本實用新型涉及半導(dǎo)體檢測領(lǐng)域，尤其涉及一種以積體電路為基板進(jìn)行半導(dǎo)體檢測的半導(dǎo)體檢測結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：

半導(dǎo)體芯片在檢測時，由于檢測電極在半導(dǎo)體基板的內(nèi)部，需要對檢測電極進(jìn)行布線引出信號接入點，對精度以及工藝要求比較高，導(dǎo)致半導(dǎo)體芯片研發(fā)的周期較長，成本較高。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本實用新型要解決的技術(shù)問題是：提供一種方便的引出半導(dǎo)體電極進(jìn)行檢測的半導(dǎo)體檢測結(jié)構(gòu)。

為實現(xiàn)上述目的，本實用新型提供的半導(dǎo)體檢測結(jié)構(gòu)，包括：

基材，具有多層半導(dǎo)體材料；

多個電極，設(shè)置在所述基材內(nèi)；

接觸孔，從所述基材表面延伸至至少一個所述電極；導(dǎo)電橋墩，填充在所述接觸孔內(nèi)，與所述電極電導(dǎo)通；

所述導(dǎo)電橋墩的材料為導(dǎo)電材料。

進(jìn)一步的，所述基材包括導(dǎo)電層、半導(dǎo)體層以及絕緣層。

進(jìn)一步的，所述接觸孔與所述導(dǎo)電橋墩之間還設(shè)置有沉積層，所述沉積層為絕緣材料。

進(jìn)一步的，所述導(dǎo)電橋墩通過金屬導(dǎo)線或?qū)щ娬吵聿牧吓c檢測設(shè)備形成導(dǎo)電通道。

本實用新型首先確認(rèn)需要檢測的電極位置，并通過在基材表面開挖一個到該電極位置的接觸孔內(nèi)填充導(dǎo)電材料形成導(dǎo)電橋墩，從而將該電極的電信號通過導(dǎo)電橋墩引出至外部檢測設(shè)備，該結(jié)構(gòu)克服了半導(dǎo)體檢測時電極信號難引出的問題，減小了半導(dǎo)體的研發(fā)周期，相對極大的降低了成本。

附圖說明

下面結(jié)合附圖，通過對本實用新型的具體實施方式詳細(xì)描述，將使本實用新型的技術(shù)方案及其它有益效果顯而易見。

附圖中，

圖1為本實用新型半導(dǎo)體檢測結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2至圖6為本實用新型半導(dǎo)體檢測結(jié)構(gòu)的另外的實施方式示意圖。

附圖標(biāo)號說明：

100、基材；200、電極；300、接觸孔；400、導(dǎo)電橋墩；500、外部檢測設(shè)備；600、電路；700、沉積層；80、外部檢測設(shè)備。

具體實施方式

為更進(jìn)一步闡述本實用新型所采取的技術(shù)手段及其效果，以下結(jié)合本實用新型的優(yōu)選實施例及其附圖進(jìn)行詳細(xì)描述。

請參閱圖1，本實用新型提供的半導(dǎo)體檢測結(jié)構(gòu)，主要包括基材100，在基材100內(nèi)設(shè)置的多個電極200，以及一個電極200到基材100表面開挖的接觸孔300，并在接觸孔300內(nèi)填充導(dǎo)電材料形成的導(dǎo)電橋墩400。

其中，所述基材100為具有多層的半導(dǎo)體材料，包括導(dǎo)電層、半導(dǎo)體層或絕緣層中的至少一個或者多個的組合。其中，所述電極200并不局限于設(shè)置在導(dǎo)電層中。

所述接觸孔300是通過聚焦離子束或者鐳射的方式將半導(dǎo)體基材除去，直至裸露出所需要檢測的電極200；優(yōu)選的采用的離子束為鎵離子束。

所述導(dǎo)電橋墩400是通過聚焦離子束或者鐳射的方式將導(dǎo)電材料填充，直至填充至基板100的表面，其中，所述導(dǎo)電材料為鉑、鎢、銅、銀中一種或多種的組合物與二氧化硅的混合。

在本實施方式中，首先確認(rèn)需要檢測的電極200位置，并通過在基材100表面開挖一個到該電極200位置的接觸孔300內(nèi)填充導(dǎo)電材料形成導(dǎo)電橋墩400，從而將該電極200的電信號通過導(dǎo)電橋墩400引出至外部檢測設(shè)備或外部電路結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)克服了半導(dǎo)體檢測時電極信號難引出的問題，減小了半導(dǎo)體的研發(fā)周期，相對極大的降低了成本。

請參閱圖2，在本實用新型的其他實施方式中，當(dāng)需要檢測的電極200具有多個時，也可以通過上述結(jié)構(gòu)分別對多個電極200的電信號導(dǎo)出。如圖2中，導(dǎo)出了兩個電極信號，并將兩個電極200相導(dǎo)通。當(dāng)然在有需求的情況下，可以對導(dǎo)出的電極200之間或者導(dǎo)出的電極200的導(dǎo)電橋墩400上設(shè)置電路600，從而達(dá)到對半導(dǎo)體電路結(jié)構(gòu)的改變的目的，如圖3。這樣的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的改變相較于傳統(tǒng)的需要對半導(dǎo)體整個電路布圖進(jìn)行重新規(guī)劃來說，成本極低，有效的降低了半導(dǎo)體芯片開發(fā)、檢測的成本。

請參閱圖4或圖5，在本實用新型的其他實施方式中，所述接觸孔300與所述導(dǎo)電橋墩400之間還可以設(shè)置絕緣的沉積層700，該沉積層700能夠減少所述導(dǎo)電橋墩400引出之電信號與基板100中其他電極的短路或者串?dāng)_，提高檢測的可靠性。

請參閱圖6，其中利用導(dǎo)金屬導(dǎo)線或者導(dǎo)電粘稠材料與導(dǎo)電橋墩400導(dǎo)通，并將金屬導(dǎo)線或者導(dǎo)電粘稠材料延伸并電連接至外接檢測設(shè)備80，從而可以快速方便的對半導(dǎo)體的電極200上信號進(jìn)行檢測，極大的降低了檢測的成本。

以上所述，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，可以根據(jù)本實用新型的技術(shù)方案和技術(shù)構(gòu)思作出其他各種相應(yīng)的改變和變形，而所有這些改變和變形都應(yīng)屬于本實用新型權(quán)利要求的保護(hù)范圍。