此申請要求2015年9月3日提交到韓國知識產(chǎn)權(quán)局的韓國專利申請10-2015-0124943的優(yōu)先權(quán)和權(quán)益，其公開通過引用被整體合并于此。

技術(shù)領(lǐng)域

一個或多個示例性實施例涉及一種有機發(fā)光顯示設(shè)備和制造有機發(fā)光顯示設(shè)備的方法。

背景技術(shù)：

有機發(fā)光顯示設(shè)備不僅具有輕量纖薄的外形，而且還具有寬視角、快響應(yīng)速度和低功耗，使得有機發(fā)光顯示設(shè)備作為下一代顯示設(shè)備而引人注目。

對于產(chǎn)生全彩色的有機發(fā)光顯示設(shè)備的情況，由各個像素區(qū)域發(fā)射不同顏色的光，并且可針對各個像素區(qū)域而圖案化有機發(fā)射層。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

一個或多個示例性實施例包括一種有機發(fā)光顯示設(shè)備和制造有機發(fā)光顯示設(shè)備的方法。

另外方面將部分地在隨后的描述中闡述，部分地從描述而顯而易見，或者可以通過對提出的實施例的實踐來獲知。

根據(jù)一個或多個示例性實施例，一種有機發(fā)光顯示設(shè)備包括：包括第一像素區(qū)域和第二像素區(qū)域的基底；分別與第一像素區(qū)域和第二像素區(qū)域?qū)?yīng)的像素電極；在基底上并限定與第一像素區(qū)域?qū)?yīng)的第一開口并且限定與第二像素區(qū)域?qū)?yīng)的第二開口的像素限定層；在第一開口中并與第一像素區(qū)域?qū)?yīng)的第一中間層；在第一中間層上的第一對向電極；在第二開口中并與第二像素區(qū)域?qū)?yīng)的第二中間層；在第二中間層上并與第一對向電極隔開的第二對向電極；在像素限定層上以覆蓋第一像素區(qū)域并覆蓋第二像素區(qū)域、并且被配置為將第一對向電極與第二對向電極電連接的連接電極層；以及在像素限定層與連接電極層之間并接觸像素限定層的導(dǎo)電粘合層。

像素限定層可以包括在第一開口與第二開口之間的堤岸，堤岸的第一點可以包括第一有機材料，堤岸的上表面可以包括與第一有機材料不同的第二有機材料。

導(dǎo)電粘合層可以直接接觸堤岸的上表面。

第二有機材料可以包括氟基聚合物。

堤岸的第一點可以在堤岸的上表面的下方。

導(dǎo)電粘合層的厚度可以小于連接電極層的厚度。

連接電極層可以包括第一金屬元素，導(dǎo)電粘合層可以包括與第一金屬元素不同的第二金屬元素。

第一金屬元素可以包括銀(Ag)和鎂(Mg)中的至少一種。

第二金屬元素可以包括鋁(Al)、銦(In)或鎢(W)。

導(dǎo)電粘合層可以包括具有透光性的金屬層。

導(dǎo)電粘合層可以包括具有透光性的金屬氧化物層。

根據(jù)一個或多個示例性實施例，一種制造有機發(fā)光顯示設(shè)備的方法包括：制備包括第一像素區(qū)域和第二像素區(qū)域的基底；形成分別與第一像素區(qū)域和第二像素區(qū)域?qū)?yīng)的像素電極；在基底上形成像素限定層，像素限定層限定分別暴露像素電極的第一開口和第二開口；形成與第一像素區(qū)域?qū)?yīng)的第一中間層；在第一中間層上形成第一對向電極；形成與第二像素區(qū)域?qū)?yīng)的第二中間層；在第二中間層上形成第二對向電極；在像素限定層上形成導(dǎo)電粘合層；以及形成將第一對向電極與第二對向電極電連接的連接電極層。

像素限定層可以包括在第一開口與第二開口之間的堤岸，在形成導(dǎo)電粘合層的時，導(dǎo)電粘合層可以直接接觸堤岸的上表面，堤岸的上表面包括與在堤岸的第一點處的第一有機材料不同的第二有機材料。

第二有機材料可以包括氟基聚合物。

形成第一中間層和形成第一對向電極可以包括使用第一掩模圖案，第一掩模圖案包括：用于直接接觸與第一開口相鄰的像素限定層的上表面并且限定與第一開口對應(yīng)的第一開口區(qū)域的第一中介層；在第一中介層上并包括與第一開口區(qū)域?qū)?yīng)的第二開口區(qū)域的第一感光圖案層。

