本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，具體地，本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件及其制備方法、電子裝置。

背景技術(shù)：

對(duì)于高容量的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置需求的日益增加，這些半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的集成密度受到人們的關(guān)注，為了增加半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的集成密度，現(xiàn)有技術(shù)中采用了許多不同的方法，例如通過(guò)減小晶片尺寸和/或改變內(nèi)結(jié)構(gòu)單元而在單一晶片上形成多個(gè)存儲(chǔ)單元，對(duì)于通過(guò)改變單元結(jié)構(gòu)增加集成密度的方法來(lái)說(shuō)，還可以通過(guò)改變有源區(qū)的平面布置或改變單元布局來(lái)減小單元面積。

NAND閃存是一種比硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器更好的存儲(chǔ)方案，由于NAND閃存以頁(yè)為單位讀寫(xiě)數(shù)據(jù)，所以適合于存儲(chǔ)連續(xù)的數(shù)據(jù)，如圖片、音頻或其他文件數(shù)據(jù)；同時(shí)因其成本低、容量大且寫(xiě)入速度快、擦除時(shí)間短的優(yōu)點(diǎn)在移動(dòng)通訊裝置及便攜式多媒體裝置的存儲(chǔ)領(lǐng)域得到廣泛的應(yīng)用。

隨著半導(dǎo)體器件尺寸的不斷降低，NAND閃存中控制柵之間的隔離結(jié)構(gòu)和控制柵上方的自對(duì)準(zhǔn)硅化物NiPtSi的形成成為一大挑戰(zhàn)。在NAND閃存制備過(guò)程中在形成浮柵和控制柵之后，通過(guò)調(diào)節(jié)控制柵自對(duì)準(zhǔn)硅化物NiPtSi以得到目標(biāo)圖案，但是所述自對(duì)準(zhǔn)硅化物NiPtSi輪廓的底部具有很大的問(wèn)題，存在底部膨脹過(guò)大(swell)的問(wèn)題，使得所述控制柵頂部具有很大的頭部，影響了器件的性能和良率。

因此需要對(duì)目前所述NAND器件的制備做進(jìn)一步的改進(jìn)，以便消除上述問(wèn)題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

在發(fā)明內(nèi)容部分中引入了一系列簡(jiǎn)化形式的概念，這將在具體實(shí)施方式部分中進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。本發(fā)明的發(fā)明內(nèi)容部分并不意味著要試圖限定 出所要求保護(hù)的技術(shù)方案的關(guān)鍵特征和必要技術(shù)特征，更不意味著試圖確定所要求保護(hù)的技術(shù)方案的保護(hù)范圍。

本發(fā)明為了克服目前存在問(wèn)題，提供了一種半導(dǎo)體器件的制備方法，包括：

步驟S1：提供基底，在所述基底上形成有包括浮柵、隔離層、控制柵的若干柵極疊層以及位于所述柵極疊層之間的隔離結(jié)構(gòu)；

步驟S2：回蝕刻所述控制柵，以去除部分所述控制柵，以在所述控制柵的上方所述隔離結(jié)構(gòu)之間形成凹槽；

步驟S3：沉積金屬材料層以填充所述凹槽并覆蓋所述隔離結(jié)構(gòu)；

步驟S4：執(zhí)行第一次退火步驟，以在所述控制柵的上方形成自對(duì)準(zhǔn)硅化物層；

步驟S5：蝕刻去除所述隔離結(jié)構(gòu)上方未反應(yīng)的所述金屬材料層，同時(shí)去除部分所述自對(duì)準(zhǔn)硅化物層至與所述隔離結(jié)構(gòu)的頂部平齊。

