本發(fā)明涉及光學器件領域，尤其是一種ON-CELL用ITO透明導電膜及其制作工藝。

背景技術：

On-cell是指將觸摸面板功能嵌入到彩色濾光片基板和偏光板之間的方法；由于液晶面板不耐高溫，故在液晶模板生產過程中，液晶面板之上的ITO鍍膜時溫度不能過高，只能鍍制低溫ITO膜層，而低溫ITO膜層的透光性以及電阻率等性能均不理想。隨著消費電子市場需求，現(xiàn)有消費電子用觸摸屏都要求屏幕盡可能大，這就要求用于觸控功能的ITO膜層電阻盡可能低，否則影響觸控靈敏度。現(xiàn)有工藝制備的低溫ITO膜層存在透光性較低，電阻率較高的特效，其難以滿足上述大尺寸屏幕的使用要求。與此同時，現(xiàn)有的ITO膜層較厚，其蝕刻痕跡較為明顯。

技術實現(xiàn)要素：

本發(fā)明要解決的技術問題是提供一種ON-CELL用ITO透明導電膜及其制作工藝，其可針對大屏幕電子產品形成同時滿足高透光率以及低電阻的ITO膜層，進而致使觸控面板整體可改善觸控的靈敏度。

為解決上述技術問題，本發(fā)明涉及一種ON-CELL用ITO透明導電膜，其包括有A膜層、二氧化硅膜層、ITO膜層，所述A模層為氧化鈮膜層與二氧化鈦膜層中的任意一種，所述ON-CELL用ITO透明導電膜膜層結構依次為：A膜層、二氧化硅膜層、ITO膜層。

上述ON-CELL用ITO透明導電膜的制作工藝包括有如下工藝步驟：

1)將玻璃基板、A靶材、硅靶以及ITO靶材分別安裝在鍍膜箱體之中，并對鍍膜箱體進行抽真空處理，所述A靶材為氧化鈮靶材與二氧化鈦靶材中的任意一種；

2)將鍍膜箱體內部在300～500℃的溫度環(huán)境下烘烤3～6h，以去除鍍膜箱體內部雜質氣體；

3)當鍍膜箱體內部真空度達到5*10^-4pa時，向鍍膜箱體內充入純度為99.99%的氬氣與氧氣，直至鍍膜箱體內部工作壓強達到0.1～0.6Pa，鍍膜箱體內部ITO靶材所處位置氧氣占比為5～10%；

4)在70℃的環(huán)境溫度下開啟A靶材、硅靶與ITO靶材電源，當A靶材、硅靶與ITO靶材的靶材表面分別形成等離子區(qū)，在鍍膜箱體內進行磁控濺射，通過氬氣轟擊靶材表面，以在玻璃基板上依次沉積A膜層、二氧化硅膜層、ITO膜層，得到成型面板；所述A膜層為步驟1）所采用的氧化鈮靶材與二氧化鈦靶材所得到的對應膜層；

5)將完成鍍膜后的成型面板置于退火箱體內進行真空冷卻退火處理，退火箱體內部安裝有冷卻板，成型面板置于置于冷卻板之上進行退火處理，冷卻板溫度為8至15℃，退火時間為20至40min。

作為本發(fā)明的一種改進，所述步驟1）中的ITO靶材內氧化銦和氧化錫的質量比例為90:10。

作為本發(fā)明的一種改進，所述步驟4）之中，成型面板A膜層厚為8～12nm，二氧化硅膜層厚為20～50nm，ITO膜層厚為110～160nm。

采用上述技術方案中的ON-CELL用ITO透明導電膜，其通過采用氧化鈮膜層與二氧化鈦膜層中的任意一種，進而使得成型面板在進行鍍膜成型過程中的蝕刻痕跡得以消除，致使本申請中面板的觸摸效果得以顯著改善；與此同時，上述ON-CELL用ITO透明導電膜在制作過程之中，其可通過采用氧氣進行鍍膜處理進而使得面板中的ITO膜層可同時形成高透光率以及低電阻率。當面板在鍍膜箱體內成型后，其可進一步通過長時間的真空退火處理，以進一步的降低ITO膜層的電阻率。