第一開口區(qū)域的尺寸可以大于第二開口區(qū)域的尺寸。

該方法可以進一步包括通過使用溶劑除去第一中介層來除去第一掩模圖案。

連接電極層可以包括第一金屬元素，導(dǎo)電粘合層可以包括與第一金屬元素不同的第二金屬元素。

第一金屬元素可以包括銀(Ag)和鎂(Mg)中的至少一種。

第二金屬元素可以包括鋁(Al)、銦(In)或鎢(W)。

附圖說明

從結(jié)合附圖的對示例性實施例的下述描述，這些和/或其它方面將變得顯而易見并更易于理解，附圖中：

圖1是示出了根據(jù)一個示例性實施例的有機發(fā)光顯示設(shè)備的示意性剖視圖；

圖2是示出了根據(jù)一個比較例的有機發(fā)光顯示設(shè)備的剖視圖；

圖3是放大了圖2的區(qū)域III的透射電子顯微鏡(TEM)圖像；和

圖4至圖14是示出了根據(jù)一個示例性實施例的制造有機發(fā)光顯示設(shè)備的方法的工藝剖視圖。

具體實施方式

通過參考下述實施例的詳細描述和附圖，發(fā)明構(gòu)思的特征及其實現(xiàn)方法可以更易于理解。然而，發(fā)明構(gòu)思可以以許多不同的形式體現(xiàn)，不應(yīng)當被解釋為限于本文所闡述的實施例。在下文中，將參考附圖更詳細地描述示例實施例，在整個附圖中，相同的附圖標記指代相同的元件。然而，本發(fā)明可以以各種不同的形式體現(xiàn)，不應(yīng)當被解釋為僅限于本文示出的實施例。相反，提供這些實施例作為示例是為了使得公開將是充分和完整的，并且向本領(lǐng)域技術(shù)人員充分地傳達本發(fā)明的方面和特征。因此，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來說對于完整理解本發(fā)明的方面和特征不是必須的工藝、元件和技術(shù)可以不被描述。除非另有說明，在整個附圖和書面描述中，相同的附圖標記表示相同的元件，因而其描述將不再重復(fù)。在圖中，為了清楚起見，元件、層和區(qū)域的相對尺寸可能被夸大。

將理解的是，雖然術(shù)語“第一”、“第二”、“第三”等可在本文中用來描述各種元件、組件、區(qū)域、層和/或部分，但是這些元件、組件、區(qū)域、層和/或部分不應(yīng)該受這些術(shù)語的限制。這些術(shù)語僅用來區(qū)分一個元件、組件、區(qū)域、層或部分與另一元件、組件、區(qū)域、層或部分。因此，下面討論的第一元件、第一組件、第一區(qū)域、第一層或第一部分可以被稱為第二元件、第二組件、第二區(qū)域、第二層或第二部分，而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。

出于易于解釋，在本文中可以使用諸如“之下”、“下方”、“下”、“下面”、“上方”、“上”等的空間相對術(shù)語來描述如圖中所示的一個元件或特征與另一元件或特征的關(guān)系。將理解的是，除了圖中描述的方位之外，空間相對術(shù)語意在包含設(shè)備在使用或操作中的不同方位。例如，如果圖中設(shè)備被翻轉(zhuǎn)，則被描述為在其它元件或特征“下方”或“之下”或“下面”的元件將然后被定向為在其它元件或特征的“上方”。因此，示例術(shù)語“下方”和“下面”可以包括上方和下方兩種方位。設(shè)備可被另外定向(例如旋轉(zhuǎn)90度或者在其它方位)，本文使用的空間相對描述符應(yīng)該被相應(yīng)地解釋。

將理解的是，當元件、層、區(qū)域或組件被稱為在另一元件、層、區(qū)域或組件“上”、“被連接到”或“被結(jié)合到”另一元件、層、區(qū)域或組件時，它可以直接在另一元件、層、區(qū)域或組件上，被直接連接到或直接結(jié)合到另一元件、層、區(qū)域或組件，或者也可以存在一個或多個中間元件、中間層、中間區(qū)域或中間組件。另外，還將理解的是，當元件或?qū)颖环Q為在兩個元件或兩個層“之間”時，它可以是這兩個元件或兩個層之間的唯一元件或唯一層，或者還可以存在一個或多個中間元件或中間層。

在以下示例中，x軸、y軸和z軸不限于直角坐標系的三個軸，可以以更寬的含義來解釋。例如，x軸、y軸和z軸可以彼此垂直，或者可以代表彼此不垂直的不同方向。

本文使用的術(shù)語僅為了描述特定的實施例的目的，并不旨在限制本發(fā)明。如本文所用，單數(shù)形式的“一個”和“該”旨在也包括復(fù)數(shù)形式，除非上下文另有明確說明。將進一步理解的是，當在說明書中使用時，術(shù)語“包括”和“包含”表明存在所陳述的特征、整體、步驟、操作、元件和/或組件，但不排除存在或添加一個或多個其它特征、整體、步驟、操作、元件、組件和/或它們的組。如本文所用，術(shù)語“和/或”包括相關(guān)聯(lián)的所列項目中的一個或多個的任意和所有組合。當放在一列元件之前時，諸如“至少一個”的表述修飾的是整列元件，而不是修飾該列中的單個元件。

如本文所用，術(shù)語“基本上”、“大約”和類似術(shù)語被用作近似的術(shù)語，而不是作為程度的術(shù)語，并且旨在對將會由本領(lǐng)域普通技術(shù)人員公認的在測量值或計算值中的固有偏差做出解釋。此外，當描述本發(fā)明的實施例時，使用“可以”指的是“本發(fā)明的一個或多個實施例”。如本文所用，術(shù)語“使用”、“使用中”和“被使用”可以被認為分別與術(shù)語“利用”、“利用中”和“被利用來”同義。另外，術(shù)語“示例性”意指示例或例示。

當某個實施例可以被不同地實現(xiàn)時，具體的工藝順序可以與所描述的順序不同地執(zhí)行。例如，兩個連續(xù)描述的工藝可以基本上同時執(zhí)行，或者以與上述順序相反的順序執(zhí)行。

除非另有定義，本文使用的所有術(shù)語(包括技術(shù)和科學(xué)術(shù)語)具有與本發(fā)明所屬的技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員所通常理解的相同的含義。將進一步理解，諸如那些在常用字典中定義的術(shù)語應(yīng)該被解釋為具有與它們在相關(guān)領(lǐng)域和/或本說明書的上下文中的含義一致的含義，不應(yīng)該以理想化或過于正式的意義來解釋，除非在本文中明確地如此定義。

