本發(fā)明涉及顯示裝置及其制造方法。

背景技術(shù)：

作為下一代顯示器，期待在每個(gè)像素上設(shè)有有機(jī)電致發(fā)光元件等發(fā)光元件的顯示裝置。發(fā)光元件的結(jié)構(gòu)大多是，通過夾持于像素電極(陽(yáng)極)及公共電極(陰極)的發(fā)光層產(chǎn)生光，且產(chǎn)生的光由像素電極進(jìn)行反射。在頂部發(fā)射型顯示裝置的情況下，來自發(fā)光元件的射出光從公共電極側(cè)提取，因此，將像素電極作為反射電極，且將公共電極作為透射電極形成。為了提高光提取效率，像素電極優(yōu)選為由反射率較高的材料構(gòu)成的反射膜。

但是，為了優(yōu)化空穴注入到發(fā)光層的功函數(shù)，有時(shí)反射膜的上表面(與發(fā)光層的接觸面)由氧化銦錫(ito)或氧化銦鋅(izo)的氧化物導(dǎo)電膜覆蓋。另一方面，為了保持與作為像素電極的基底層的無(wú)機(jī)絕緣膜的密合性，有時(shí)還在反射膜的下表面(與無(wú)機(jī)絕緣膜的接觸面)設(shè)置氧化物導(dǎo)電膜(專利文獻(xiàn)1)。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：日本特開2007-317606號(hào)公報(bào)

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

發(fā)明所要解決的技術(shù)問題

形成像素電極時(shí)，例如利用混合酸圖案化由ito膜、ag膜及ito膜構(gòu)成的層疊膜時(shí)，有時(shí)產(chǎn)生ag的蝕刻剩余或殘?jiān)?。可以認(rèn)為，這是由于混合酸與ag反應(yīng)而產(chǎn)生的一氧化氮?dú)怏w附著于ag膜的表面，導(dǎo)致ag膜的表面在蝕刻液中發(fā)生鈍化。

因此，混合酸中，存在圖案化不充分、彼此相鄰的像素電極短路的問題。由于高精細(xì)化，像素電極的間隔越狹窄，越易于產(chǎn)生ag的蝕刻剩余或殘?jiān)?。另外，ag膜與無(wú)機(jī)絕緣膜的密合性較低，因此，當(dāng)ag膜從ito膜露出時(shí)，像素電極與基底層的密合性變低。

此外，專利文獻(xiàn)1中公開了如下內(nèi)容：通過用ito膜密封ag膜的上下及周圍，將ag與有機(jī)材料隔開，防止由于ag與有機(jī)材料的反應(yīng)而產(chǎn)生氣體。因此，ag膜不會(huì)露出，所以像素電極與基底層的密合性高，根本不存在本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題。

本發(fā)明的目的在于，能夠形成不易剝離的像素電極并且能夠高精度地進(jìn)行圖案化。

用于解決問題的手段

本發(fā)明提供一種顯示裝置，其特征在于，包括：基底層；多個(gè)像素電極，其層疊于所述基底層上；發(fā)光元件層，其層疊于所述多個(gè)像素電極上；公共電極，其層疊于所述發(fā)光元件層上，所述多個(gè)像素電極各自包括：第一氧化物導(dǎo)電層，其與所述基底層直接接觸；金屬導(dǎo)電層，其與所述第一氧化物導(dǎo)電層直接接觸；第二氧化物導(dǎo)電層，其與所述金屬導(dǎo)電層直接接觸，所述基底層相對(duì)于所述第一氧化物導(dǎo)電層的密合性比相對(duì)于所述金屬導(dǎo)電層高，所述第一氧化物導(dǎo)電層具有在彼此相鄰的所述像素電極的相對(duì)的方向上從所述金屬導(dǎo)電層及所述第二氧化物導(dǎo)電層伸出的突出部。根據(jù)本發(fā)明，相對(duì)于基底層的密合性較高的第一氧化物導(dǎo)電層具有從金屬導(dǎo)電層及第二氧化物導(dǎo)電層伸出的突出部，因此，像素電極不易剝離。