可選地，所述步驟S5之后還進(jìn)一步包括步驟S6：執(zhí)行第二退火步驟。

可選地，在所述步驟S1中，在所述柵極疊層和所述隔離結(jié)構(gòu)上方還形成有保護(hù)疊層，所述步驟S1還進(jìn)一步包括：

步驟S11：執(zhí)行平坦化步驟，以使所述保護(hù)疊層具有平坦的表面；

步驟S12：去除所述保護(hù)疊層，以露出所述柵極疊層和所述隔離結(jié)構(gòu)。

可選地，在所述步驟S2中選用TMAH回蝕刻所述控制柵。

可選地，所述TMAH的質(zhì)量分?jǐn)?shù)濃度為1-3％。

可選地，在所述步驟S2中回蝕刻所述控制柵以去除150～250?；蚋嗟乃隹刂茤?。

可選地，在所述步驟S2中在所述回蝕刻之前還進(jìn)一步包括選用DHF進(jìn)行蝕刻的步驟，以完全露出所述控制柵。

可選地，在所述步驟S3中在沉積所述金屬材料層之前還進(jìn)一步包括對(duì)所述凹槽進(jìn)行清洗的步驟。

本發(fā)明還提供了一種基于上述的方法制備得到的半導(dǎo)體器件。

本發(fā)明還提供了一種電子裝置，包括上述的半導(dǎo)體器件。

本發(fā)明為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的問(wèn)題提供了一種半導(dǎo)體器件的制備方法，在所述方法中在去除所述保護(hù)疊層露出所述控制柵之后回蝕刻所述控制柵，以降低所述控制柵的高度，在所述控制柵的上方所述隔離結(jié)構(gòu)之間形成 凹槽，通過(guò)所述凹槽來(lái)定義所述自對(duì)準(zhǔn)硅化物的形狀，然后在所述凹槽中沉積金屬材料并退火，以形成自對(duì)準(zhǔn)硅化物，所述方法通過(guò)所述凹槽可以使所述自對(duì)準(zhǔn)硅化物具有良好的輪廓，而不會(huì)發(fā)生頭部或底部膨脹過(guò)大的問(wèn)題，進(jìn)一步提高了半導(dǎo)體器件的性能和良率。

附圖說(shuō)明

本發(fā)明的下列附圖在此作為本發(fā)明的一部分用于理解本發(fā)明。附圖中示出了本發(fā)明的實(shí)施例及其描述，用來(lái)解釋本發(fā)明的裝置及原理。在附圖中，

圖1a-1e為本發(fā)明一具體實(shí)施方式中所述半導(dǎo)體器件的制備過(guò)程示意圖；

圖2為本發(fā)明一具體實(shí)施方式中所述半導(dǎo)體器件的制備工藝流程圖。

具體實(shí)施方式

在下文的描述中，給出了大量具體的細(xì)節(jié)以便提供對(duì)本發(fā)明更為徹底的理解。然而，對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言顯而易見(jiàn)的是，本發(fā)明可以無(wú)需一個(gè)或多個(gè)這些細(xì)節(jié)而得以實(shí)施。在其他的例子中，為了避免與本發(fā)明發(fā)生混淆，對(duì)于本領(lǐng)域公知的一些技術(shù)特征未進(jìn)行描述。

應(yīng)當(dāng)理解的是，本發(fā)明能夠以不同形式實(shí)施，而不應(yīng)當(dāng)解釋為局限于這里提出的實(shí)施例。相反地，提供這些實(shí)施例將使公開(kāi)徹底和完全，并且將本發(fā)明的范圍完全地傳遞給本領(lǐng)域技術(shù)人員。在附圖中，為了清楚，層和區(qū)的尺寸以及相對(duì)尺寸可能被夸大。自始至終相同附圖標(biāo)記表示相同的元件。

應(yīng)當(dāng)明白，當(dāng)元件或?qū)颖环Q為“在...上”、“與...相鄰”、“連接到”或“耦合到”其它元件或?qū)訒r(shí)，其可以直接地在其它元件或?qū)由稀⑴c之相鄰、連接或耦合到其它元件或?qū)樱蛘呖梢源嬖诰娱g的元件或?qū)?。相反，?dāng)元件被稱為“直接在...上”、“與...直接相鄰”、“直接連接到”或“直接耦合到”其它元件或?qū)訒r(shí)，則不存在居間的元件或?qū)印?yīng)當(dāng)明白，盡管可使用術(shù)語(yǔ)第一、第二、第三等描述各種元件、部件、區(qū)、層和/或部分，這些元件、部件、區(qū)、層和/或部分不應(yīng)當(dāng)被這些術(shù)語(yǔ)限制。這些術(shù)語(yǔ)僅僅用來(lái)區(qū)分一個(gè)元件、部件、區(qū)、層或部分與另一個(gè)元件、部件、區(qū)、層或部分。因此，在不脫離本發(fā)明教導(dǎo)之下，下面討論的第一元件、部件、區(qū)、層或部分可表示為第二元件、 部件、區(qū)、層或部分。

