1.一種制造堆疊納米線晶體管的方法，其特征在于，包含：
使用一磊晶生長制程形成一第一半導(dǎo)體堆疊，該第一半導(dǎo)體堆疊包含與一第二半導(dǎo)體層交替的一第一半導(dǎo)體層，該第一半導(dǎo)體層包含一第一半導(dǎo)體材料且該第二半導(dǎo)體層包含與該第一半導(dǎo)體材料不同的一第二半導(dǎo)體材料；
圖案化該第一半導(dǎo)體堆疊以形成一組半導(dǎo)體堆疊特征；
在該組半導(dǎo)體堆疊特征間形成隔離特征；
移除該組半導(dǎo)體堆疊特征中至少一者，由此形成至少一溝槽；以及
在該溝槽中使用一磊晶生長制程形成一第二半導(dǎo)體堆疊，該第二半導(dǎo)體堆疊具有與該第一半導(dǎo)體堆疊不同的特征。