本發(fā)明提供一種顯示裝置的制造方法，其特征在于，包括：形成多個(gè)像素電極的工序；在所述多個(gè)像素電極上層疊發(fā)光元件層的工序；在所述發(fā)光元件層上層疊公共電極的工序，形成所述多個(gè)像素電極的工序包括：以與所述多個(gè)像素電極對(duì)應(yīng)的形狀并且以與彼此相鄰的所述像素電極對(duì)應(yīng)的部分利用無(wú)機(jī)絕緣層隔離的方式，形成第一氧化物導(dǎo)電層的圖案的工序；以與所述無(wú)機(jī)絕緣層和所述第一氧化物導(dǎo)電層的所述圖案直接接觸的方式形成相對(duì)于所述無(wú)機(jī)絕緣層的密合性比所述第一氧化物導(dǎo)電層低的金屬導(dǎo)電層的工序；在所述金屬導(dǎo)電層之上形成第二氧化物導(dǎo)電層的工序；通過濕法蝕刻圖案化所述金屬導(dǎo)電層及所述第二氧化物導(dǎo)電層，使得載置于所述第一氧化物導(dǎo)電層的所述圖案內(nèi)側(cè)的部分留下的工序。根據(jù)本發(fā)明，金屬導(dǎo)電層相對(duì)于無(wú)機(jī)絕緣層的密合性較低，即使在無(wú)機(jī)絕緣層之上產(chǎn)生蝕刻剩余或殘?jiān)惨子趧冸x。因此，可以防止第一氧化物導(dǎo)電層圖案的短路，因此，可以以較高的精度形成像素電極。

本發(fā)明提供一種顯示裝置，包括：基底層；多個(gè)像素電極，其層疊于所述基底層上；發(fā)光元件層，其層疊于所述多個(gè)像素電極上；公共電極，其層疊于所述發(fā)光元件層上，所述多個(gè)像素電極各自包含：第一氧化物導(dǎo)電層，其與所述基底層直接接觸；金屬導(dǎo)電層，其與所述第一氧化物導(dǎo)電層直接接觸；第二氧化物導(dǎo)電層，其與所述金屬導(dǎo)電層直接接觸，所述基底層為硅氮化膜或硅氧化膜，所述金屬導(dǎo)電層含有選自金、鋁、及銀的材料，所述第一氧化物導(dǎo)電層具有在彼此相鄰的所述像素電極相對(duì)的方向上從所述金屬導(dǎo)電層及所述第二氧化物導(dǎo)電層伸出的突出部。

附圖說明

圖1是表示本發(fā)明第一實(shí)施方式的顯示裝置的剖面圖；

圖2是將由圖1的單點(diǎn)劃線包圍的部分ii放大的圖；

圖3a～圖3c是用于說明本發(fā)明第一實(shí)施方式的顯示裝置的制造方法的圖；

圖4a～圖4c是用于說明本發(fā)明第一實(shí)施方式的顯示裝置的制造方法的圖；

圖5是本發(fā)明第二實(shí)施方式的顯示裝置的局部放大剖面圖；

圖6a～圖6c是用于說明本發(fā)明第二實(shí)施方式的顯示裝置的制造方法的圖；

圖7a～圖7b是用于說明本發(fā)明第二實(shí)施方式的顯示裝置的制造方法的圖。

附圖標(biāo)記說明

10第一基板、12底涂層、14半導(dǎo)體層、16源極、18漏極、20柵絕緣膜、22柵極、24層間絕緣膜、26薄膜晶體管、28鈍化膜、30像素電極、32基底層、34接觸孔、36第一氧化物導(dǎo)電層、36a突出部、38金屬導(dǎo)電層、40第二氧化物導(dǎo)電層、42絕緣層、44發(fā)光元件層、46公共電極、48密封層、50充填層、52第二基板、54蝕刻掩模、56蝕刻液、58一氧化氮?dú)怏w、60殘?jiān)?30像素電極、232基底層、236第一氧化物導(dǎo)電層、236a突出部、238金屬導(dǎo)電層、240第二氧化物導(dǎo)電層、254蝕刻掩模、256蝕刻液、258一氧化氮?dú)怏w、260殘?jiān)?62無(wú)機(jī)絕緣層。

具體實(shí)施方式

以下，參照附圖說明本發(fā)明的實(shí)施方式。但是，本發(fā)明可以在不脫離其宗旨的范圍內(nèi)以各種方式進(jìn)行實(shí)施，而不限定于以下示例的實(shí)施方式的記載內(nèi)容進(jìn)行解釋。

附圖中，為了使說明更明確，與實(shí)際方式相比，有時(shí)示意性地表示各部的寬度、厚度、形狀等，但這終歸只是一例，而不是限定本發(fā)明的解釋。本說明書和各圖中，對(duì)與在已敘的圖中說明的要素具備相同功能的要素，標(biāo)注相同的附圖標(biāo)記，并省略重復(fù)的說明。

