本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，尤其涉及一種裸片測試方法及晶圓。

背景技術(shù)：

晶圓(wafer)是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓，在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu)，而成為有特定電性功能之芯片(IC)產(chǎn)品。一種常見的芯片封裝形式為玻璃基板上芯片(COG)封裝技術(shù)，由于該封裝技術(shù)可以有效的減少應(yīng)用模塊體積，且易于大批量生產(chǎn)，因此已成為現(xiàn)在主流的封裝形式。所述裸片(die)，就是指經(jīng)過晶圓切割沒有經(jīng)過封裝的芯片，其上只有用于封裝的壓焊點。COG封裝技術(shù)主要的工藝流程為研磨、切割、挑晶，然后將封裝好的芯片應(yīng)用于小屏液晶顯示面板等終端。然而一般來說，在COG封裝工藝完成后，并沒有進行測試，而是直接將封裝好的芯片安裝于顯示面板等終端上，此時，為了測試面板上芯片的性能，就需要使用具有處理裸片測試能力的晶圓測試機臺。而一般具有這種特殊測試能力的晶圓測試機臺需要另外配置手動晶圓上片機和晶圓測試機鐵圈處理臺，這兩臺設(shè)備大約需要100萬美元，資金投入相當巨大。即使具有了這兩臺設(shè)備，由于一般的晶圓測試機只能處理8寸或12寸的晶圓測試，因此，現(xiàn)有的晶圓測試機的測試范圍也有限。因而，開發(fā)一種新的裸片測試方式，來降低測試成本，提高測試效率，是目前研究的熱點。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供一種裸片測試方法及晶圓，用提降低裸片測試成本，提高測試效率。

為了解決上述問題，本發(fā)明提供了一種裸片測試方法，包括如下步驟：提供一晶圓，所述晶圓具有多個偽芯片圖形；將所述晶圓粘貼在具有外框的保護膜上；切掉所述晶圓邊緣的至少一偽芯片圖形并代之以待測試裸片；取下外框，并將所述保護膜裁成晶圓的形狀；將帶有待測試裸片的晶圓放置于晶圓測試機上進行測試。

優(yōu)選的，所述具有多個偽芯片圖形的晶圓是8寸或12寸晶圓。

優(yōu)選的，切掉所述晶圓邊緣的至少一偽芯片圖形并代之以待測試裸片的步驟包括：切掉所述晶圓邊緣的至少一偽芯片圖形后形成一區(qū)域，將待測試裸片粘貼于該區(qū)域。

優(yōu)選的，所述保護膜為藍膜。

優(yōu)選的，所述偽芯片圖形的形狀與所述待測試裸片的形狀相同。

優(yōu)選的，切掉的所述偽芯片圖形的數(shù)目大于待測試裸片的數(shù)目。

優(yōu)選的，切掉的所述偽芯片圖形的數(shù)目與待測試裸片的數(shù)目相等。

本發(fā)明還提供了一種晶圓，所述晶圓上具有放置待測試裸片的區(qū)域。

優(yōu)選的，所述區(qū)域的形狀與待測試裸片的形狀相同。

本發(fā)明提供的裸片測試方法及晶圓，在晶圓上設(shè)置偽芯片圖形，采用待測試裸片替換偽芯片圖形，進而將保護膜裁成規(guī)則晶圓圖形，再在常規(guī)的晶圓測試機上進行測試，操作方法簡單，不需要使用昂貴設(shè)備，使得裸片的測試成本大幅度降低，測試效率得到很大提升。

附圖說明

附圖1是本發(fā)明具體實施方式的裸片測試方法流程圖；

附圖2A是本發(fā)明具體實施方式的具有偽芯片圖形的晶圓的結(jié)構(gòu)示意圖；

附圖2B是本發(fā)明具體實施方式的晶圓粘貼在具有外框的保護膜上之后的結(jié)構(gòu)示意圖；

附圖2C是本發(fā)明具體實施方式的以待測試裸片替換偽芯片圖形之后的晶圓的結(jié)構(gòu)示意圖；

附圖2D是本發(fā)明具體實施方式的置于晶圓測試機上的晶圓結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

下面結(jié)合附圖和具體實施方式對本發(fā)明的方案做詳細說明。

本發(fā)明提供了一種裸片測試方法，附圖1是本發(fā)明具體實施方式的裸片測試方法流程圖。如圖1所示，本發(fā)明所述的裸片測試方法包括如下步驟：

步驟S11，提供一晶圓21，所述晶圓21具有多個偽芯片圖形22。附圖2A是本發(fā)明具體實施方式的具有偽芯片圖形的晶圓的結(jié)構(gòu)示意圖。如果2A所示，在所述晶圓21上形成有多個偽芯片圖形22，所述偽芯片圖形22的數(shù)量可以根據(jù)實際需要進行設(shè)定，可以多于待測試裸片的數(shù)量，可以與待測試裸片的數(shù)量相同。由于現(xiàn)有的晶圓測試機一般只能處理8寸或12寸晶圓的測試，因此，為了簡化測試步驟，優(yōu)選的，所述具有偽芯片圖形22的晶圓21的形狀為8寸或12寸晶圓形狀。在所述晶圓21上制作偽芯片圖形22的方法可以采用本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知的化學(xué)蝕刻法。為了簡化制作工藝，也便于后續(xù)測試，優(yōu)選每一所述偽芯片圖形22的形狀與待測試裸片25的形狀相同。當然，本領(lǐng)域技術(shù)人員在其掌握的普通技術(shù)知識基礎(chǔ)之上，也可以改變偽芯片圖形的形狀，使得所述偽芯片圖形22的形狀與待測試裸片25的形狀不同，而是通過多個偽芯片圖形22組合成待測試裸片25的形狀，當采用此種方法制作偽芯片圖形時，所述晶圓21就能夠適用于多種不同形狀的裸片的測試，實現(xiàn)批量測試，使得測試效率進一步提高。

