本發(fā)明涉及通信設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種縱包小型封裝接口線。

背景技術(shù)：

SFP模塊則通過(guò)將CDR和電色散補(bǔ)償放在了模塊外面，而更加壓縮了尺寸和功耗。用于電信和數(shù)據(jù)通信中光通信應(yīng)用。SFP聯(lián)接網(wǎng)絡(luò)設(shè)備如交換機(jī)、路由器等設(shè)備的主板和光纖或UTP線纜。

目前，封裝接口線的絕緣材料為PE，其強(qiáng)度不足，線對(duì)鋁箔屏蔽效果不好，導(dǎo)致其衰減、回波損耗、差分轉(zhuǎn)共模信號(hào)不良，亟待改進(jìn)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的缺陷和不足，提供一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，設(shè)計(jì)合理、使用方便的縱包小型封裝接口線，采用改性PE，絕緣強(qiáng)度提高，線對(duì)屏蔽采用30微米厚鋁箔縱包粘合，線材性能測(cè)試完全滿(mǎn)足技術(shù)要求，實(shí)用性更強(qiáng)。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案是：它由中心線對(duì)和平行線對(duì)構(gòu)成，中心線對(duì)的一側(cè)設(shè)有平行線對(duì)，所述的中心線對(duì)與平行線對(duì)組成的整體外部設(shè)有屏蔽層，屏蔽層的外部設(shè)有外屏蔽層，外屏蔽層的外部設(shè)有外護(hù)套；所述的中心線對(duì)和平行線對(duì)均由兩個(gè)內(nèi)導(dǎo)體和地線構(gòu)成，每個(gè)內(nèi)導(dǎo)體的外部包設(shè)有改性PE絕緣體，兩個(gè)改性PE絕緣體之間上部設(shè)有地線，所述的地線以及兩個(gè)改性PE絕緣體組成的一個(gè)整體外部縱包粘合有30μm厚的熱融自粘鋁箔，30μm厚的熱融自粘鋁箔的外部設(shè)有小外被，小外被的外部設(shè)有線號(hào)標(biāo)記層。

進(jìn)一步地，所述的內(nèi)導(dǎo)體為直徑0.28mm的鍍銀銅。

進(jìn)一步地，所述的30μm厚的熱融自粘鋁箔的寬度為7mm。

進(jìn)一步地，所述的改性PE絕緣體的直徑為0.85mm。

進(jìn)一步地，所述的地線為直徑0.254mm的鍍錫銅。

進(jìn)一步地，所述的小外被為4mm寬*25μm厚的熱融PET帶。

進(jìn)一步地，所述的屏蔽層為12mm寬*25μm厚的鋁箔。

進(jìn)一步地，所述的外屏蔽層的規(guī)格為16束*6根每束*0.1mm每根，編織節(jié)距為32mm。

進(jìn)一步地，所述的外護(hù)套為直徑4.5mm的阻燃黑灰色PVC。

本發(fā)明的工作原理：SFP模塊體積比GBIC模塊減少一半，可以在相同面板上配置多出一倍以上的端口數(shù)量，采用了改性PE，絕緣強(qiáng)度提高了30％，線對(duì)屏蔽采用30微米厚鋁箔縱包粘合，線材性能測(cè)試完全滿(mǎn)足技術(shù)要求。

采用上述結(jié)構(gòu)后，本發(fā)明有益效果為：本發(fā)明所述的一種縱包小型封裝接口線，采用改性PE，絕緣強(qiáng)度提高，線對(duì)屏蔽采用30微米厚鋁箔縱包粘合，線材性能測(cè)試完全滿(mǎn)足技術(shù)要求，實(shí)用性更強(qiáng)，本發(fā)明具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，設(shè)置合理，制作成本低等優(yōu)點(diǎn)。

附圖說(shuō)明

為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2是本發(fā)明中中心線對(duì)和平行線對(duì)的結(jié)構(gòu)示意圖。

附圖標(biāo)記說(shuō)明：

內(nèi)導(dǎo)體1、線號(hào)標(biāo)記層2、30μm厚的熱融自粘鋁箔3、改性PE絕緣體4、

地線5、小外被6、平行線對(duì)7、屏蔽層8、外屏蔽層9、外護(hù)套10。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的說(shuō)明。

參看如圖1和圖2所示，本具體實(shí)施方式采用的技術(shù)方案是：它由一個(gè)中心線對(duì)和一個(gè)平行線對(duì)7構(gòu)成，中心線對(duì)的一側(cè)設(shè)有平行線對(duì)7，所述的中心線對(duì)與平行線對(duì)7組成的整體外部設(shè)有屏蔽層8，屏蔽層8的外部設(shè)有外屏蔽層9，外屏蔽層9的外部設(shè)有外護(hù)套10；所述的中心線對(duì)和平行線對(duì)7均由兩個(gè)內(nèi)導(dǎo)體1和地線5構(gòu)成，每個(gè)內(nèi)導(dǎo)體1的外部包設(shè)有改性PE絕緣體4，兩個(gè)改性PE絕緣體4之間上部設(shè)有地線5，所述的地線5以及兩個(gè)改性PE絕緣體4組成的一個(gè)整體外部縱包粘合有30μm厚的熱融自粘鋁箔3，30μm厚的熱融自粘鋁箔3的外部設(shè)有小外被6，小外被6的外部設(shè)有線號(hào)標(biāo)記層2。

進(jìn)一步地，所述的內(nèi)導(dǎo)體1為直徑0.28mm的鍍銀銅。

進(jìn)一步地，所述的30μm厚的熱融自粘鋁箔3的寬度為7mm。

進(jìn)一步地，所述的改性PE絕緣體4的直徑為0.85mm。

進(jìn)一步地，所述的地線5為直徑0.254mm的鍍錫銅。

進(jìn)一步地，所述的小外被6為4mm寬*25μm厚的熱融PET帶。

進(jìn)一步地，所述的屏蔽層8為12mm寬*25μm厚的鋁箔。

進(jìn)一步地，所述的外屏蔽層9的規(guī)格為16束*6根每束*0.1mm每根，編織節(jié)距為32mm。

進(jìn)一步地，所述的外護(hù)套10為直徑4.5mm的阻燃黑灰色PVC。

本具體實(shí)施方式的工作原理：SFP模塊體積比GBIC模塊減少一半，可以在相同面板上配置多出一倍以上的端口數(shù)量，采用了改性PE，絕緣強(qiáng)度提高了30％，線對(duì)屏蔽采用30微米厚鋁箔縱包粘合，線材性能測(cè)試完全滿(mǎn)足技術(shù)要求。

采用上述結(jié)構(gòu)后，本具體實(shí)施方式有益效果為：本具體實(shí)施方式所述的一種縱包小型封裝接口線，采用改性PE，絕緣強(qiáng)度提高，線對(duì)屏蔽采用30微米厚鋁箔縱包粘合，線材性能測(cè)試完全滿(mǎn)足技術(shù)要求，實(shí)用性更強(qiáng)，本發(fā)明具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，設(shè)置合理，制作成本低等優(yōu)點(diǎn)。

以上所述，僅用以說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)方案而非限制，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案所做的其它修改或者等同替換，只要不脫離本發(fā)明技術(shù)方案的精神和范圍，均應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的權(quán)利要求范圍當(dāng)中。