另外，本發(fā)明的詳細(xì)說明中，限定某構(gòu)成物和其它構(gòu)成物的位置關(guān)系時(shí)，“在………之上”“在……之下”不僅包含直接位于某構(gòu)成物之上或之下的情況，只要沒有特別說明，還包含其間設(shè)置其它構(gòu)成物的情況。

[第一實(shí)施方式]

圖1是表示本發(fā)明第一實(shí)施方式的顯示裝置的剖面圖。作為顯示裝置，列舉有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置。顯示裝置通過組合例如由紅(r)、綠(g)及藍(lán)(b)構(gòu)成的多色的單位像素(子像素)，形成全彩色的像素(像素)，并顯示全彩色的圖像。

顯示裝置具有由玻璃或樹脂構(gòu)成的第一基板10。在第一基板10上形成有用于防止其本身含有的雜質(zhì)向上層擴(kuò)散的作為阻隔層的底涂層12，在底涂層12之上形成有半導(dǎo)體層14。在半導(dǎo)體層14上設(shè)有源極16及漏極18，覆蓋著半導(dǎo)體層14而形成有柵絕緣膜20。在柵絕緣膜20之上形成有柵極22，覆蓋著柵極22而形成有層間絕緣膜24。源極16及漏極18貫通柵絕緣膜20及層間絕緣膜24。利用半導(dǎo)體層14、源極16、漏極18及柵極22構(gòu)成薄膜晶體管26。以覆蓋薄膜晶體管26的方式設(shè)有鈍化膜28。

薄膜晶體管26與像素電極30(例如陽(yáng)極)電連接。鈍化膜28的表面凸凹，因此，設(shè)有像素電極30的基底層32，以形成平坦的表面?；讓?2是由氮化硅或二氧化硅等構(gòu)成的無(wú)機(jī)絕緣層?；讓?2(無(wú)機(jī)絕緣層)相對(duì)于金屬的密合性較低，另一方面，相對(duì)于氧化物的密合性較高?；啄?2也可以由平坦化性能較高的有機(jī)絕緣膜和其之上的無(wú)機(jī)絕緣膜雙層構(gòu)成。

在基底層32上層疊像素電極30。詳細(xì)而言，在基底層32之上設(shè)有以與多個(gè)單位像素分別對(duì)應(yīng)的方式構(gòu)成的多個(gè)像素電極30。像素電極30經(jīng)由貫通基底層32及鈍化膜28的接觸孔34，與半導(dǎo)體層14之上的源極16及漏極18中的一者電連接。像素電極30具有上表面平坦的部分和上表面進(jìn)入接觸孔34而凹陷的部分。

圖2是將由圖1的單點(diǎn)劃線包圍的部分ii放大的圖。像素電極30包含與基底層32直接接觸的第一氧化物導(dǎo)電層36。第一氧化物導(dǎo)電層36由氧化銦錫(ito)或氧化銦鋅(izo)形成。第一氧化物導(dǎo)電層36的外周緣成為像素電極30的外形。

像素電極30包含與第一氧化物導(dǎo)電層36直接接觸的金屬導(dǎo)電層38。金屬導(dǎo)電層38由金、鋁、銀或含有它們中的至少一者的合金形成。與金屬導(dǎo)電層38相比，基底層32相對(duì)于第一氧化物導(dǎo)電層36的密合性較高。金屬導(dǎo)電層38成為不從第一氧化物導(dǎo)電層36的上表面伸出的形狀，以免與基底層32接觸。

像素電極30包含與金屬導(dǎo)電層38直接接觸的第二氧化物導(dǎo)電層40。第二氧化物導(dǎo)電層40由氧化銦錫(ito)或氧化銦鋅(izo)形成。優(yōu)選第二氧化物導(dǎo)電層40不從金屬導(dǎo)電層38的上表面伸出。第二氧化物導(dǎo)電層40與第一氧化物導(dǎo)電層36或基底層32均不接觸。

