1.一種真空集成電子器件，包括：
導(dǎo)電材料的陽極區(qū)；
在所述陽極區(qū)之上的絕緣區(qū)；
延伸穿過所述絕緣區(qū)并且具有側(cè)壁的腔；以及
具有尖端部分的陰極區(qū)，所述尖端部分在所述腔內(nèi)周邊地延伸并且鄰近所述腔的所述側(cè)壁。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中所述陰極區(qū)是金屬層，所述金屬層包括與所述尖端部分一體的閉合部分，所述閉合部分在所述絕緣區(qū)之上延伸并且閉合所述腔，所述尖端部分在所述腔中從所述閉合部分延伸。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中所述尖端部分具有三角形截面，其具有指向所述陽極區(qū)的頂點(diǎn)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中所述尖端部分包含多個梢端，所述多個梢端均具有總體上為半錐形的形狀以及指向所述陽極區(qū)的尖端。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的器件，其中所述尖端部分僅有兩個梢端。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中所述尖端部分沿所述腔的所述側(cè)壁環(huán)繞地延伸并且具有單個梢端。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中所述絕緣區(qū)包括多個絕緣層；所述多個絕緣層被至少一個導(dǎo)電層彼此分離；所述器件還包括側(cè)絕緣層，所述側(cè)絕緣層在所述絕緣區(qū)和所述尖端部分之間在所述腔的所述側(cè)壁上延伸。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中所述器件是三極管，并且所述絕緣區(qū)包括第一絕緣層和第二絕緣層以及位于所述第一絕緣層和所述第二絕緣層之間的導(dǎo)電柵極層，所述腔延伸穿過所述第一絕緣層和所述第二絕緣層以及所述導(dǎo)電柵極層。
9.一種用于制造真空集成電子器件的方法，包括：
在導(dǎo)電材料的陽極區(qū)之上形成絕緣區(qū)；
穿過所述絕緣區(qū)形成腔，所述腔具有側(cè)壁；以及
形成具有尖端部分的陰極區(qū)，所述尖端部分在所述腔內(nèi)周邊地延伸并且鄰近所述側(cè)壁。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中形成所述陰極區(qū)包括：使用傾斜沉積在所述絕緣區(qū)上并且在所述腔中沉積金屬層，以生長所述腔的所述側(cè)壁上的所述尖端部分以及所述絕緣區(qū)之上的閉合部分，所述閉合部分閉合所述腔。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中沉積所述金屬層包括：在所述腔的所述側(cè)壁的第一側(cè)上生長第一尖端元件，此后在所述腔的所述側(cè)壁的第二側(cè)上生長第二尖端元件，所述第二側(cè)與所述第一側(cè)相對。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中所述第一尖端元件和所述第二尖端元件均具有半錐形狀。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中沉積金屬層包括：生長周邊尖端元件，其具有沿所述腔的所述側(cè)壁環(huán)繞延伸的單個梢端。
14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中所述陽極區(qū)具有表面，并且所述傾斜沉積以相對于垂直于所述陽極區(qū)的表面的軸的30-60°角被實(shí)施。
15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中沉積所述金屬層包括沉積選自鈦、鉬、鋅、鍶、鈰、釹的材料。
16.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中形成所述陰極區(qū)包括通過蒸發(fā)、噴濺或化學(xué)氣相沉積來沉積金屬原子。
17.一種真空集成電子器件，包括：
導(dǎo)電材料的陽極區(qū)；
陰極區(qū)；
位于所述陽極區(qū)和所述陰極區(qū)之間的絕緣區(qū)；以及
延伸穿過所述絕緣區(qū)并且具有側(cè)壁的腔，其中所述陰極區(qū)具有延伸到所述腔中并且延伸至所述腔的所述側(cè)壁的尖端部分。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的器件，其中所述陰極區(qū)是金屬層，所述金屬層包括與所述尖端部分一體的閉合部分，所述閉合部分在所述絕緣區(qū)之上延伸并且閉合所述腔，所述尖端部分在所述腔中從所述閉合部分延伸。
19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的器件，其中所述尖端部分具有三角形截面，其具有指向所述陽極區(qū)的頂點(diǎn)。
20.根據(jù)權(quán)利要求17所述的器件，其中所述絕緣區(qū)包括多個絕緣層，所述多個絕緣層被至少一個導(dǎo)電層彼此分離，所述器件還包括側(cè)絕緣層，所述側(cè)絕緣層在所述絕緣區(qū)和所述尖端部分之間在所述腔的所述側(cè)壁上延伸。