1.一種超結(jié)器件，其特征在于：電荷流動區(qū)包括由多個在橫向上交替排列的N型柱和P型柱組成的超結(jié)結(jié)構(gòu)；每一所述N型柱和其鄰近的所述P型柱組成一個超結(jié)單元；每一個所述超結(jié)單元的頂部形成有一個超結(jié)器件單元；
各所述超結(jié)器件單元中包括有P型背柵，各所述P型背柵位于對應(yīng)的所述P型柱的頂部，至少一個所述超結(jié)器件單元的所述P型背柵和底部對應(yīng)的所述P型柱具有一個間隔區(qū)域，該間隔區(qū)域通過N型摻雜使所述P型背柵和對應(yīng)的所述P型柱進行分隔；
所述間隔區(qū)域使對應(yīng)的所述超結(jié)單元在反向偏置時使所述P型柱的電壓大于所述P型背柵的電壓，從而增加所述超結(jié)單元完全耗盡時所需的夾斷電壓，提高所述超結(jié)單元在反向偏置過程中耗盡電容隨反向偏置電壓的降低趨勢，使相同的反向偏置電壓下所述超結(jié)單元的耗盡電容更高。
2.如權(quán)利要求1所述的超結(jié)器件，其特征在于：所述間隔區(qū)域全部由一個N型摻雜區(qū)組成，通過調(diào)節(jié)所述間隔區(qū)域的高度以及N型摻雜區(qū)的摻雜濃度調(diào)節(jié)所述夾斷電壓；所述間隔區(qū)域的高度為所述P型背柵和底部對應(yīng)的所述P型柱之間的間距，所述間隔區(qū)域的高度越大，所述夾斷電壓越大；所述間隔區(qū)域的N型摻雜區(qū)的摻雜濃度越高，所述夾斷電壓越大。
3.如權(quán)利要求2所述的超結(jié)器件，其特征在于：所述間隔區(qū)域的高度大于等于0.5微米。
4.如權(quán)利要求2所述的超結(jié)器件，其特征在于：所述間隔區(qū)域的N型摻雜區(qū)的摻雜濃度大于等于對應(yīng)所述超結(jié)單元的所述N型柱的摻雜濃度的1/10。
5.如權(quán)利要求1所述的超結(jié)器件，其特征在于：所述間隔區(qū)域由多個在縱向上交替排列的N型摻雜區(qū)和P型摻雜區(qū)組成且所述間隔區(qū)域的上下兩端都為N型摻雜區(qū)；通過調(diào)節(jié)所述間隔區(qū)域的高度以及N型摻雜區(qū)的摻雜濃度調(diào)節(jié)所述夾斷電壓；所述間隔區(qū)域的高度為所述P型背柵和底部對應(yīng)的所述P型柱之間的間距，所述間隔區(qū)域的高度越大，所述夾斷電壓越大；所述間隔區(qū)域的N型摻雜區(qū)的摻雜濃度越高，所述夾斷電壓越大。
6.如權(quán)利要求5所述的超結(jié)器件，其特征在于：所述間隔區(qū)域的各所述N型摻雜區(qū)的高度大于等于0.5微米。
7.如權(quán)利要求5所述的超結(jié)器件，其特征在于：所述間隔區(qū)域的各所述N型摻 雜區(qū)的摻雜濃度大于等于對應(yīng)所述超結(jié)單元的所述N型柱的摻雜濃度的1/10。
8.如權(quán)利要求1至7中任一權(quán)利要求所述的超結(jié)器件，其特征在于：所述超結(jié)器件由具有相同夾斷電壓的所述超結(jié)單元組合而成；或者，所述超結(jié)器件由具有不同夾斷電壓的所述超結(jié)單元組合而成。
9.如權(quán)利要求1所述的超結(jié)器件，其特征在于：所述超結(jié)器件為超結(jié)MOSFET，各所述P型背柵中形成有源區(qū)，漏區(qū)形成于所述超結(jié)結(jié)構(gòu)的底部，各所述超結(jié)器件單元的柵極結(jié)構(gòu)覆蓋對應(yīng)的所述P型背柵的部分區(qū)域且該部分區(qū)域的表面用于形成連接源區(qū)和漏區(qū)的溝道。
10.如權(quán)利要求9所述的超結(jié)器件，其特征在于：所述超結(jié)MOSFET為平面柵超結(jié)MOSFET，各所述超結(jié)器件單元的柵極結(jié)構(gòu)為形成于所述P型背柵的表面平面柵結(jié)構(gòu)并從頂部覆蓋所述P型背柵；所述超結(jié)MOSFET為溝槽柵超結(jié)MOSFET，各所述超結(jié)器件單元的柵極結(jié)構(gòu)為形成于溝槽中的溝槽柵結(jié)構(gòu)并從側(cè)面覆蓋所述P型背柵。
11.一種超結(jié)器件的制造方法，其特征在于，包括如下步驟：