圖1是示出了根據(jù)一個示例性實施例的有機發(fā)光顯示設(shè)備的示意性剖視圖。

參考圖1，有機發(fā)光顯示設(shè)備包括像素區(qū)域P1、P2和P3。像素區(qū)域P1、P2和P3中的每個與一個像素對應(yīng)，每個像素發(fā)射與由其它像素發(fā)射的光不同的光。第一像素區(qū)域P1、第二像素區(qū)域P2和第三像素區(qū)域P3中的一個可以產(chǎn)生紅色，第一像素區(qū)域P1、第二像素區(qū)域P2和第三像素區(qū)域P3中的另一個可以產(chǎn)生綠色，第一像素區(qū)域P1、第二像素區(qū)域P2和第三像素區(qū)域P3中的最后一個可以產(chǎn)生藍色。例如，像素區(qū)域P1、P2和P3可以分別是產(chǎn)生紅色、綠色和藍色的像素。在以下的描述中，雖然為了方便描述，作為一個示例，第一像素區(qū)域P1產(chǎn)生紅色，第二像素區(qū)域P2產(chǎn)生綠色，第三像素區(qū)域P3產(chǎn)生藍色，但本發(fā)明不限于此。可以產(chǎn)生除了紅色、綠色和藍色之外的不同顏色的組合。根據(jù)另一示例性實施例，可以產(chǎn)生各種修改，使得該組合產(chǎn)生全彩色，諸如包括例如紅色、綠色、藍色和白色的四種顏色的組合。

彼此隔開的堆疊結(jié)構(gòu)分別位于像素區(qū)域P1、P2和P3上。堆疊結(jié)構(gòu)中的每個可以包括像素電極210、具有中間層221、222、223的部分、以及對向電極231、232、233。對向電極231、232、233被彼此隔開，并且由連接電極層250電連接，而導(dǎo)電粘合層240被設(shè)置在連接電極層250下方。

像素電極210與被形成在基底100上的像素電路PC電連接。像素電路PC可以包括薄膜晶體管和電容器，并且可以與被提供到像素區(qū)域P1、P2和P3中的每個的像素電極210電連接。具有大致平的上表面的絕緣層150覆蓋像素電路PC。

基底100可以包括各種材料，諸如包括聚對苯二甲酸乙酯(PET)、聚萘二甲酸(PEN)和聚酰亞胺的塑料材料。根據(jù)一個示例性實施例，在基底100包括塑料材料或金屬材料的情況下，相比于基底100包括玻璃材料的情況，柔性可提高。用于防止雜質(zhì)滲透的包括SiO₂和/或SiNx的緩沖層可以被提供在基底100上。

像素電極210以島型彼此隔開。在本實施例中，像素電極210是作為反射電極的陽極電極。根據(jù)一個示例性實施例，像素電極210可以包括包含Ag、Al、Au、Pt、Cr或其合金的單個反射金屬層。根據(jù)另一示例性實施例，像素電極210可以是在上述單個反射金屬層的上方和/或下方進一步包括氧化銦錫(ITO)層或氧化銦鋅(IZO)層的雙層或三層。

像素限定層180包括分別與像素區(qū)域P1、P2、P3對應(yīng)的開口OP1、OP2、OP3，并且還包括在開口OP1、OP2、OP3中的相鄰開口之間的堤岸(bank)181。像素限定層180可以是絕緣層，可包括碳基有機材料。像素電極210可以分別經(jīng)由開口OP1、OP2、OP3被暴露。堤岸181可覆蓋像素電極210的邊緣。堤岸181可通過增大像素電極210的端部與對向電極231、232、233的端部之間的距離和/或通過增大像素電極210與連接電極層250之間的距離來防止在像素電極210的端部處出現(xiàn)電弧(例如電短路)。

中間層221、222、223和對向電極231、232、233分別位于像素區(qū)域P1、P2、P3中。與第一像素區(qū)域P1對應(yīng)的中間層221被稱為第一中間層221，與第二像素區(qū)域P2對應(yīng)的中間層222被稱為第二中間層222，與第三像素區(qū)域P3對應(yīng)的中間層223被稱為第三中間層223。此外，與第一像素區(qū)域P1對應(yīng)的對向電極231被稱為第一對向電極231，與第二像素區(qū)域P2對應(yīng)的對向電極232被稱為為第二對向電極232，與第三像素區(qū)域P3對應(yīng)的對向電極233被稱為第三對向電極233。

第一至第三中間層221、222、223被彼此隔開，第一至第三對向電極231、232、233被彼此隔開。

第一中間層221可以包括第一發(fā)射層221b，還可以包括可以被分別設(shè)置在第一發(fā)射層221b的下方和上方的第一功能層221a和第二功能層221c。第一發(fā)射層221b可以包括用于發(fā)射紅光的熒光材料或磷光材料。第一功能層221a可以包括空穴注入層(HIL)和/或空穴傳輸層(HTL)。取決于被包括在第一發(fā)射層221b中的材料，第一功能層221a可以是HTL的單層，或者可以是HTL和HIL。第二功能層221c可包括電子傳輸層(ETL)和/或電子注入層(EIL)。根據(jù)一個示例性實施例，當如下所述第一對向電極231是具有高Ag含量的(半)透射金屬層時，第二功能層221c可包括包含Yb等的EIL。

