1.一種硅的深溝槽形成方法,其特征在于，包括以下步驟：
步驟1，在半導(dǎo)體硅晶片上沉積硬質(zhì)掩膜層；
步驟2，對(duì)所述硬質(zhì)掩膜層的預(yù)設(shè)區(qū)域進(jìn)行刻蝕直到露出所述半導(dǎo)體硅晶片，在所述硬質(zhì)掩膜層中形成至少一個(gè)縱切面為倒梯形的圖形；
步驟3，以所述硬質(zhì)掩膜層為掩膜刻蝕所述半導(dǎo)體硅晶片,在所述半導(dǎo)體硅晶片中與所述縱切面為倒梯形圖形對(duì)應(yīng)位置形成深溝槽；
步驟4，去除所述硬質(zhì)掩膜層，直至露出半導(dǎo)體硅晶片的上表面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種硅的深溝槽形成方法，其特征在于，步驟1中，所述硬質(zhì)掩膜層為PETEOS薄膜或氮化硅薄膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種硅的深溝槽形成方法，其特征在于，步驟1中，當(dāng)所述硬質(zhì)掩膜層為PETEOS薄膜時(shí)，采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積方法沉積所述PETEOS薄膜；或者當(dāng)所述硬質(zhì)掩膜層為氮化硅薄膜時(shí)，采用低壓化學(xué)氣相沉積方法沉積所述氮化硅薄膜。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種硅的深溝槽形成方法，其特征在于，步驟2中,采用干法刻蝕方法在所述硬質(zhì)掩膜層中形成所述至少一個(gè)縱切面為倒梯形的圖形。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種硅的深溝槽形成方法，其特征在于，步驟3中，采用干法刻蝕方法在所述半導(dǎo)體硅晶片中形成所述深溝槽。
6.根據(jù)權(quán)利要求1～5任一所述的一種硅的深溝槽形成方法，其特征在于，所述倒梯形圖形的底部寬度范圍為35nm～100nm，所述倒梯形圖形頂部寬度范圍為125nm～200nm，所述倒梯形圖形的高度范圍為250nm～350nm。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種硅的深溝槽形成方法，其特征在于，所述深溝槽的寬度范圍為70nm～90nm，所述深溝槽的深度范圍為2000nm～2500nm。
8.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括半導(dǎo)體硅晶片和利用權(quán)利要求1～7任一所述硅的深溝槽形成方法在所述半導(dǎo)體硅晶片上形成的深溝槽。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述深溝槽的寬度范圍為70nm～90nm，所述深溝槽的深度范圍為2000nm～2500nm。
10.一種背照式CMOS傳感器，其特征在于，包括權(quán)利要求8或9所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。