附圖說明

圖1為本發(fā)明實施例1中膜層示意圖；

圖2為本發(fā)明實施例4中膜層示意圖；

附圖標記列表：

1—氧化鈮膜層、2—二氧化硅膜層、3—ITO膜層、4—玻璃基板、5—二氧化鈦膜層。

具體實施方式

下面結合附圖和具體實施方式，進一步闡明本發(fā)明，應理解下述具體實施方式僅用于說明本發(fā)明而不用于限制本發(fā)明的范圍。需要說明的是，下面描述中使用的詞語“前”、“后”、“左”、“右”、“上”和“下”指的是附圖中的方向，詞語“內”和“外”分別指的是朝向或遠離特定部件幾何中心的方向。

實施例1

如圖1所示的一種ON-CELL用ITO透明導電膜，其包括有氧化鈮膜層1、二氧化硅膜層2、ITO膜層3；所述ON-CELL用ITO透明導電膜膜層結構依次為：氧化鈮膜層1、二氧化硅膜層2、ITO膜層3。

上述ON-CELL用ITO透明導電膜的制作工藝包括有如下工藝步驟：

1)將玻璃基板4、氧化鈮靶材、硅靶以及ITO靶材分別安裝在鍍膜箱體之中，并對鍍膜箱體進行抽真空處理；

2)將鍍膜箱體內部在300℃的溫度環(huán)境下烘烤6h，以去除鍍膜箱體內部雜質氣體；

3)當鍍膜箱體內部真空度達到5*10^-4pa時，向鍍膜箱體內充入純度為99.99%的氬氣與氧氣，直至鍍膜箱體內部工作壓強達到0.1Pa，鍍膜箱體內部ITO靶材所處位置氧氣占比為10%；

4)在70℃的環(huán)境溫度下開啟氧化鈮靶材、硅靶與ITO靶材電源，當氧化鈮靶材、硅靶與ITO靶材的靶材表面分別形成等離子區(qū)，在鍍膜箱體內進行磁控濺射，通過氬氣轟擊靶材表面，以在玻璃基板4上依次沉積氧化鈮膜層1、二氧化硅膜層2、ITO膜層3，得到成型面板；

5)將完成鍍膜后的成型面板置于退火箱體內進行真空冷卻退火處理，退火箱體內部安裝有冷卻板，成型面板置于置于冷卻板之上進行退火處理，冷卻板溫度為8℃，退火時間為40min。

作為本發(fā)明的一種改進，所述步驟1）中的ITO靶材內氧化銦和氧化錫的質量比例為90:10。

作為本發(fā)明的一種改進，所述步驟4）之中，成型面板氧化鈮膜層1厚為8nm，二氧化硅膜層2厚為20nm，ITO膜層3厚為110nm。

采用上述技術方案中的ON-CELL用ITO透明導電膜，其通過采用氧化鈮膜層與二氧化鈦膜層中的任意一種，進而使得成型面板在進行鍍膜成型過程中的蝕刻痕跡得以消除，致使本申請中面板的觸摸效果得以顯著改善；與此同時，上述ON-CELL用ITO透明導電膜在制作過程之中，其可通過采用氧氣進行鍍膜處理進而使得面板中的ITO膜層可同時形成高透光率以及低電阻率。當面板在鍍膜箱體內成型后，其可進一步通過長時間的真空退火處理，以進一步的降低ITO膜層的電阻率。

采用上述技術方案中的ON-CELL用ITO透明導電膜，其透光率可達到88%以上，而電阻率可控制在3.0*10^-4Ω.cm以下，相較于常規(guī)ITO膜層透光率在70%左右，電阻率在6*10^-4Ω.cm左右，其在ITO透明導電膜的性能上具有顯著改善。

實施例2

如圖1所示的一種ON-CELL用ITO透明導電膜，其包括有氧化鈮膜層1、二氧化硅膜層2、ITO膜層3；所述ON-CELL用ITO透明導電膜膜層結構依次為：氧化鈮膜層1、二氧化硅膜層2、ITO膜層3。

1)將玻璃基板4、氧化鈮靶材、硅靶以及ITO靶材分別安裝在鍍膜箱體之中，并對鍍膜箱體進行抽真空處理；

2)將鍍膜箱體內部在500℃的溫度環(huán)境下烘烤3h，以去除鍍膜箱體內部雜質氣體；

3)當鍍膜箱體內部真空度達到5*10^-4pa時，向鍍膜箱體內充入純度為99.99%的氬氣與氧氣，直至鍍膜箱體內部工作壓強達到0.6Pa，鍍膜箱體內部ITO靶材所處位置氧氣占比為10%；

4)在70℃的環(huán)境溫度下開啟氧化鈮靶材、硅靶與ITO靶材電源，當氧化鈮靶材、硅靶與ITO靶材的靶材表面分別形成等離子區(qū)，在鍍膜箱體內進行磁控濺射，通過氬氣轟擊靶材表面，以在玻璃基板4上依次沉積氧化鈮膜層1、二氧化硅膜層2、ITO膜層3，得到成型面板；