第一對向電極231作為陰極電極具有透光性。根據(jù)一個示例性實施例，第一對向電極231可以是包含Ag和Mg的(半)透射金屬層。例如，第一對向電極231可以包括Ag含量大于Mg含量的Ag-Mg合金。根據(jù)另一示例性實施例，第一對向電極231可以是包括諸如ITO和IZO的透明導(dǎo)電氧化物(TCO)的透明導(dǎo)電層。

第一對向電極231的端部可覆蓋被提供在第一對向電極231的下方的第一中間層221的端部，第一發(fā)射層221b可以覆蓋第一功能層221a的端部，第二功能層221c可以覆蓋第一發(fā)射層221b的端部，第一對向電極231可以覆蓋第二功能層221c的端部。

第一對向電極231的端部可具有傾斜的表面。因為傾斜表面具有與堤岸181的上表面平滑連接的正錐形形狀，不具有倒錐形形狀，所以傾斜表面可以降低導(dǎo)電粘合層240在第一對向電極231的端部與堤岸181的連接部分處被切斷或損壞的可能性。

第二中間層222可以包括第二發(fā)射層222b，還可以包括可以被分別設(shè)置在第二發(fā)射層222b的下方和上方的第一功能層222a和第二功能層222c。第二發(fā)射層222b可以包括用于發(fā)射綠光的熒光材料或磷光材料。第一功能層222a可以包括HIL和/或HTL。取決于被包括在第二發(fā)射層222b中的材料，第一功能層222a可以是單個HTL，或者可以是HTL和HIL。第二功能層222c可包括ETL和/或EIL。根據(jù)一個示例性實施例，當如下所述第二對向電極232是具有高Ag含量的(半)透射金屬層時，第二功能層222c可包括包含Yb等的EIL。

第二對向電極232作為陰極電極具有透光性。根據(jù)一個示例性實施例，第二對向電極232可以是包含Ag和Mg的(半)透射金屬層。例如，第二對向電極232可以包括Ag含量大于Mg含量的Ag-Mg合金。根據(jù)另一示例性實施例，第二對向電極232可以是包括諸如ITO和IZO的TCO的透明導(dǎo)電層。

第二對向電極232的端部可覆蓋被提供在第二對向電極232的下方的第二中間層222的端部，第二發(fā)射層222b可以覆蓋第一功能層222a的端部，第二功能層222c可以覆蓋第二發(fā)射層222b的端部，第二對向電極232可以覆蓋第二功能層222c的端部。

第二對向電極232的端部可具有傾斜的表面。因為傾斜表面具有與堤岸181的上表面平滑連接的正錐形形狀，與倒錐形形狀相反，所以傾斜表面可以降低導(dǎo)電粘合層240在第二對向電極232的端部與堤岸181的連接部分處被切斷或損壞的可能性。

第三中間層223可以包括第三發(fā)射層223b，還可以包括可以被分別設(shè)置在第三發(fā)射層223b的下方和上方的第一功能層223a和第二功能層223c。第三發(fā)射層223b可以包括用于發(fā)射藍光的熒光材料或磷光材料。第一功能層223a可以包括HIL和/或HTL。取決于被包括在第三發(fā)射層223b中的材料，第一功能層223a可以是單個HTL，或者可以是HTL和HIL。第二功能層223c可包括ETL和/或EIL。根據(jù)一個示例性實施例，當如下所述第三對向電極233是具有高Ag含量的(半)透射金屬層時，第二功能層223c可包括包含Yb等的EIL。

第三對向電極233作為陰極電極具有透光性。根據(jù)一個示例性實施例，第三對向電極233可以是包含Ag和Mg的(半)透射金屬層。例如，第三對向電極233可以包括Ag含量大于Mg含量的Ag-Mg合金。根據(jù)另一示例性實施例，第三對向電極233可以是包括諸如ITO和IZO的TCO的透明導(dǎo)電層。

第三對向電極233的端部可覆蓋被提供在第三對向電極233的下方的第三中間層223的端部。第三發(fā)射層223b可以覆蓋第一功能層223a的端部，第二功能層223c可以覆蓋第三發(fā)射層223b的端部，第三對向電極233可以覆蓋第二功能層223c的端部。

第三對向電極233的端部可具有傾斜的表面。因為傾斜表面具有與堤岸181的上表面平滑連接的正錐形形狀，不具有倒錐形形狀，所以傾斜表面可以降低導(dǎo)電粘合層240在第三對向電極233的端部與堤岸181的連接部分處被切斷或損壞的可能性。

連接電極層250將第一至第三對向電極231、232和233彼此電連接。連接電極層250被一體地形成在基底100的整個表面上，以覆蓋第一像素區(qū)域P1、第二像素區(qū)域P2和第三像素區(qū)域P3。連接電極層250具有透光性。根據(jù)一個示例性實施例，連接電極層250可以是包含Ag和Mg的(半)透射金屬層。例如，連接電極層250可包括Ag含量大于Mg含量的Ag-Mg合金。

保護層260可覆蓋連接電極層250。保護層260可以包括例如有機材料。

導(dǎo)電粘合層240位于連接電極層250下方。導(dǎo)電粘合層240可被一體形成在基底100的整個表面上，以覆蓋第一像素區(qū)域P1、第二像素區(qū)域P2和第三像素區(qū)域P3。導(dǎo)電粘合層240的厚度t1可以小于連接電極層250的厚度t2。