第一氧化物導(dǎo)電層36具有在彼此相鄰的像素電極30相對(duì)的方向上從金屬導(dǎo)電層38及第二氧化物導(dǎo)電層40伸出的突出部36a。第一氧化物導(dǎo)電層36在像素電極30的整個(gè)周緣具有突出部36a。根據(jù)本實(shí)施方式，相對(duì)于基底層32的密合性較高的第一氧化物導(dǎo)電層36具有從金屬導(dǎo)電層38及第二氧化物導(dǎo)電層40伸出的突出部36a，因此，金屬導(dǎo)電層38及第二氧化物導(dǎo)電層40均不與基底層32接觸，像素電極30不易剝離。

如圖1所示，在基底層32及像素電極30之上形成有由樹脂等有機(jī)材料構(gòu)成的絕緣層42。絕緣層42載置于像素電極30的周緣部，形成為使像素電極30的一部分(例如中央部)開口。絕緣層42的開口成為發(fā)光區(qū)域。由絕緣層42形成包圍像素電極30的一部分的堤(bank)。

在像素電極30上層疊發(fā)光元件層44。發(fā)光元件層44還載置于絕緣層42之上。發(fā)光元件層44至少包含發(fā)光層，還可以包含電子傳輸層、空穴傳輸層、電子注入層及空穴注入層中的至少一層。發(fā)光元件層44中的至少發(fā)光層按每個(gè)像素電極30分開載置。由此，各個(gè)發(fā)光元件層44的發(fā)光層發(fā)出多色中的任一色的光，能夠進(jìn)行全彩色的圖像顯示。此外，發(fā)光層以外的層即便連續(xù)地設(shè)置在多個(gè)像素電極30上，也可以構(gòu)成為發(fā)出多色的光。作為變形例，也可以形成為使包含發(fā)光層在內(nèi)的發(fā)光元件層44整體連續(xù)地載置于多個(gè)像素電極30，但在該情況下，發(fā)出單色的光，因此，使該光通過濾光器來進(jìn)行全彩色的圖像顯示。

在發(fā)光元件層44之上，以在多個(gè)像素電極30的上方與發(fā)光元件層44接觸的方式設(shè)有公共電極46(例如陰極)。公共電極46以載置于作為堤的絕緣層42的上方的方式形成。公共電極46在彼此相鄰的發(fā)光元件層44之間與絕緣層42接觸。發(fā)光元件層44被像素電極30及公共電極46夾持，通過流過兩者間的電流控制輝度進(jìn)行發(fā)光。

發(fā)光元件層44通過利用層疊于公共電極46的密封層48覆蓋來進(jìn)行密封，與水分隔離。在密封層48的上方，隔著充填層50設(shè)有第二基板52。本實(shí)施方式中，以發(fā)出多色的光的方式設(shè)置發(fā)光元件層44，因此，不需要濾光器，但如果以僅發(fā)出單色的光的方式設(shè)置發(fā)光元件層44，則將濾光器層疊于第二基板52上。另外，也可以根據(jù)需要設(shè)置未圖示的黑色矩陣。第二基板52也可以是觸摸面板，也可以具有偏振片或相差片。

此外，顯示裝置不限定于有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置，也可以是在各像素具有量子點(diǎn)發(fā)光元件(qled：quantum‐dotlightemittingdiode)之類的發(fā)光元件的顯示裝置，也可以是液晶顯示裝置。

圖3a～圖4c是用于說明本發(fā)明第一實(shí)施方式的顯示裝置的制造方法的圖。顯示裝置的制造方法包含形成多個(gè)像素電極30(參照?qǐng)D1)的工序。直到形成基底層32為止的工序參照?qǐng)D1并根據(jù)上述的內(nèi)容不言而喻，因此，省略說明。

如圖3a所示，在基底層32之上例如在整個(gè)表面形成第一氧化物導(dǎo)電層36?；讓?2是由氮化硅或二氧化硅等構(gòu)成的無(wú)機(jī)絕緣層。第一氧化物導(dǎo)電層36由氧化銦錫(ito)或氧化銦鋅(izo)例如通過蒸鍍而形成。

如圖3b所示，圖案化第一氧化物導(dǎo)電層36。詳細(xì)而言，以與圖1所示的多個(gè)像素電極30對(duì)應(yīng)的形狀并且以與彼此相鄰的像素電極30對(duì)應(yīng)的部分被基底層32(無(wú)機(jī)絕緣層)隔離的方式，形成第一氧化物導(dǎo)電層36的圖案。換而言之，第一氧化物導(dǎo)電層36以與彼此相鄰的像素電極30對(duì)應(yīng)的部分被基底層32(無(wú)機(jī)絕緣層)的露出面包圍的方式圖案化。圖案化可以應(yīng)用眾所周知的方法。