5)將完成鍍膜后的成型面板置于退火箱體內進行真空冷卻退火處理，退火箱體內部安裝有冷卻板，成型面板置于置于冷卻板之上進行退火處理，冷卻板溫度為15℃，退火時間為20min。

作為本發(fā)明的一種改進，所述步驟4）之中，成型面板氧化鈮膜層厚為12nm，二氧化硅膜層厚為50nm，ITO膜層厚為160nm。

本實施例其余特征與優(yōu)點均與實施例1相同。

實施例3

如圖1所示的一種ON-CELL用ITO透明導電膜，其包括有氧化鈮膜層1、二氧化硅膜層2、ITO膜層3；所述ON-CELL用ITO透明導電膜膜層結構依次為：氧化鈮膜層1、二氧化硅膜層2、ITO膜層3。

1)將玻璃基板4、氧化鈮靶材、硅靶以及ITO靶材分別安裝在鍍膜箱體之中，并對鍍膜箱體進行抽真空處理；

2)將鍍膜箱體內部在400℃的溫度環(huán)境下烘烤4.5h，以去除鍍膜箱體內部雜質氣體；

3)當鍍膜箱體內部真空度達到5*10^-4pa時，向鍍膜箱體內充入純度為99.99%的氬氣與氧氣，直至鍍膜箱體內部工作壓強達到0.3Pa，鍍膜箱體內部ITO靶材所處位置氧氣占比為8%；

4)在70℃的環(huán)境溫度下開啟氧化鈮靶材、硅靶與ITO靶材電源，當氧化鈮靶材、硅靶與ITO靶材的靶材表面分別形成等離子區(qū)，在鍍膜箱體內進行磁控濺射，通過氬氣轟擊靶材表面，以在玻璃基板4上依次沉積氧化鈮膜層1、二氧化硅膜層2、ITO膜層3，得到成型面板；

5)將完成鍍膜后的成型面板置于退火箱體內進行真空冷卻退火處理，退火箱體內部安裝有冷卻板，成型面板置于置于冷卻板之上進行退火處理，冷卻板溫度為12℃，退火時間為30min。

作為本發(fā)明的一種改進，所述步驟4）之中，成型面板氧化鈮膜層厚為10nm，二氧化硅膜層厚為35nm，ITO膜層厚為135nm。

本實施例其余特征與優(yōu)點均與實施例1相同。

實施例4

如圖2所示的一種ON-CELL用ITO透明導電膜，其包括有二氧化鈦膜層5、二氧化硅膜層2、ITO膜層3；所述ON-CELL用ITO透明導電膜膜層結構依次為：二氧化鈦膜層5、二氧化硅膜層2、ITO膜層3。

上述ON-CELL用ITO透明導電膜的制作工藝包括有如下工藝步驟：

1)將玻璃基板4、二氧化鈦靶材、硅靶以及ITO靶材分別安裝在鍍膜箱體之中，并對鍍膜箱體進行抽真空處理；

2)將鍍膜箱體內部在400℃的溫度環(huán)境下烘烤4.5h，以去除鍍膜箱體內部雜質氣體；

3)當鍍膜箱體內部真空度達到5*10^-4pa時，向鍍膜箱體內充入純度為99.99%的氬氣與氧氣，直至鍍膜箱體內部工作壓強達到0.4Pa，鍍膜箱體內部ITO靶材所處位置氧氣占比為5～10%；

4)在70℃的環(huán)境溫度下開啟二氧化鈦靶材、硅靶與ITO靶材電源，當二氧化鈦靶材、硅靶與ITO靶材的靶材表面分別形成等離子區(qū)，在鍍膜箱體內進行磁控濺射，通過氬氣轟擊靶材表面，以在玻璃基板4上依次沉積二氧化鈦膜層5、二氧化硅膜層2、ITO膜層3，得到成型面板；

5)將完成鍍膜后的成型面板置于退火箱體內進行真空冷卻退火處理，退火箱體內部安裝有冷卻板，成型面板置于置于冷卻板之上進行退火處理，冷卻板溫度為12℃，退火時間為30min。

作為本發(fā)明的一種改進，所述步驟4）之中，成型面板二氧化鈦膜層厚為10nm，二氧化硅膜層厚為35nm，ITO膜層厚為135nm。

本實施例其余特征均與實施例1相同。