導(dǎo)電粘合層240具有透光性。導(dǎo)電粘合層240可以包括與連接電極層250的金屬元素不同的金屬元素。例如，導(dǎo)電粘合層240可以包括Al、In和/或W。根據(jù)一個示例性實施例，導(dǎo)電粘合層240可以是包括Al的(半)透射金屬層。根據(jù)另一示例性實施例，導(dǎo)電粘合層240可以是包括In或W的金屬氧化物層。例如，導(dǎo)電粘合層240可以包括ITO、IZO、InOx和/或WOx。

導(dǎo)電粘合層240的一部分分別在連接電極層250與第一至第三對向電極231、232、233之間，導(dǎo)電粘合層240的其余部分在像素限定層180與連接電極層250之間。

堤岸181的上表面181s可以包括與堤岸181的其余部分的有機材料不同的有機材料。參考圖1的放大部分，與被包括在堤岸181的第一點181a(例如，相對于堤岸181的厚度方向的堤岸181的中心點)中的有機材料不同的有機材料可以被包括在堤岸181的上表面181s中。根據(jù)一個示例性實施例，堤岸181的第一點181a可以包括碳基有機材料，而堤岸181的上表面181s可包括碳基有機材料和氟基有機材料二者。如下所述，氟基有機材料可以是在形成第一至第三中間層221、222、223以及第一至第三對向電極231、232、233的工藝期間使用的材料。

圖2是示出了根據(jù)一個比較例的有機發(fā)光顯示設(shè)備的剖視圖，圖3是與圖2的區(qū)域III對應(yīng)的透射電子顯微鏡(TEM)圖像。

作為一個比較例，當如圖2所示連接電極層250'被形成為直接接觸第一至第三對向電極231、232、233時，包括氟基有機材料的堤岸181的上表面181s的表面能增大，使得如圖3所示，被形成在堤岸181的上表面181s上的連接電極層250'可能因表面能而被切斷。因此，連接電極層250'的表面電阻增大。為了防止連接電極層250'的切斷，連接電極層250'可以被形成為厚。然而，在這種情況下，連接電極層250'的吸光率增大，因此透光率降低。

然而，根據(jù)一個示例性實施例，因為具有優(yōu)異的粘合性的導(dǎo)電粘合層240在像素限定層180與連接電極層250之間，所以可以避免或防止連接電極層250的切斷。因此，可以解決表面電阻增大的問題或透光性的問題等。

圖4至圖14是示出了根據(jù)一個示例性實施例的制造有機發(fā)光顯示設(shè)備的方法的工藝剖視圖。

參考圖4，制備包括第一像素區(qū)域P1、第二像素區(qū)域P2和第三像素區(qū)域P3的基底100。用于防止雜質(zhì)滲透的緩沖層可被形成在基底100上，包括薄膜晶體管和電容器的像素電路PC可被形成在緩沖層上。第一像素區(qū)域P1、第二像素區(qū)域P2和第三像素區(qū)域P3各自包括一個像素電路PC。具有大致平坦的上表面的絕緣層150覆蓋像素電路PC。

之后，金屬層被形成在絕緣層150上，與第一像素區(qū)域P1、第二像素區(qū)域P2和第三像素區(qū)域P3對應(yīng)的像素電極210通過圖案化金屬層形成。像素電極210是反射電極。根據(jù)一個示例性實施例，像素電極210可以是包括Ag、Al、Au、Pt、Cr或其合金的單個反射金屬層。根據(jù)另一示例性實施例，像素電極210可以是在上述單個反射金屬層的上方和/或下方進一步包括ITO層或IZO層的雙層或三層。

接下來，有機絕緣層可以被形成在包括像素電極210的基底100上，像素限定層180可以通過圖案化有機絕緣層來形成。像素限定層180包括暴露像素電極210的第一開口OP1、第二開口OP2和第三開口OP3，并且還包括在開口OP1、OP2和OP3的相鄰開口之間的堤岸181。像素限定層180可以包括例如碳基有機材料。

參考圖5，覆蓋第二像素區(qū)域P2和第三像素區(qū)域P3的同時留下第一像素區(qū)域P1沒有被覆蓋的第一掩模圖案300被形成。第一掩模圖案300可以包括包含第一開口區(qū)域OR1的第一中介層310和包含第二開口區(qū)域OR2的第一感光圖案層320。

第一掩模圖案300可以通過順序地形成包括非感光氟基有機材料的第一有機材料層，并形成第一感光層，并于此后執(zhí)行曝光、顯影和蝕刻來形成。

首先，第一有機材料層和第一感光層被順序地形成在基底100上，第一感光層的與第一像素區(qū)域P1對應(yīng)的一部分被曝光。在這之后，具有第二開口區(qū)域OR2的第一感光圖案層320通過顯影第一感光層來形成。接下來，具有第一開口區(qū)域OR1的第一中介層310通過蝕刻第一有機材料層的經(jīng)由第二開口區(qū)域OR2被暴露的一部分來形成。第一開口區(qū)域OR1的尺寸可以經(jīng)由蝕刻工藝被形成為大于第二開口區(qū)域OR2的尺寸。

第一開口區(qū)域OR1和第二開口區(qū)域OR2與像素限定層180的第一開口OP1對應(yīng)。第一開口OP1(例如由第一開口OP1暴露的堤岸181和像素電極210)經(jīng)由第一開口區(qū)域OR1和第二開口區(qū)域OR2被暴露。