空間關(guān)系術(shù)語(yǔ)例如“在...下”、“在...下面”、“下面的”、“在...之下”、“在...之上”、“上面的”等，在這里可為了方便描述而被使用從而描述圖中所示的一個(gè)元件或特征與其它元件或特征的關(guān)系。應(yīng)當(dāng)明白，除了圖中所示的取向以外，空間關(guān)系術(shù)語(yǔ)意圖還包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附圖中的器件翻轉(zhuǎn)，然后，描述為“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征將取向?yàn)樵谄渌蛱卣鳌吧稀薄Ｒ虼?，示例性術(shù)語(yǔ)“在...下面”和“在...下”可包括上和下兩個(gè)取向。器件可以另外地取向(旋轉(zhuǎn)90度或其它取向)并且在此使用的空間描述語(yǔ)相應(yīng)地被解釋。

在此使用的術(shù)語(yǔ)的目的僅在于描述具體實(shí)施例并且不作為本發(fā)明的限制。在此使用時(shí)，單數(shù)形式的“一”、“一個(gè)”和“所述/該”也意圖包括復(fù)數(shù)形式，除非上下文清楚指出另外的方式。還應(yīng)明白術(shù)語(yǔ)“組成”和/或“包括”，當(dāng)在該說(shuō)明書(shū)中使用時(shí)，確定所述特征、整數(shù)、步驟、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一個(gè)或更多其它的特征、整數(shù)、步驟、操作、元件、部件和/或組的存在或添加。在此使用時(shí)，術(shù)語(yǔ)“和/或”包括相關(guān)所列項(xiàng)目的任何及所有組合。

為了徹底理解本發(fā)明，將在下列的描述中提出詳細(xì)的步驟以及詳細(xì)的結(jié)構(gòu)，以便闡釋本發(fā)明的技術(shù)方案。本發(fā)明的較佳實(shí)施例詳細(xì)描述如下，然而除了這些詳細(xì)描述外，本發(fā)明還可以具有其他實(shí)施方式。

實(shí)施例1

為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體器件的制備方法，下面結(jié)合附圖1a-1e對(duì)所述方法做進(jìn)一步的說(shuō)明。

首先，執(zhí)行步驟101，提供基底101，在所述基底上形成有包括浮柵102、隔離層103、控制柵104的若干柵極疊層以及位于所述柵極疊層之間的隔離結(jié)構(gòu)105。

具體地，如圖1a所示，其中所述基底101可以是以下所提到的材料中的至少一種：硅、絕緣體上硅(SOI)、絕緣體上層疊硅(SSOI)、絕緣體上層疊鍺化硅(S-SiGeOI)、絕緣體上鍺化硅(SiGeOI)以及絕緣體上鍺(GeOI)等。

然后在所述基底上形成浮柵材料層、隔離層材料層和控制柵材料層，然后圖案化浮柵材料層、隔離層材料層和控制柵材料層以形成若干包括浮柵102、隔離層103和控制柵104的柵極疊層。

為了更清楚的對(duì)該過(guò)程進(jìn)行說(shuō)明示例性對(duì)所述柵極疊層的形成進(jìn)行說(shuō)明：

可選地，首先基底101上沉積隧穿氧化層(圖中未示出)，所述隧穿氧化層為氧化物，在本發(fā)明中可選SiO₂層作為隧穿氧化層，所述隧穿氧化層的厚度可以為1-20nm，但不僅僅局限于該厚度，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)需要進(jìn)行調(diào)整，以獲得更好效果。在該步驟中作為一種具體實(shí)施方式，沉積所述SiO₂層時(shí)可以選用熱氧化、原子層沉積、化學(xué)氣相沉積、電子束蒸發(fā)或磁控濺射方法。

接著在所述隧穿氧化層上形成浮柵材料層，其中所述浮柵材料層可以選用半導(dǎo)體材料，例如硅、多晶硅或者Ge等，并不局限于某一種材料，在該實(shí)施例中所述浮柵材料層選用多晶硅。

可選地，所述浮柵材料層的沉積方法可以選擇分子束外延(MBE)、金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)、低壓化學(xué)氣相沉積(LPCVD)、激光燒蝕沉積(LAD)以及選擇外延生長(zhǎng)(SEG)中的一種。

在該實(shí)施例中，所述多晶硅選用外延方法形成，具體地，在優(yōu)選實(shí)施例中以硅為例作進(jìn)一步說(shuō)明，反應(yīng)氣體可以包括氫氣(H₂)攜帶的四氯化硅(SiCl₄)或三氯氫硅(SiHCl₃)、硅烷(SiH₄)和二氯氫硅(SiH₂Cl₂)等中的至少一種進(jìn)入放置有硅襯底的反應(yīng)室，在反應(yīng)室進(jìn)行高溫化學(xué)反應(yīng)，使含硅反應(yīng)氣體還原或熱分解，所產(chǎn)生的硅原子在隧穿氧化層表面上外延生長(zhǎng)。

