技術(shù)總結(jié)
一種鰭式場效應(yīng)晶體管及其形成方法，其中鰭式場效應(yīng)晶體管的形成方法，包括：提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成有若干第一凹槽；在所述半導(dǎo)體襯底上形成硅鍺層，所述硅鍺層填充滿第一凹槽；刻蝕去除部分厚度的硅鍺層，在所述硅鍺層中形成若干第二凹槽；對所述第二凹槽側(cè)壁和底部的硅鍺層進行平坦化處理；進行平坦化處理后，在所述第二凹槽中形成填充滿第二凹槽的磷化銦層；回刻蝕去除磷化銦層之間的硅鍺層，暴露出磷化銦層的側(cè)壁表面；在所述磷化銦層的頂部和側(cè)壁表面上形成銦鎵砷層；在所述銦鎵砷層表面上形成高K介質(zhì)層；在所述高K介質(zhì)層上形成金屬柵電極。本發(fā)明方法形成的鰭式場效應(yīng)晶體管載流子遷移率提升。

技術(shù)研發(fā)人員：韓秋華
受保護的技術(shù)使用者：中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司
文檔號碼：201510465603
技術(shù)研發(fā)日：2015.07.31
技術(shù)公布日：2017.05.10