參考圖6，第一中間層221和第一對向電極231被順序地形成在其上具有第一掩模圖案300的基底100上。第一中間層221和第一對向電極231可以被形成在基底100的整個表面上。第一中間層221可以包括第一發(fā)射層221b，并且可包括分別在第一發(fā)射層221b的下方和上方的第一功能層221a和第二功能層221c。

根據(jù)一個示例性實施例，第一功能層221a、第一發(fā)射層221b、第二功能層221c和第一對向電極231可以被順序地形成在基底100的整個表面上，而第一掩模圖案300在基底100上。

第一發(fā)射層221b可以包括例如可以發(fā)射紅色的光的熒光材料或者磷光材料。第一功能層221a可以包括HTL和/或HIL。第二功能層221c可包括EIL和/或ETL。HTL、HIL、EIL和ETL可以取決于第一發(fā)射層221b的材料并取決于第一對向電極231的材料而選擇性地形成。

第一對向電極231具有透光性。根據(jù)一個示例性實施例，第一對向電極231可以是包含Ag和Mg的(半)透射金屬層。例如，第一對向電極231可以包括Ag含量大于Mg含量的Ag-Mg合金。根據(jù)另一示例性實施例，第一對向電極231可以是包括諸如ITO和IZO的TCO的透明導(dǎo)電層。

在第一中間層221和第一對向電極231的沉積工藝期間，沉積材料可以沿著基底100的傾斜方向并沿著垂直于基底100的方向朝向基底100移動。因此，第一中間層221的端部和第一對向電極231的端部可延伸到第一感光圖案層320的下方的空間，以與第一感光圖案層320部分地重疊。然而，第一中間層221的端部和第一對向電極231的端部不接觸第一中介層310。如果第一中間層221的端部和第一對向電極231的端部接觸第一中介層310，則如下所述可能出現(xiàn)在第一掩模圖案300被除去的剝離工藝期間第一中間層221的端部和第一對向電極231的端部與堤岸181隔開的浮起現(xiàn)象。

通過上述沉積工藝，第一對向電極231的端部可具有傾斜的表面。傾斜的表面具有與堤岸181的上表面平滑連接的正錐形形狀，而不是倒錐形形狀。

在第一中間層221和第一對向電極231被順序沉積時，第一對向電極231可以覆蓋第一中間層221的端部。根據(jù)一個示例性實施例，第一對向電極231可覆蓋第二功能層221c的端部，第二功能層221c可以覆蓋第一發(fā)射層221b的端部，第一發(fā)射層221b可以覆蓋第一功能層221a的端部。

參考圖7，第一掩模圖案300經(jīng)由剝離工藝被除去。根據(jù)一個示例性實施例，因為在第一有機材料層被圖案化時形成的第一中介層310包括氟基有機材料，所以第一中介層310可以通過使用氟基溶劑被除去。第一中介層310上的第一感光圖案層320以及被堆疊在第一感光圖案層320上的第一中間層221和第一對向電極231可以在第一中介層310被除去時與基底100隔開。

在第一掩模圖案300被除去時，具有島狀的第一中間層221和第一對向電極231留在第一像素區(qū)域P1中。

參考圖8，覆蓋第一像素區(qū)域P1和第三像素區(qū)域P3的同時留下第二像素區(qū)域P2沒有被覆蓋的第二掩模圖案400被形成。第二掩模圖案400可以包括具有與第二像素區(qū)域P2對應(yīng)的第三開口區(qū)域OR3的第二中介層410，還可以包括具有第四開口區(qū)域OR4的第二感光圖案層420。

第二掩模圖案400可以通過順序地形成包括非感光氟基有機材料的第二有機材料層，形成第二感光層，然后通過執(zhí)行曝光、顯影和蝕刻來形成。

首先，第二有機材料層和第二感光層被順序地形成在基底100上，第二感光層的與第二像素區(qū)域P2對應(yīng)的一部分被曝光。在這之后，具有第四開口區(qū)域OR4的第二感光圖案層420通過顯影第二感光層來形成。接下來，具有第三開口區(qū)域OR3的第二中介層410通過蝕刻第二有機材料層的經(jīng)由第四開口區(qū)域OR4被暴露的一部分來形成。第三開口區(qū)域OR3的尺寸可以經(jīng)由蝕刻工藝被形成為大于第四開口區(qū)域OR4的尺寸。

第三開口區(qū)域OR3和第四開口區(qū)域OR4與像素限定層180的第二開口OP2對應(yīng)。第二開口OP2(例如由第二開口OP2暴露的堤岸181和像素電極210)經(jīng)由第三開口區(qū)域OR3和第四開口區(qū)域OR4被暴露。

參考圖9，第二中間層222和第二對向電極232被順序地形成在由第二掩模圖案400部分地覆蓋的基底100上。第二中間層222和第二對向電極232可以被形成在基底100的整個表面上。第二中間層222可以包括第二發(fā)射層222b，并且可包括分別位于第二發(fā)射層222b的下方和上方的第一功能層222a和第二功能層222c。

根據(jù)一個示例性實施例，第一功能層222a、第二發(fā)射層222b、第二功能層222c和第二對向電極232可以被順序地形成在包括第二掩模圖案400的基底100的整個表面上。

第二發(fā)射層222b可以包括例如可以發(fā)射綠色的光的熒光材料或者磷光材料。第一功能層222a可以包括HTL和/或HIL。第二功能層222c可包括EIL和/或ETL。HTL、HIL、EIL和ETL可以取決于第二發(fā)射層222b的材料并取決于第二對向電極232的材料而選擇性地形成。