接著在所述浮柵材料層上形成隔離材料層，其中所述隔離材料層可以選用本領(lǐng)域常用的絕緣材料，例如氧化物、氮化物中的一種或多種。

例如在該實(shí)施例中所述隔離材料層選用ONO(氧化物-氮化物-氧化物的結(jié)構(gòu)絕緣隔離層)。

在所述隔離材料層上形成控制柵材料層，其中，所述控制柵材料層可以選用半導(dǎo)體材料，例如硅、多晶硅或者Ge等，并不局限于某一種材料，在該實(shí)施例中所述控制柵材料層選用多晶硅。

然后圖案化所述浮柵材料層、隔離層材料層和控制柵材料層，例如在所 述控制柵材料層上形成圖案化的掩膜層，以所述掩膜層為掩膜蝕刻所述浮柵材料層、隔離層材料層和控制柵材料層，以形成浮柵102、隔離層103和控制柵104，繼而形成所述柵極疊層。

在形成所述柵極疊層之后還可以進(jìn)一步包括在所述柵極疊層的側(cè)壁上形成間隙壁的步驟，以用于隔離。

進(jìn)一步，在所述柵極疊層之間的空隙中填充隔離材料，以形成所述隔離結(jié)構(gòu)105，其中所述隔離材料可以選用本領(lǐng)域常用的各種絕緣材料，在此不再一一列舉。

在所述柵極疊層和所述隔離結(jié)構(gòu)上方還形成有保護(hù)疊層106，其中保護(hù)疊層106可以選用各種硬掩膜層，例如氧化物、氮化物以及兩者的結(jié)合，并不局限于某一種。

例如在該實(shí)施例中所述保護(hù)疊層106包括依次形成的氧化物和氮化物，如圖1a所示。

在該步驟中還進(jìn)一步包括執(zhí)行平坦化步驟，例如平坦化所述氮化物的上表面，以使所述保護(hù)疊層具有平坦的表面，為后續(xù)工藝準(zhǔn)備；接著去除所述保護(hù)疊層，如圖1b所示，例如去除所述氧化物和氮化物，以露出所述柵極疊層和所述隔離結(jié)構(gòu)。

執(zhí)行步驟102，回蝕刻所述控制柵104，以去除部分所述控制柵，以在所述控制柵的上方所述隔離結(jié)構(gòu)之間形成凹槽。

具體地，如圖1c所示，在該步驟中改變現(xiàn)有技術(shù)中蝕刻去除所述隔離結(jié)構(gòu)露出所述控制柵的方法，回蝕刻所述控制柵，以在所述控制柵的上方所述隔離結(jié)構(gòu)之間形成凹槽，通過(guò)所述凹槽來(lái)定義要在所述控制柵上形成的自對(duì)準(zhǔn)硅化物的形狀，以解決自對(duì)準(zhǔn)硅化物底部膨脹(swell)的問(wèn)題。

具體地，在該步驟中通過(guò)濕法清洗或者干法蝕刻的方法回蝕刻所述控制柵，并不局限于某一種。

例如在該步驟中可以選用濕法回蝕刻所述控制柵，其中，可以選用TMAH回蝕刻所述控制柵，所述TMAH的質(zhì)量分?jǐn)?shù)濃度為1-3％，例如2.38％。

可選地，在所述步驟中所述回蝕刻所述控制柵以去除150～250?；蚋嗟乃隹刂茤拧?/p>

可選地，在所述步驟S2中所述回蝕刻的溫度為25～30℃。

進(jìn)一步，在所述步驟中在所述回蝕刻之前還進(jìn)一步附加蝕刻的步驟，以去除所述控制柵上原本具有的或者CMP之后剩余的氧化物，以完全露出所述控制柵。

可選地，在該步驟中選用濕法蝕刻，例如和所述控制柵具有較大蝕刻選擇比的濕法蝕刻，例如選用DHF蝕刻，所述DHF中H₂O與HF的體積比為1:100～300，蝕刻溫度為室溫，蝕刻去除量為10～25埃。