如圖3c所示，將金屬導(dǎo)電層38及第二氧化物導(dǎo)電層40層疊于第一氧化物導(dǎo)電層36的圖案。詳細(xì)而言，將相對(duì)于無(wú)機(jī)絕緣層的密合性比第一氧化物導(dǎo)電層36低的金屬導(dǎo)電層38以與基底層32及第一氧化物導(dǎo)電層36的圖案直接接觸的方式形成。金屬導(dǎo)電層38由金、鋁、銀或至少含有它們的一種的合金形成。而且，第二氧化物導(dǎo)電層40形成于金屬導(dǎo)電層38之上。第二氧化物導(dǎo)電層40由氧化銦錫或氧化銦鋅形成。金屬導(dǎo)電層38及第二氧化物導(dǎo)電層40通過例如濺射法等形成。

另外，將蝕刻掩模54形成于第二氧化物導(dǎo)電層40之上。蝕刻掩模54由感光性樹脂(光致抗蝕)利用光刻形成，使得蝕刻掩模54比圖1所示的多個(gè)像素電極30的外形(第一氧化物導(dǎo)電層36的圖案)略小。蝕刻掩模54是避免與第一氧化物導(dǎo)電層36的圖案的周緣部(突出部36a)重疊的形狀。

如圖4a所示，將第二氧化物導(dǎo)電層40及金屬導(dǎo)電層38以載置有蝕刻掩模54的部分留下的方式，通過濕法蝕刻進(jìn)行圖案化。載置蝕刻掩模54的部分是與第一氧化物導(dǎo)電層36的圖案(除周緣部以外的區(qū)域)重疊的部分。蝕刻液56是混合酸及草酸的至少一者。例如，既可以利用混合酸將第二氧化物導(dǎo)電層40及金屬導(dǎo)電層38一并蝕刻，也可以在利用草酸蝕刻第二氧化物導(dǎo)電層40后，利用混合酸蝕刻金屬導(dǎo)電層38。

通過蝕刻將第二氧化物導(dǎo)電層40的一部分除去，金屬導(dǎo)電層38露出。而且，利用混合酸進(jìn)行的金屬導(dǎo)電層38的蝕刻中，通過兩者的化學(xué)反應(yīng)，產(chǎn)生一氧化氮(no)氣體58。一氧化氮?dú)怏w58有時(shí)附著于金屬導(dǎo)電層38的表面，而將金屬導(dǎo)電層38的表面的一部分鈍化。

如圖4b所示，金屬導(dǎo)電層38即使進(jìn)行蝕刻，被一氧化氮?dú)怏w58鈍化的部分也留下。例如，在彼此相鄰的像素電極30之間產(chǎn)生金屬導(dǎo)電層38的殘?jiān)?0(膜殘留)。就金屬導(dǎo)電層38的殘?jiān)?0而言，從基底層32(無(wú)機(jī)絕緣層)之上剝離(lift-off)殘?jiān)?0。這是由于金屬導(dǎo)電層38相對(duì)于無(wú)機(jī)絕緣層的密合性較低，因此，蝕刻液56(混合酸)進(jìn)入兩者的界面。通過從自第一氧化物導(dǎo)電層36露出的無(wú)機(jī)絕緣層的表面消除金屬導(dǎo)電層38的殘?jiān)?0，可以防止第一氧化物導(dǎo)電層36的圖案的短路。

如圖4c所示，能夠以高精度形成像素電極30。然后，形成絕緣層42后，在多個(gè)像素電極30上層疊發(fā)光元件層44，且在發(fā)光元件層44上層疊公共電極46。這些工序參照?qǐng)D1并根據(jù)上述的內(nèi)容不言而喻，因此，省略說明。

[第二實(shí)施方式]

圖5是本發(fā)明第二實(shí)施方式的顯示裝置的局部放大剖面圖。本實(shí)施方式中，在基底層232上形成有像素電極230，在第一氧化物導(dǎo)電層236的突出部236a的至少前端及基底層232上載置有無(wú)機(jī)絕緣層262。無(wú)機(jī)絕緣層262與金屬導(dǎo)電層238的前端及第二氧化物導(dǎo)電層240的前端隔開間隔形成。即，與基底層232不同，另設(shè)有無(wú)機(jī)絕緣層262。