第二對向電極232具有透光性。根據(jù)一個示例性實施例，第二對向電極232可以是包含Ag和Mg的(半)透射金屬層。例如，第二對向電極232可以包括Ag含量大于Mg含量的Ag-Mg合金。根據(jù)另一示例性實施例，第二對向電極232可以是包括諸如ITO和IZO的TCO的透明導(dǎo)電層。

在第二中間層222和第二對向電極232的沉積工藝期間，沉積材料可以沿著基底100的傾斜方向并沿著垂直于基底100的方向朝向基底100移動。因此，第二中間層222的端部和第二對向電極232的端部可延伸到第二感光圖案層420下方的空間，以與第二感光圖案層420部分地重疊。然而，第二中間層222的端部和第二對向電極232的端部不接觸第二中介層410。如果第二中間層222的端部和第二對向電極232的端部接觸第二中介層410，則如下所述，在第二掩模圖案400的剝離工藝期間可能出現(xiàn)浮起現(xiàn)象，由此第二中間層222的端部和第二對向電極232的端部與堤岸181隔開。

通過上述沉積工藝，第二對向電極232的端部可具有傾斜的表面。傾斜的表面具有與堤岸181的上表面平滑連接的正錐形形狀，而不是倒錐形形狀。

在第二中間層222和第二對向電極232被順序沉積時，第二對向電極232可以覆蓋第二中間層222的端部。根據(jù)一個示例性實施例，第二對向電極232可覆蓋第二功能層222c的端部，第二功能層222c可以覆蓋第二發(fā)射層222b的端部，第二發(fā)射層222b可以覆蓋第一功能層222a的端部。

參考圖10，第二掩模圖案400經(jīng)由剝離工藝被除去。根據(jù)一個示例性實施例，因為在第二有機材料層被圖案化時形成的第二中介層410包括氟基有機材料，所以第二中介層410可以通過使用氟基溶劑被除去。第二中介層410上的第二感光圖案層420以及被堆疊在第二感光圖案層420上的第二中間層222和第二對向電極232可以在第二中介層410被除去時與基底100隔開。

在第二掩模圖案400被除去時，具有島狀的第二中間層222和第二對向電極232留在第二像素區(qū)域P2中。

參考圖11，留下第三像素區(qū)域P3沒有被覆蓋的同時覆蓋第一像素區(qū)域P1和第二像素區(qū)域P2的第三掩模圖案500被形成。第三掩模圖案500可以包括具有第五開口區(qū)域OR5的第三中介層510，還可以包括具有第六開口區(qū)域OR6的第三感光圖案層520。

第三掩模圖案500可以通過順序地形成包括非感光氟基有機材料的第三有機材料層，并形成第三感光層，然后通過執(zhí)行曝光、顯影和蝕刻來形成。

首先，第三有機材料層和第三感光層被順序地形成在基底100上，第三感光層的與第三像素區(qū)域P3對應(yīng)的一部分被曝光。在這之后，具有第六開口區(qū)域OR6的第三感光圖案層520通過顯影第三感光層來形成。接下來，具有第五開口區(qū)域OR5的第三中介層510通過蝕刻第三有機材料層的經(jīng)由第六開口區(qū)域OR6被暴露的一部分來形成。第五開口區(qū)域OR5的尺寸可以經(jīng)由蝕刻工藝被形成為大于第六開口區(qū)域OR6的尺寸。

第五開口區(qū)域OR5和第六開口區(qū)域OR6與像素限定層180的第三開口OP3對應(yīng)。第三開口OP3(例如由第三開口OP3暴露的堤岸181和像素電極210)經(jīng)由第五開口區(qū)域OR5和第六開口區(qū)域OR6被暴露。

參考圖12，第三中間層223和第三對向電極233被順序地形成在包括第三掩模圖案500的基底100上。第三中間層223和第三對向電極233可以被形成在基底100的整個表面上。第三中間層223可以包括第三發(fā)射層223b，并且可包括分別位于第三發(fā)射層223b的下方和上方的第一功能層223a和第二功能層223c。

根據(jù)一個示例性實施例，第一功能層223a、第三發(fā)射層223b、第二功能層223c和第三對向電極233可以被順序地形成在包括第三掩模圖案500的基底100的整個表面上。

第三發(fā)射層223b可以包括例如可以發(fā)射藍色的光的熒光材料或者磷光材料。第一功能層223a可以包括HTL和/或HIL。第二功能層223c可包括EIL和/或ETL。HTL、HIL、EIL和ETL可以取決于第三發(fā)射層223b的材料并取決于第三對向電極233的材料而選擇性地形成。

第三對向電極233具有透光性。根據(jù)一個示例性實施例，第三對向電極233可以是包含Ag和Mg的(半)透射金屬層。例如，第三對向電極233可以包括Ag含量大于Mg含量的Ag-Mg合金。根據(jù)另一示例性實施例，第三對向電極233可以是包括諸如ITO和IZO的TCO的透明導(dǎo)電層。

在第三中間層223和第三對向電極233的沉積工藝期間，沉積材料可以沿著基底100的傾斜方向朝向基底100移動，并且還可以沿著垂直于基底100的方向移動。因此，第三中間層223的端部和第三對向電極233的端部可延伸到第三感光圖案層520下方的空間，以與第三感光圖案層520部分地重疊。然而，第三中間層223的端部和第三對向電極233的端部不接觸第三中介層510。如果第三中間層223的端部和第三對向電極233的端部接觸第三中介層510，則如下所述，可能出現(xiàn)在第三掩模圖案500的剝離工藝期間第三中間層223的端部和第三對向電極233的端部與堤岸181隔開的浮起現(xiàn)象。

