技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明揭露一種制作半導(dǎo)體裝置的方法。于制作半導(dǎo)體裝置的方法中，摻雜層是形成于基材中。形成接觸摻雜層的阻絕層。半導(dǎo)體層是形成于基材和阻絕層上。通過圖案化半導(dǎo)體層、阻絕層和摻雜層，來形成鰭片式結(jié)構(gòu)，而使鰭片式結(jié)構(gòu)包含具有半導(dǎo)體層的通道區(qū)域和具有摻雜層的井區(qū)域。形成隔離絕緣層，而使鰭片式結(jié)構(gòu)的第一部分從隔離絕緣層突伸出，且鰭片式結(jié)構(gòu)的第二部分嵌入至隔離絕緣層中。柵極結(jié)構(gòu)是形成于鰭片式結(jié)構(gòu)和隔離絕緣層上。

技術(shù)研發(fā)人員：宋家瑋;曹志彬;陳豪育;蔡振華
受保護(hù)的技術(shù)使用者：臺灣積體電路制造股份有限公司
文檔號碼：201610900567
技術(shù)研發(fā)日：2016.10.17
技術(shù)公布日：2017.05.10