在蝕刻完成之后得到如圖1c所示的凹槽，通過(guò)所述凹槽來(lái)定義所述自對(duì)準(zhǔn)硅化物的形狀，然后在所述凹槽中沉積金屬材料并退火，以形成自對(duì)準(zhǔn)硅化物，所述方法通過(guò)所述凹槽可以使所述自對(duì)準(zhǔn)硅化物具有良好的輪廓，而不會(huì)發(fā)生頭部或底部膨脹過(guò)大的問(wèn)題，進(jìn)一步提高了半導(dǎo)體器件的性能和良率。

執(zhí)行步驟103，沉積金屬材料層107以填充所述凹槽并覆蓋所述隔離結(jié)構(gòu)。

如圖1d所示，在該步驟中在沉積所述金屬材料層之前還可以進(jìn)一步包括清洗的步驟，以提高沉積效果。

其中，所述金屬材料可以選用形成自對(duì)準(zhǔn)硅化物常用的材料，并不局限于某一種，例如可以選用NiPt。

其中，所述金屬材料層的厚度基于最后形成自對(duì)準(zhǔn)硅化物的厚度，根據(jù)最后形成自對(duì)準(zhǔn)硅化物的厚度進(jìn)行調(diào)整。

其中，所述金屬材料層的形成方法也并不局限于某一種，可以選用化學(xué)氣相沉積(CVD)法、物理氣相沉積(PVD)法或原子層沉積(ALD)法等形成的低壓化學(xué)氣相沉積(LPCVD)、激光燒蝕沉積(LAD)以及外延生長(zhǎng)中的一種。

執(zhí)行步驟104，執(zhí)行第一次退火步驟，以在所述控制柵的上方形成自對(duì)準(zhǔn)硅化物層。

具體地，在該步驟中通過(guò)退火步驟使位于所述控制柵上方的金屬與控制柵進(jìn)行反應(yīng)，以形成自對(duì)準(zhǔn)硅化物層。

例如當(dāng)所述金屬材料層選用NiPt時(shí)，在退火之后可以在所述控制柵的上方形成NiPtSi。

所述退火步驟可以選用以下幾種方式中的一種：脈沖激光快速退火、脈沖電子束快速退火、離子束快速退火、連續(xù)波激光快速退火以及非相干寬帶光源(如鹵燈、電弧燈、石墨加熱)快速退火等。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)需要進(jìn)行選擇，也并非局限于所舉示例。

可選地，在本發(fā)明中可以選用快速熱退火，具體地，所述退火步驟是將所述襯底置于高真空或高純氣體的保護(hù)下，加熱到一定的溫度進(jìn)行熱處理，在本發(fā)明所述高純氣體優(yōu)選為氮?dú)饣蚨栊詺怏w，所述熱退火步驟的溫度為200～250℃，所述熱退火步驟時(shí)間為10～120s。

執(zhí)行步驟105，蝕刻去除所述隔離結(jié)構(gòu)上方未反應(yīng)的所述金屬材料層，同時(shí)去除部分所述自對(duì)準(zhǔn)硅化物層至與所述隔離結(jié)構(gòu)的頂部平齊。

具體地，如圖1e所示，在該步驟中蝕刻去除所述隔離結(jié)構(gòu)上方未反應(yīng)的所述金屬材料層，例如選用干法蝕刻或者濕法蝕刻去除所述隔離結(jié)構(gòu)上方未反應(yīng)的所述金屬材料層。

可選地，在該步驟中可以選用濕法蝕刻去除所述隔離結(jié)構(gòu)上方未反應(yīng)的所述金屬材料層，同時(shí)去除部分所述自對(duì)準(zhǔn)硅化物層至與所述隔離結(jié)構(gòu)的頂部平齊，以獲得目標(biāo)形狀的自對(duì)準(zhǔn)硅化物層。

執(zhí)行步驟106，執(zhí)行第二退火步驟。

具體地，所述退火步驟可以選用以下幾種方式中的一種：脈沖激光快速退火、脈沖電子束快速退火、離子束快速退火、連續(xù)波激光快速退火以及非相干寬帶光源(如鹵燈、電弧燈、石墨加熱)快速退火等。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)需要進(jìn)行選擇，也并非局限于所舉示例。

可選地，在本發(fā)明中可以選用快速熱退火，具體地，所述退火步驟是將所述襯底置于高真空或高純氣體的保護(hù)下，加熱到一定的溫度進(jìn)行熱處理，在本發(fā)明所述高純氣體優(yōu)選為氮?dú)饣蚨栊詺怏w，所述熱退火步驟的溫度為700-1200℃，所述熱退火步驟時(shí)間為00.1～1500ms。

