本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件制造領(lǐng)域，特別是指一種TVS器件制造工藝中的防止襯底雜質(zhì)外擴散的方法。

背景技術(shù)：

電壓及電流的瞬態(tài)干擾是造成電子電路及設(shè)備損壞的主要原因，常給人們帶來無法估量的損失。這些干擾通常來自于電力設(shè)備的起停操作、交流電網(wǎng)的不穩(wěn)定、雷擊干擾及靜電放電等。一種高效能的電路保護器件TVS的出現(xiàn)使瞬態(tài)干擾得到了有效抑制。TVS(Transient Voltage Suppressor)或稱瞬變電壓抑制二極管是在穩(wěn)壓管工藝基礎(chǔ)上發(fā)展起來的一種新產(chǎn)品，TVS和齊納穩(wěn)壓管都能用作穩(wěn)壓，但是齊納擊穿電流更小，大于10V的穩(wěn)壓只有1mA，相對來說TVS要比齊納二極管擊穿電流要大不少。其電路符號和普通穩(wěn)壓二極管相同,外形也與普通二極管無異,當(dāng)TVS管兩端經(jīng)受瞬間的高能量沖擊時，它能以極高的速度(最高達1x10-12秒)使其阻抗驟然降低，同時吸收一個大電流，將其兩端間的電壓箝位在一個預(yù)定的數(shù)值上，從而確保后面的電路元件免受瞬態(tài)高能量的沖擊而損壞。目前廣泛用于手機，LCD模組，及一些比較精密的手持設(shè)備。特別是出口歐洲的產(chǎn)品一般都要加，作為靜電防護的主要手段之一。

在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，TVS的制造工藝中，通常會在重摻雜的襯底上生長一層濃度很淡的外延層。外延層生長過程中，硅片邊緣會有襯底雜質(zhì)向外擴散，影響外延層的濃度分布，如圖1所示，最終導(dǎo)致在硅片上形成的TVS器件，位于晶圓邊緣的管芯電特性不穩(wěn)定。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種防止襯底雜質(zhì)外擴散的方法。

為解決上述問題，本發(fā)明所述的防止襯底雜質(zhì)外擴散的方法，是在外延生長之前，先在襯底側(cè)面形成氧化膜，然后再進行外延生長。

進一步地，所述襯底側(cè)面氧化膜，在外延生長時能避免襯底中的雜質(zhì)從側(cè)壁向外擴散。

本發(fā)明所述的防止襯底雜質(zhì)外擴散的方法，包含如下步驟：

第1步，將背面具有背封氧化層的襯底進行氧化膜生長；

第2步，對襯底正面氧化膜進行刻蝕。

進一步地，所述第1步的襯底為重摻雜的襯底，氧化膜在襯底的正面及側(cè)面生長，和背面的背封氧化層一起將襯底包裹。

進一步地，所述第2步，將襯底正面的氧化膜刻蝕掉，側(cè)面氧化膜保留。

進一步地，所述第2步，刻蝕采用干法刻蝕，或者干法刻蝕加濕法刻蝕；當(dāng)使用干法刻蝕加濕法刻蝕時，濕法刻蝕的量必須小于氧化膜生長的厚度。

本發(fā)明所述的防止襯底雜質(zhì)外擴散的方法，在外延生長之前先生成氧化膜對襯底側(cè)面進行保護，在外延生長時側(cè)面氧化膜能防止襯底中的雜質(zhì)向外擴散，從而導(dǎo)致硅片邊緣管芯電特性不穩(wěn)定的問題。

附圖說明

圖1是外壓生長時襯底雜質(zhì)向外擴散的示意圖。

圖2是背面帶背封氧化層的襯底示意圖。

圖3是硅片形成氧化膜將硅片包裹的示意圖。

圖4是硅片正面氧化膜刻蝕之后的示意圖。

圖5是本發(fā)明方法流程圖。

附圖標(biāo)記說明

1是襯底，2是氧化膜。

具體實施方式

本發(fā)明所述的防止襯底雜質(zhì)外擴散的方法，是在外延生長之前，先在襯底側(cè)面形成氧化膜，然后再進行外延生長。所述襯底側(cè)面氧化膜，在外延生長時能避免襯底中的雜質(zhì)從側(cè)壁向外擴散。

具體包含如下的步驟：

第1步，將背面具有背封氧化層的重摻雜的襯底進行氧化膜生長；氧化膜在襯底的正面及側(cè)面生長，和背面的背封氧化層一起將襯底包裹。如圖2及圖3所示。

第2步，對襯底正面氧化膜進行刻蝕?？涛g采用干法刻蝕，或者干法刻蝕加濕法刻蝕；當(dāng)使用干法刻蝕加濕法刻蝕時，濕法刻蝕的量必須小于氧化膜生長的厚度。刻蝕將襯底正面的氧化膜刻蝕掉，側(cè)面氧化膜保留。

本發(fā)明所述的防止襯底雜質(zhì)外擴散的方法，在外延生長之前先生成氧化膜對襯底側(cè)面進行保護，在外延生長時側(cè)面氧化膜能防止襯底中的雜質(zhì)向外擴散，從而導(dǎo)致硅片邊緣管芯電特性不穩(wěn)定的問題。

以上僅為本發(fā)明的優(yōu)選實施例，并不用于限定本發(fā)明。對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。