技術總結
本發(fā)明涉及一種半導體器件及其制備方法、電子裝置。所述方法包括步驟S1：提供基底，在所述基底上形成有包括浮柵、隔離層、控制柵的若干柵極疊層以及位于所述柵極疊層之間的隔離結構；步驟S2：回蝕刻所述控制柵，以去除部分所述控制柵，以在所述控制柵的上方所述隔離結構之間形成凹槽；步驟S3：沉積金屬材料層以填充所述凹槽并覆蓋所述隔離結構；步驟S4：執(zhí)行第一次退火步驟，以在所述控制柵的上方形成自對準硅化物層；步驟S5：蝕刻去除所述隔離結構上方未反應的所述金屬材料層，同時去除部分所述自對準硅化物層至與所述隔離結構的頂部平齊。所述方法可以使所述自對準硅化物具有良好的輪廓，進一步提高了半導體器件的性能和良率。

技術研發(fā)人員：劉煥新
受保護的技術使用者：中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
文檔號碼：201510573964
技術研發(fā)日：2015.09.10
技術公布日：2017.03.22