步驟S12，將所述晶圓21粘貼在具有外框24的保護膜23上。附圖2B是本發(fā)明具體實施方式的晶圓粘貼在具有外框的保護膜上之后的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖2B所示，在將所述晶圓粘貼在具有外框24的保護膜23上的步驟中，為了便于后續(xù)對所述保護膜23的裁切，優(yōu)選的，所述保護膜23的面積大于所述晶圓21的面積。其中，所述外框24可以是本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知的鐵圈，也可以是與鐵圈具有相同功能的其他組件；所述保護膜23優(yōu)選為藍膜；可以采用本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知的膠黏劑具有偽芯片圖形22的晶圓21粘貼在具有外框24的保護膜23上。

步驟S13，切掉所述晶圓21邊緣的至少一偽芯片圖形22并代之以待測試裸片25。附圖2C是本發(fā)明具體實施方式的以待測試裸片替換偽芯片圖形之后的晶圓的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖2C所示，在所述晶圓21的邊緣切掉一偽芯片圖形22，形成一區(qū)域，再將待測試裸片25放置于該區(qū)域處。其中，可以采用內(nèi)圓切割、外圓切割或金剛石線鋸切割等本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知的切割技術(shù)切割掉至少一偽芯片圖形22從而在所述晶圓21上形成一用于后續(xù)容納所述待測試裸片25的區(qū)域。其中，切割掉的所述偽芯片圖形22的數(shù)量取決于待測試裸片25的數(shù)量。當所述偽芯片圖形22的形狀與所述待測試裸片25的形狀相同時，優(yōu)選切割掉的偽芯片圖形22的數(shù)量與待測試裸片25的數(shù)量相等；當所述偽芯片圖形22的形狀與所述待測試裸片25的形狀不同時，優(yōu)選切掉的所述偽芯片圖形22的數(shù)量大于所述待測試裸片的數(shù)量，使得所述區(qū)域能夠完全容納所述待測試裸片25。為了簡化操作步驟，優(yōu)選的，切掉所述晶圓21邊緣的至少一偽芯片圖形22并代之以待測試裸片的步驟包括：切掉所述晶圓21邊緣的至少一偽芯片圖形22后形成一區(qū)域，將待測試裸片25粘貼于該區(qū)域。

步驟S14，取下外框24，并將所述保護膜23裁成晶圓21的形狀。附圖2D是本發(fā)明具體實施方式的置于晶圓測試機上的晶圓結(jié)構(gòu)示意圖。如圖2D所示，由于現(xiàn)有的晶圓測試機只能處理8寸或12寸的晶圓測試，因而，在以所述待測試裸片25替換掉至少一偽芯片圖形22之后，還需要將所述保護膜23裁成晶圓21的形狀，由于所述晶圓21的形狀優(yōu)選為8寸或12寸的晶圓形狀，因而，所述保護膜23將被裁成8寸或12寸的晶圓形狀。

步驟S15，將帶有待測試裸片25的晶圓21放置于晶圓測試機上進行測試。

本發(fā)明提供的裸片測試方法，在裸硅片上設(shè)置偽芯片圖形，采用待測試裸片替換偽芯片圖形，進而剪切藍膜形成規(guī)則晶圓圖形，再在常規(guī)的晶圓測試機上進行測試，在整個過程中都不需要使用手動晶圓上片機和晶圓測試機鐵圈處理臺，使得裸片的測試成本大幅度降低，測試效率得到很大提升。

本發(fā)明提供的裸片測試方法，在晶圓上設(shè)置偽芯片圖形，采用待測試裸片替換偽芯片圖形，進而將保護膜裁成規(guī)則晶圓圖形，再在常規(guī)的晶圓測試機上進行測試，操作方法簡單，不需要使用昂貴設(shè)備，使得裸片的測試成本大幅度降低，測試效率得到很大提升。

不僅如此，本發(fā)明還提供了一種晶圓21，所述晶圓21上具有放置待測試裸片25的區(qū)域。具體來說，所述晶圓21上形成有多個偽芯片圖形22，優(yōu)選的，每一所述偽芯片圖形22的形狀與待測試裸片25的形狀相同。當然，本領(lǐng)域技術(shù)人員在其掌握的普通技術(shù)知識基礎(chǔ)之上，也可以改變偽芯片圖形的形狀，使得所述偽芯片圖形22的形狀與待測試裸片25的形狀不同，而是通過多個偽芯片圖形22組合成待測試裸片25的形狀，當采用此種方法制作偽芯片圖形時，所述晶圓21就能夠適用于多種不同形狀的裸片的測試，實現(xiàn)批量測試，使得測試效率進一步提高。在所述晶圓21的邊緣切掉一偽芯片圖形22，形成一區(qū)域，再將待測試裸片25放置于該區(qū)域處。

本發(fā)明提供的晶圓，在其上設(shè)置有放置待測試裸片的區(qū)域，通過將待測試裸片放置于所述晶圓上的所述區(qū)域后，就可以采用常規(guī)的晶圓測試機對待測試裸片進行測試，操作方法簡單，不需要使用昂貴設(shè)備，使得裸片的測試成本大幅度降低，測試效率得到很大提升。

以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，應(yīng)當指出，對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以做出若干改進和潤飾，這些改進和潤飾也應(yīng)視為本發(fā)明的保護范圍。