)膜。又如，可以保留開口下方的保護(hù)膜直到制備有機(jī)發(fā)光層。

步驟s405：在所述有機(jī)發(fā)光層上制備第二電極。其中，上述第二電極作為像素陰極。

上述有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的制備方法，通過在制備工藝的過程中，在設(shè)置第一電極后，于第一電極上設(shè)置保護(hù)膜，該保護(hù)膜在形成有機(jī)發(fā)光層前去除，保護(hù)膜從設(shè)置在第一電極上到被去除的這段時間內(nèi)，有效地隔絕了第一電極上的銀與空氣中的硫接觸，使得設(shè)置在第一電極上的有機(jī)發(fā)光層的結(jié)構(gòu)完整，提高了產(chǎn)品的良率。

為了便于理解本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的制備方法，現(xiàn)結(jié)合圖5至圖11，對有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的制備方法進(jìn)行詳細(xì)地說明。

如圖5所示，在基板100上制備tft310。例如，在基板100上制備頂柵結(jié)構(gòu)的tft310或底柵結(jié)構(gòu)的tft310。以頂柵結(jié)構(gòu)的tft為例，具體的，在基板100上順序制備半導(dǎo)體層311、柵極絕緣膜312、柵極電極313、層間絕緣膜314及源漏極315。

其中，半導(dǎo)體層311可包括無機(jī)半導(dǎo)體，例如，非晶硅)或有機(jī)半導(dǎo)體。在基板100上形成半導(dǎo)體層311之前，可通過使用化學(xué)機(jī)械平坦化和/或回蝕工序使基板100平坦化，以提供基本平坦的基板100表面。本實施例中，基板100為絕緣基板。半導(dǎo)體層311可形成于整個基板100上，然后通過蝕刻被圖案化。半導(dǎo)體層311可附加地被晶化。

在半導(dǎo)體層311上形成柵極絕緣膜312。柵極絕緣膜312覆蓋半導(dǎo)體層311。根據(jù)半導(dǎo)體層311的輪廓，柵極絕緣膜312的截面厚度可基本一致。

在柵極絕緣膜312上形成柵極電極313。柵極電極313可包括金屬、合金、金屬氮化物、導(dǎo)電金屬氧化物、透明導(dǎo)電材料等。

在柵極絕緣膜312上形成層間絕緣膜314以覆蓋柵極電極313。根據(jù)柵極絕緣膜312的輪廓，層間絕緣膜314的截面厚度可基本一致。層間絕緣膜314可包括硅化合物。

在層間絕緣膜314上形成設(shè)置源漏極電極315。源漏極電極315包括源極電極和漏極電極。源極電極和漏極電極關(guān)于位于中間的柵極電極313彼此間隔有預(yù)定距離，并且鄰近柵極電極313設(shè)置。其中，為了使源漏極電極315與半導(dǎo)體層311相接觸，一個實施例是，在形成層間絕緣膜314后，對層間絕緣膜314及柵極絕緣膜312進(jìn)行過孔刻蝕，形成貫穿層間絕緣膜314及柵極絕緣膜312的接觸孔，源漏極電極315穿過該接觸孔與半導(dǎo)體層311接觸。

另一實施例是，通過部分刻蝕柵極絕緣膜312和層間絕緣膜314以形成使半導(dǎo)體層311暴露的通孔。然后，在通孔中填充導(dǎo)電材料，從而在層間絕緣膜314上形成導(dǎo)電層(圖未示)。然后，將導(dǎo)電層圖案化以形成源極電極和漏極電極。

其中，源漏極電極包括源極電極和漏極電極，源極電極和漏極電極可包括金屬、合金、金屬氮化物、導(dǎo)電金屬氧化物、透明導(dǎo)電材料等。

如圖6所示，在tft310上形成第一有機(jī)絕緣層320。例如，第一有機(jī)絕緣層320具有預(yù)設(shè)厚度以完全覆蓋源極電極和漏極電極。本實施例中，第一有機(jī)絕緣層320為有機(jī)材料。根據(jù)第一有機(jī)絕緣層320的材料，第一有機(jī)絕緣層320可通過使用狹縫涂布、濺射、cvd、原子層沉積(ald)、pecvd、高密度等離子化學(xué)氣相沉積(hdp-cvd)、真空沉積等形成。優(yōu)選的，第一有機(jī)絕緣層采用聚酰亞胺，采用涂布的方法將聚酰亞胺材料制備成第一有機(jī)絕緣層320。

本實施例中，在第一有機(jī)絕緣層320上形成穿透的穿孔321，以使薄膜晶體管310的漏電極暴露。需要說明的是，穿孔321的穿透方式不限于圖6所示的方式，穿孔321還可以根據(jù)薄膜晶體管310的位置而設(shè)定。

如圖7所示，在第一有機(jī)絕緣層320上形成第一電極340。第一電極340填充穿孔321并且物理和/或電連接至薄膜晶體管的漏電極。本實施例中，第一電極340作為反射電極，可包括反射材料。例如，在第一有機(jī)絕緣層320上依次設(shè)置密著層、反射層以及阻擋層，得到第一電極340。在一個示例性實施方式中，例如，第一電極340可包括例如ag、mg、al、pt、pd、au、ni、nd、ir、cr、li、yb或ca等金屬或它們的合金。又如，第一電極340可具有包括上述金屬或合金的單層或多層結(jié)構(gòu)。又如，第一電極340包括ito/ag/ito結(jié)構(gòu)。

