1.高產(chǎn)能半導(dǎo)體薄膜沉積裝置，其特征在于：包括前置設(shè)備(1)、儲(chǔ)存腔(2)、傳片腔(3)及反應(yīng)腔(4)；前置設(shè)備(1)通過門閥與儲(chǔ)存腔(2)連接，晶圓升降機(jī)構(gòu)處于儲(chǔ)存腔(2)內(nèi)，儲(chǔ)存腔(2)與傳片腔(3)連接，傳片腔(3)與三個(gè)反應(yīng)腔(4)連接，儲(chǔ)存腔(2)內(nèi)安裝晶圓升降機(jī)構(gòu)，傳片腔(3)內(nèi)安裝雙層機(jī)械手。