圖6a～圖7b是用于說明本發(fā)明第二實(shí)施方式的顯示裝置的制造方法的圖。

如圖6a所示，將第一氧化物導(dǎo)電層236的圖案形成于基底層232之上，并進(jìn)一步形成由氮化硅或二氧化硅等構(gòu)成的無(wú)機(jī)絕緣層262。第一氧化物導(dǎo)電層236的圖案的形成方法如第一實(shí)施方式中進(jìn)行的說明那樣。無(wú)機(jī)絕緣層262形成在包括基底層232從第一氧化物導(dǎo)電層236的圖案露出的區(qū)域在內(nèi)的基底層232之上，例如整個(gè)表面。

如圖6b所示，圖案化無(wú)機(jī)絕緣層262。詳細(xì)而言，圖案化無(wú)機(jī)絕緣層262，使得其載置于第一氧化物導(dǎo)電層236的圖案的前端，但不載置于圖5所示的像素電極230的突出部236a整體。無(wú)機(jī)絕緣層262殘留在從第一氧化物導(dǎo)電層236的圖案露出的基底層232之上。通過這樣，彼此相鄰的第一氧化物導(dǎo)電層236的圖案被無(wú)機(jī)絕緣層262電絕緣。

如圖6c所示，在被圖案化的無(wú)機(jī)絕緣層262、第一氧化物導(dǎo)電層236的圖案及基底層232之上層疊金屬導(dǎo)電層238及第二氧化物導(dǎo)電層240。而且，在第二氧化物導(dǎo)電層240之上形成蝕刻掩模254。圖6c所示的工序除了設(shè)置與基底層232不同的另外的無(wú)機(jī)絕緣層262這一點(diǎn)以外，相當(dāng)于參照?qǐng)D3c說明的內(nèi)容。

如圖7a所示，將第二氧化物導(dǎo)電層240及金屬導(dǎo)電層238通過濕法蝕刻進(jìn)行圖案化。在通過蝕刻除去第二氧化物導(dǎo)電層240的區(qū)域，金屬導(dǎo)電層238露出。而且，在作為蝕刻液256使用了混合酸的金屬導(dǎo)電層238的蝕刻中，通過兩者的化學(xué)反應(yīng)產(chǎn)生一氧化氮(no)氣體258。一氧化氮?dú)怏w258附著于金屬導(dǎo)電層238的表面，而將金屬導(dǎo)電層238的表面的一部分鈍化。

如圖7b所示，金屬導(dǎo)電層238即使進(jìn)行蝕刻，被一氧化氮?dú)怏w258鈍化的部分也留下，在無(wú)機(jī)絕緣層262上產(chǎn)生金屬導(dǎo)電層238的殘?jiān)?60(膜殘留)。但是，就金屬導(dǎo)電層238的殘?jiān)?60而言，從無(wú)機(jī)絕緣層262上剝離殘?jiān)?60。這是因?yàn)榻饘賹?dǎo)電層238相對(duì)于無(wú)機(jī)絕緣層262的密合性較低，因此，蝕刻液256(混合酸)進(jìn)入兩者的界面。通過從無(wú)機(jī)絕緣層262的表面消除金屬導(dǎo)電層238的殘?jiān)?60，可以防止第一氧化物導(dǎo)電層236的圖案的短路。

附著于無(wú)機(jī)絕緣層262的側(cè)面的金屬導(dǎo)電層238的殘?jiān)?60本來就是較薄的膜厚，很容易剝離，而如果無(wú)機(jī)絕緣層262的側(cè)面為陡峭地上升的形狀(例如倒錐形)，則更易于剝離。優(yōu)選由無(wú)機(jī)絕緣層262的上表面和側(cè)面形成的角部在與表面正交的截面上為直角或銳角。這樣，通過相鄰的像素電極之間可靠地分離，可以以高精度形成像素電極230。然后，在圖5所示的像素電極230上，如圖1所示那樣層疊發(fā)光元件層44，且在發(fā)光元件層44上層疊公共電極46。這些工序參照?qǐng)D1并根據(jù)上述的內(nèi)容不言而喻，因此，省略說明。

本發(fā)明不限定于上述的實(shí)施方式，可以進(jìn)行各種變形。例如，實(shí)施方式中說明的結(jié)構(gòu)可以由實(shí)際上相同的結(jié)構(gòu)、可以發(fā)揮相同的作用效果的結(jié)構(gòu)或達(dá)成相同目的的結(jié)構(gòu)進(jìn)行置換。