如圖8所示，在第一電極340上形成保護(hù)膜350。例如，在第一電極340上形成覆蓋第一電極340的保護(hù)膜350。其中保護(hù)膜350包括鉬或者鉬合金。又如，保護(hù)膜350是以鉬為主的合金，其中，mo的質(zhì)量百分比大于50％～60％。保護(hù)膜350的厚度根據(jù)實際工藝進(jìn)行調(diào)整。

如圖9所示，在保護(hù)膜350上形成第二有機(jī)絕緣層330。其中第二有機(jī)絕緣層330具有開口331，以暴露部分第一電極340和部分第一保護(hù)膜350。開口區(qū)域為發(fā)射區(qū)域，開口區(qū)域以外的區(qū)域為非發(fā)射區(qū)域。開口331可通過刻蝕第二有機(jī)絕緣層330形成。一實施例中，第二有機(jī)絕緣層330為聚酰亞胺等有機(jī)膠，可通過uv曝光顯影形成。

優(yōu)選的，開口331兩側(cè)的第二有機(jī)絕緣層330具有傾斜結(jié)構(gòu)。

優(yōu)選的，在所述第一電極上形成保護(hù)膜之后，在所述保護(hù)膜上形成第二有機(jī)絕緣層之前，還包括步驟：對所述第一電極及所述保護(hù)膜進(jìn)行刻蝕，以形成像素電極。例如，在形成第二有機(jī)絕緣層330之前進(jìn)行陽極刻蝕工藝，刻蝕掉部分第一電極以及部分保護(hù)膜。又如，使用刻蝕藥液刻蝕第一電極及保護(hù)膜，以形成像素電極。例如，刻蝕藥液包括磷酸、硝酸、醋酸或者其中至少兩種的混合液。又如，刻蝕藥液指的是這幾種藥液的一種或者兩種以上與其它藥液的混合液。也就是說，刻蝕液除了含有這三種藥液的一種或者多種外，還可以有其他藥液成分。

如圖10所示，在第一電極340上形成有機(jī)發(fā)光層360，其中，在形成有機(jī)發(fā)光層360前，去除發(fā)射區(qū)域的保護(hù)膜350。有機(jī)發(fā)光層360于開口331兩側(cè)的部分彎曲并與第二有機(jī)絕緣層330重疊。

例如，在形成有機(jī)發(fā)光層360前，使用刻蝕氣體干刻保護(hù)膜350。例如，刻蝕氣體為含氟且不含硫的氣體。有機(jī)發(fā)光層形成前，使用f2，nf3，cf4，bf3，sif4等至少一種氣體對保護(hù)膜350進(jìn)行干刻。或者使用至少一種上述氣體與其它氣體的混合氣體對保護(hù)膜350進(jìn)行干刻，其他氣體比如cl2和o2等。

保護(hù)膜從設(shè)置在第一電極上到被去除的這段時間內(nèi)，有效地隔絕了第一電極上的銀與空氣中的硫接觸，使得設(shè)置在第一電極上的有機(jī)發(fā)光層的結(jié)構(gòu)完整，提高了產(chǎn)品的良率。

如圖11所示，在有機(jī)發(fā)光層360上設(shè)置第二電極370。第二電極370覆蓋有機(jī)發(fā)光層360并與第二有機(jī)絕緣層330重疊。

第二電極370可包括透明導(dǎo)電材料。第二電極370可包括導(dǎo)電金屬氧化物，例如，ito、izo、zto、zno或in2o3。根據(jù)另一個示例性實施方式，第二電極370可包括包含選自li、ca、lif/ca、lif/al、al、ag、mg和yb及它們的組合的至少一種的薄膜。在一個示例性實施方式中，例如，第二電極370可包括包含mg:ag、ag:yb和/或ag的單層或多層結(jié)構(gòu)。

第二電極370可通過使用濺射、真空沉積、cvd、pld、印刷、ald等形成。在示例性實施方式中，第二電極370可被設(shè)置為使得相同的電壓被施加至所有像素，也就是說，同一基板上的像素共用陰極(第二電極)，第二電極370可以制備為連續(xù)的膜層結(jié)構(gòu)，無需通過刻蝕形成多個互相分離的像素陰極。

附加地在第二電極370上形成保護(hù)層(未示出)。保護(hù)層可覆蓋和保護(hù)oled。保護(hù)層可包括無機(jī)絕緣層和/或有機(jī)絕緣層，并且使用例如pecvd、apcvd和lpcvd的各種沉積方法形成。

以上所述實施例的各技術(shù)特征可以進(jìn)行任意的組合，為使描述簡潔，未對上述實施例中的各個技術(shù)特征所有可能的組合都進(jìn)行描述，然而，只要這些技術(shù)特征的組合不存在矛盾，都應(yīng)當(dāng)認(rèn)為是本說明書記載的范圍。

以上所述實施例僅表達(dá)了本發(fā)明的幾種實施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能因此而理解為對發(fā)明專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。因此，本發(fā)明專利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。