通過上述沉積工藝，第三對向電極233的端部可具有傾斜的表面。傾斜的表面具有與堤岸181的上表面平滑連接的正錐形形狀，而不是倒錐形形狀。

在第三中間層223和第三對向電極233被順序沉積時，第三對向電極233可以覆蓋第三中間層223的端部。根據(jù)一個示例性實施例，第三對向電極233可覆蓋第二功能層223c的端部，第二功能層223c可以覆蓋第三發(fā)射層223b的端部，第三發(fā)射層223b可以覆蓋第一功能層223a的端部。

參考圖13，第三掩模圖案500經(jīng)由剝離工藝被除去。根據(jù)一個示例性實施例，因為在第三有機材料層被圖案化時形成的第三中介層510包括氟基有機材料，所以第三中介層510可以通過使用氟基溶劑被除去。第三中介層510上的第三感光圖案層520以及被堆疊在第三感光圖案層520上的第三中間層223和第三對向電極233可以在第三中介層510被除去時與基底100隔開。

在第三掩模圖案500被除去時，具有島狀的第三中間層223和第三對向電極233留在第三像素區(qū)域P3中。

通過使用第一至第三掩模圖案300、400和500的沉積和剝離工藝，形成第一至第三中介層310、410和510的氟基有機材料的一部分形成堤岸181的上表面。參考圖13中所示的放大區(qū)域，堤岸181的第一點181a(例如相對于堤岸181的厚度方向的堤岸181的中心點)可以包括碳基有機材料，但堤岸181的上部(例如堤岸181的上表面181s)不僅可以包括碳基材料，而且可以包括氟基有機材料。

參考圖14，導(dǎo)電粘合層240和連接電極層250被形成在基底100上。在這之后，包括有機材料的保護層260可被進一步形成在連接電極層250上。

連接電極層250將彼此隔開的第一至第三對向電極231、232和233電連接。連接電極層250被一體地形成在基底100的整個表面上，以覆蓋第一像素區(qū)域P1、第二像素區(qū)域P2和第三像素區(qū)域P3。連接電極層250可以是包含Ag和Mg的(半)透射金屬層。例如，連接電極層250可包括Ag含量大于Mg含量的Ag-Mg合金。

如參考圖2和圖3所述，當根據(jù)一個比較例的有機發(fā)光顯示設(shè)備的連接電極層250'被形成為直接接觸第一至第三對向電極231、232和233時，連接電極層250'可能在堤岸181上被切斷。因此，連接電極層250'的表面電阻增大。為了防止連接電極層250'的切斷，連接電極層250'可以被形成為較厚。然而，在這種情況下，連接電極層250'的吸光率增大，因此透射率降低。

然而，根據(jù)本發(fā)明的一個示例性實施例，因為在形成具有優(yōu)秀的粘合性的導(dǎo)電粘合層240之后形成連接電極層250，所以可以防止連接電極層250的切斷和表面電阻增大的問題。

導(dǎo)電粘合層240可以包括具有優(yōu)秀的粘合性的金屬層或金屬氧化物層。根據(jù)一個示例性實施例，導(dǎo)電粘合層240可以是包括Al的(半)透射金屬層。根據(jù)另一示例性實施例，導(dǎo)電粘合層240可以是包括In或W的透明導(dǎo)電金屬氧化物層。例如，導(dǎo)電粘合層240可以包括ITO、IZO、InOx或WOx。

導(dǎo)電粘合層240的一部分被設(shè)置在第一至第三對向電極231、232、233與連接電極層250之間，導(dǎo)電粘合層240的其余部分被設(shè)置在堤岸181與連接電極層250之間。由于導(dǎo)電粘合層240具有優(yōu)秀的粘合性，導(dǎo)電粘合層240不僅被很好地附著到第一至第三對向電極231、232、233的上表面，而且也被附著到堤岸181的上表面181s。

表1表示根據(jù)比較例和示例性實施例的電阻值。

表1

在表1中，比較例表示導(dǎo)電粘合層包括包含Yb的半透射金屬層并且連接電極層包括Ag和Mg的合金的情況。示例性實施例1表示導(dǎo)電粘合層包括包含Al的半透射金屬層并且連接電極層包括包含Yb的第一層及包含Ag和Mg的合金的第二層的情況。示例性實施例2表示導(dǎo)電粘合層包括包含Al的半透射金屬層并且連接電極層包括Ag和Mg的合金的情況。

參考表1，揭示出當導(dǎo)電粘合層包括包含Al的半透射金屬層時，獲得了優(yōu)秀的表面電阻。

示例性實施例可以經(jīng)由相對簡單的工藝制造有機發(fā)光顯示設(shè)備，并穩(wěn)定地執(zhí)行與相應(yīng)像素區(qū)域?qū)?yīng)并彼此隔開的對向電極的電連接。

盡管已經(jīng)參考在圖中示出的示例性實施例描述了發(fā)明構(gòu)思，但提供這些示例性實施例僅是為了示例性目的，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將理解，可以在本文中進行各種修改和其它等效實施例。因此，發(fā)明構(gòu)思的精神和范圍應(yīng)該由以下權(quán)利要求及其等同方案來限定。