至此，完成了本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體器件制備的相關(guān)步驟的介紹。在上述步驟之后，還可以包括其他相關(guān)步驟，此處不再贅述。并且，除了上述步驟之外，本實(shí)施例的制備方法還可以在上述各個(gè)步驟之中或不同的步驟之間 包括其他步驟，這些步驟均可以通過(guò)現(xiàn)有技術(shù)中的各種工藝來(lái)實(shí)現(xiàn)，此處不再贅述。

本發(fā)明為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的問(wèn)題提供了一種半導(dǎo)體器件的制備方法，在所述方法中在去除所述保護(hù)疊層露出所述控制柵之后回蝕刻所述控制柵，以降低所述控制柵的高度，在所述控制柵的上方所述隔離結(jié)構(gòu)之間形成凹槽，通過(guò)所述凹槽來(lái)定義所述自對(duì)準(zhǔn)硅化物的形狀，然后在所述凹槽中沉積金屬材料并退火，以形成自對(duì)準(zhǔn)硅化物，所述方法通過(guò)所述凹槽可以使所述自對(duì)準(zhǔn)硅化物具有良好的輪廓，而不會(huì)發(fā)生頭部或底部膨脹過(guò)大的問(wèn)題，進(jìn)一步提高了半導(dǎo)體器件的性能和良率。

圖2為本發(fā)明一具體實(shí)施方式中所述半導(dǎo)體器件的制備工藝流程圖，具體包括以下步驟：

步驟S1：提供基底，在所述基底上形成有包括浮柵、隔離層、控制柵的若干柵極疊層以及位于所述柵極疊層之間的隔離結(jié)構(gòu)；

步驟S2：回蝕刻所述控制柵，以去除部分所述控制柵，以在所述控制柵的上方所述隔離結(jié)構(gòu)之間形成凹槽；

步驟S3：沉積金屬材料層以填充所述凹槽并覆蓋所述隔離結(jié)構(gòu)；

步驟S4：執(zhí)行第一次退火步驟，以在所述控制柵的上方形成自對(duì)準(zhǔn)硅化物層；

步驟S5：蝕刻去除所述隔離結(jié)構(gòu)上方未反應(yīng)的所述金屬材料層，同時(shí)去除部分所述自對(duì)準(zhǔn)硅化物層至與所述隔離結(jié)構(gòu)的頂部平齊。

實(shí)施例2

本發(fā)明還提供了一種半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件通過(guò)實(shí)施例1中的所述方法制備得到，所述半導(dǎo)體器件通過(guò)所述凹槽可以使所述自對(duì)準(zhǔn)硅化物具有良好的輪廓，而不會(huì)發(fā)生頭部或底部膨脹過(guò)大的問(wèn)題，進(jìn)一步提高了半導(dǎo)體器件的性能和良率。

實(shí)施例3

本發(fā)明還提供了一種電子裝置，包括實(shí)施例2所述的半導(dǎo)體器件。其中，半導(dǎo)體器件為實(shí)施例2所述的半導(dǎo)體器件，或根據(jù)實(shí)施例1所述的制備方法 得到的半導(dǎo)體器件。

本實(shí)施例的電子裝置，可以是手機(jī)、平板電腦、筆記本電腦、上網(wǎng)本、游戲機(jī)、電視機(jī)、VCD、DVD、導(dǎo)航儀、照相機(jī)、攝像機(jī)、錄音筆、MP3、MP4、PSP等任何電子產(chǎn)品或設(shè)備，也可為任何包括所述半導(dǎo)體器件的中間產(chǎn)品。本發(fā)明實(shí)施例的電子裝置，由于使用了上述的半導(dǎo)體器件，因而具有更好的性能。

本發(fā)明已經(jīng)通過(guò)上述實(shí)施例進(jìn)行了說(shuō)明，但應(yīng)當(dāng)理解的是，上述實(shí)施例只是用于舉例和說(shuō)明的目的，而非意在將本發(fā)明限制于所描述的實(shí)施例范圍內(nèi)。此外本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的是，本發(fā)明并不局限于上述實(shí)施例，根據(jù)本發(fā)明的教導(dǎo)還可以做出更多種的變型和修改，這些變型和修改均落在本發(fā)明所要求保護(hù)的范圍以內(nèi)。本發(fā)明的保護(hù)范圍由附屬的權(quán)利要求書(shū)及其等效范圍所界定。