技術編號：12725492
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及半導體集成電路制造領域，特別是涉及一種超結(superjunction)器件；本發(fā)明還涉及一種超結器件的制造方法。背景技術超結結構就是交替排列的N型柱和P型柱組成結構。如果用超結結構來取代垂直雙擴散MOS晶體管(VerticalDouble-diffusedMetal-Oxide-Semiconductor，VDMOS)器件中的N型漂移區(qū)，在導通狀態(tài)下通過N型柱提供導通通路，導通時P型柱不提供導通通路；在截止狀態(tài)下由PN立柱共同承受反偏電壓，就形成了超結金屬-氧化物半導體場效應晶體管(...
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