步驟一、提供一半導(dǎo)體襯底，在超結(jié)器件的電荷流動區(qū)形成由多個在橫向上交替排列的N型柱和P型柱組成的超結(jié)結(jié)構(gòu)；
步驟二、在形成有所述超結(jié)結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體襯底表面淀積形成一層N型外延層；每一所述N型柱和其鄰近的所述P型柱組成一個超結(jié)單元；每一個所述超結(jié)單元的頂部的所述N型外延層中用于形成一個超結(jié)器件單元，所述N型外延層的N型摻雜濃度等于后續(xù)步驟三中形成的間隔區(qū)域的所需要的N型摻雜濃度；
步驟三、采用光刻、P型離子注入和熱退火工藝形成各所述超結(jié)器件單元的P型背柵，各所述P型背柵位于對應(yīng)的所述P型柱的頂部，至少一個所述超結(jié)器件單元的所述P型背柵和底部對應(yīng)的所述P型柱具有一個間隔區(qū)域，所述間隔區(qū)域直接由所述N型外延層組成，該間隔區(qū)域通過N型摻雜使所述P型背柵和對應(yīng)的所述P型柱進行分隔；
所述間隔區(qū)域使對應(yīng)的所述超結(jié)單元在反向偏置時使所述P型柱的電壓大于所述P型背柵的電壓，從而增加所述超結(jié)單元完全耗盡時所需的夾斷電壓，提高所述超結(jié)單元在反向偏置過程中耗盡電容隨反向偏置電壓的降低趨勢，使相同的反向偏置電壓下所述超結(jié)單元的耗盡電容更高。
12.如權(quán)利要求11所述的超結(jié)器件的制造方法，其特征在于：通過調(diào)節(jié)所述間 隔區(qū)域的高度以及N型摻雜區(qū)的摻雜濃度調(diào)節(jié)所述夾斷電壓；
所述間隔區(qū)域的高度為所述P型背柵和底部對應(yīng)的所述P型柱之間的間距，所述間隔區(qū)域的高度越大，所述夾斷電壓越大，所述間隔區(qū)域的高度通過步驟三中所述P型背柵的P型離子注入能量和注入劑量進行調(diào)節(jié)；
所述間隔區(qū)域的N型摻雜區(qū)的摻雜濃度越高，所述夾斷電壓越大，所述間隔區(qū)域的N型摻雜區(qū)的摻雜濃度通過步驟二中形成所述N型外延層時調(diào)節(jié)。
13.如權(quán)利要求12所述的超結(jié)器件的制造方法，其特征在于：所述N型外延層的摻雜濃度大于等于對應(yīng)所述超結(jié)單元的所述N型柱的摻雜濃度的1/10；所述N型外延層的厚度為4微米～7微米，所述間隔區(qū)域的高度大于等于0.5微米。
14.一種超結(jié)器件的制造方法，其特征在于，包括如下步驟：
步驟一、提供一半導(dǎo)體襯底，在超結(jié)器件的電荷流動區(qū)形成由多個在橫向上交替排列的N型柱和P型柱組成的超結(jié)結(jié)構(gòu)；
步驟二、在形成有所述超結(jié)結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體襯底表面淀積形成一層N型外延層或本征外延層；每一所述N型柱和其鄰近的所述P型柱組成一個超結(jié)單元；每一個所述超結(jié)單元的頂部的所述N型外延層中用于形成一個超結(jié)器件單元，所述N型外延層的N型摻雜濃度低于后續(xù)步驟三中形成的間隔區(qū)域的所需要的N型摻雜濃度；
步驟三、至少一個所述超結(jié)器件單元的所述P型柱頂部需要形成所述間隔區(qū)域，采用光刻、N型離子注入和熱退火工藝在需要形成所述間隔區(qū)域的所述N型外延層中疊加N型摻雜形成所述間隔區(qū)域；
采用光刻、P型離子注入和熱退火工藝形成各所述超結(jié)器件單元的P型背柵，各所述P型背柵位于對應(yīng)的所述P型柱的頂部；所述間隔區(qū)域位于對應(yīng)的所述超結(jié)器件單元的所述P型背柵和底部對應(yīng)的所述P型柱之間，所述間隔區(qū)域通過N型摻雜使所述P型背柵和對應(yīng)的所述P型柱進行分隔；
所述間隔區(qū)域使對應(yīng)的所述超結(jié)單元在反向偏置時使所述P型柱的電壓大于所述P型背柵的電壓，從而增加所述超結(jié)單元完全耗盡時所需的夾斷電壓，提高所述超結(jié)單元在反向偏置過程中耗盡電容隨反向偏置電壓的降低趨勢，使相同的反向偏置電壓下所述超結(jié)單元的耗盡電容更高。
