技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種化合物半導體元件的柵極金屬改良結(jié)構(gòu)，依次包括：化合物半導體基板、肖特基能障層、絕緣層以及柵極金屬；該絕緣層具有一柵極凹槽，其中該柵極凹槽的四周為該絕緣層，該柵極凹槽的底部為該肖特基能障層；該柵極金屬包括接觸層、第一擴散阻礙層、第二擴散阻礙層以及傳導層，其中該接觸層形成于該柵極凹槽的四周、該柵極凹槽的底部以及該絕緣層之上，且該接觸層于該柵極凹槽的底部與該肖特基能障層相接觸，該第一擴散阻礙層形成于該接觸層之上，該第二擴散阻礙層形成于該第一擴散阻礙層之上，該傳導層形成于該第二擴散阻礙層之上，藉此增強化合物半導體元件的可靠度。

技術(shù)研發(fā)人員：花長煌;邱凱信;華特東尼福摩斯
受保護的技術(shù)使用者：穩(wěn)懋半導體股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2016.02.02
技術(shù)公布日：2017.08.08