15.如權(quán)利要求14所述的超結(jié)器件的制造方法，其特征在于：通過調(diào)節(jié)所述間隔區(qū)域的高度以及N型摻雜區(qū)的摻雜濃度調(diào)節(jié)所述夾斷電壓；
所述間隔區(qū)域的高度為所述P型背柵和底部對應(yīng)的所述P型柱之間的間距，所述間隔區(qū)域的高度越大，所述夾斷電壓越大，所述間隔區(qū)域的高度通過步驟三中所述P型背柵的P型離子注入能量和注入劑量進行調(diào)節(jié)；
所述間隔區(qū)域的N型摻雜區(qū)的摻雜濃度越高，所述夾斷電壓越大，所述間隔區(qū)域的N型摻雜區(qū)的摻雜濃度通過步驟三中的N型離子注入工藝進行調(diào)節(jié)。
16.如權(quán)利要求15所述的超結(jié)器件的制造方法，其特征在于：所述N型外延層的摻雜濃度小于等于對應(yīng)所述超結(jié)單元的所述N型柱的摻雜濃度的1/10，所述間隔區(qū)域的N型摻雜區(qū)的摻雜濃度大于等于對應(yīng)所述超結(jié)單元的所述N型柱的摻雜濃度的1/10；所述N型外延層的厚度為4微米～7微米，所述間隔區(qū)域的高度大于等于0.5微米。
17.一種超結(jié)器件的制造方法，其特征在于，包括如下步驟：
步驟一、提供一半導(dǎo)體襯底，在超結(jié)器件的電荷流動區(qū)形成由多個在橫向上交替排列的N型柱和P型柱組成的超結(jié)結(jié)構(gòu)；
步驟二、每一所述N型柱和其鄰近的所述P型柱組成一個超結(jié)單元；每一個所述超結(jié)單元的頂部用于形成一個超結(jié)器件單元；至少一個所述超結(jié)器件單元的所述P型柱頂部需要形成所述間隔區(qū)域；
在形成有所述超結(jié)結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體襯底表面淀積形成第一N型外延子層，之后采用光刻、P型離子注入和熱退火工藝在需要形成所述間隔區(qū)域的所述第一N型外延子層中進行P型摻雜形成所述間隔區(qū)域的P型摻雜區(qū)，所述P型摻雜區(qū)的底部的所述第一N型外延子組成所述間隔區(qū)域的N型摻雜區(qū)；
重復(fù)進行所述第一N型外延子層淀積工藝以及之后的形成P型摻雜區(qū)的工藝形成多個在縱向上交替排列的N型摻雜區(qū)和P型摻雜區(qū)；
在最后一次P型摻雜區(qū)形成后淀積形成第二N型外延子層；
步驟三、采用光刻、P型離子注入和熱退火工藝在所述第二N型外延層中形成各所述超結(jié)器件單元的P型背柵，所述間隔區(qū)域?qū)?yīng)的所述P型背柵底部的所述第二N型外延層作為N型摻雜區(qū)縱向疊加在底部的P型摻雜區(qū)上，由疊加后的多個在縱向上交替排列的N型摻雜區(qū)和P型摻雜區(qū)組成所述間隔區(qū)域；
所述間隔區(qū)域通過N型摻雜使所述P型背柵和對應(yīng)的所述P型柱進行分隔；
所述間隔區(qū)域使對應(yīng)的所述超結(jié)單元在反向偏置時使所述P型柱的電壓大于所述 P型背柵的電壓，從而增加所述超結(jié)單元完全耗盡時所需的夾斷電壓，提高所述超結(jié)單元在反向偏置過程中耗盡電容隨反向偏置電壓的降低趨勢，使相同的反向偏置電壓下所述超結(jié)單元的耗盡電容更高。
18.如權(quán)利要求17所述的超結(jié)器件的制造方法，其特征在于：通過調(diào)節(jié)所述間隔區(qū)域的高度以及N型摻雜區(qū)的摻雜濃度調(diào)節(jié)所述夾斷電壓；所述間隔區(qū)域的高度為所述P型背柵和底部對應(yīng)的所述P型柱之間的間距，所述間隔區(qū)域的高度越大，所述夾斷電壓越大；
所述間隔區(qū)域的N型摻雜區(qū)的摻雜濃度越高，所述夾斷電壓越大；所述間隔區(qū)域的N型摻雜區(qū)的摻雜濃度通過所述第一N型外延子層或所述第二N型外延子層外延生長時調(diào)節(jié)或通過所述第一N型外延子層或所述第二N型外延子層外延后再進行N型離子注入調(diào)節(jié)。
19.如權(quán)利要求18所述的超結(jié)器件的制造方法，其特征在于：所述間隔區(qū)域的各所述N型摻雜區(qū)的高度大于等于0.5微米；所述第二N型外延子層的厚度為4微米～7微米；所述間隔區(qū)域的各所述N型摻雜區(qū)的摻雜濃度大于等于對應(yīng)所述超結(jié)單元的所述N型柱的摻雜濃度的1/10。