1.一種PMOS晶體管的形成方法，其特征在于，包括：
提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底表面具有多個柵極結(jié)構(gòu)，所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的側(cè)壁表面具有側(cè)墻，所述側(cè)墻的暴露面與半導(dǎo)體襯底表面具有第一交界線；
在柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底中形成第一溝槽，沿著平行于第一交界線的方向所述第一溝槽與半導(dǎo)體襯底頂部表面具有第二交界線，所述第二交界線與所述第一交界線重合，或所述第二交界線位于相鄰側(cè)墻之間暴露的半導(dǎo)體襯底表面；
對第一溝槽進行處理，形成向柵極結(jié)構(gòu)底部區(qū)域突出的第二溝槽，沿著平行于第一交界線的方向所述第二溝槽與半導(dǎo)體襯底頂部表面具有第三交界線，所述第三交界線與所述第一交界線重合，或所述第三交界線位于相鄰側(cè)墻之間暴露的半導(dǎo)體襯底表面；
在第二溝槽中填充第一應(yīng)力層；
在第一應(yīng)力層的頂部表面形成覆蓋層；
刻蝕去除所述側(cè)墻。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的PMOS晶體管的形成方法，其特征在于，所述第一溝槽的剖面形狀為U型。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的PMOS晶體管的形成方法，其特征在于，形成所述第一溝槽的方法包括：采用各向異性等離子體刻蝕工藝刻蝕柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底，刻蝕氣體包括NF3、HBr和N2，NF3的流量為10sccm～100sccm，HBr的流量為100sccm～500sccm，N2的流量為5sccm～200sccm，源射頻功率為100瓦～2000瓦，偏置射頻功率為100瓦～500瓦，刻蝕腔室壓力2毫托～50毫托。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的PMOS晶體管的形成方法，其特征在于，所述第一溝槽的深度為10nm～80nm，寬度為10nm～80nm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的PMOS晶體管的形成方法，其特征在于，所述第二溝槽的剖面形狀為西格瑪形狀。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的PMOS晶體管的形成方法，其特征在于，對第一溝槽進行處理以形成向柵極結(jié)構(gòu)底部區(qū)域突出的第二溝槽的方法為：沿著第一溝槽對半導(dǎo)體襯底進行濕法刻蝕，刻蝕溶液為四甲基氫氧化銨溶液，四甲基氫氧化銨的濃度為10％-30％，刻蝕溫度為0攝氏度～200攝氏度。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的PMOS晶體管的形成方法，其特征在于，所述第一應(yīng)力層的材料為鍺硅。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的PMOS晶體管的形成方法，其特征在于，所述覆蓋層的材料為硅。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的PMOS晶體管的形成方法，其特征在于，所述第二溝槽的兩側(cè)具有尖端；所述PMOS晶體管的形成方法還包括：在所述尖端接觸的半導(dǎo)體襯底中形成第三溝槽；在第二溝槽填充第一應(yīng)力層的同時在第三溝槽中填充第二應(yīng)力層。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的PMOS晶體管的形成方法，其特征在于，在所述尖端接觸的半導(dǎo)體襯底中形成第三溝槽的方法為：在所述第二溝槽的側(cè)壁形成第一介質(zhì)層；刻蝕第一介質(zhì)層，僅在第二溝槽兩側(cè)的尖端處留有第一介質(zhì)層；以所述尖端處留有的第一介質(zhì)層為掩膜，在第二溝槽側(cè)壁形成第二介質(zhì)層；刻蝕去除所述尖端處留有的第一介質(zhì)層，形成開孔；以第二介質(zhì)層為掩膜，沿著所述開孔刻蝕半導(dǎo)體襯底；去除第二介質(zhì)層。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的PMOS晶體管的形成方法，其特征在于，所述第一介質(zhì)層的厚度為0.5nm～5nm，所述第二介質(zhì)層的厚度為0.5nm～5nm。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的PMOS晶體管的形成方法，其特征在于，所述第一介質(zhì)層的材料為氮化硅，所述第二介質(zhì)層的材料氧化硅。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的PMOS晶體管的形成方法，其特征在于，所述在第二溝槽的側(cè)壁形成第一介質(zhì)層的工藝為低壓化學(xué)氣相沉積，采用的氣體包括SiH4和N2，SiH4的流量為800sccm～1000sccm，N2的流量為5000sccm～10000sccm，沉積腔室壓力為2torr～10torr，溫度為300攝氏度～500攝氏度。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的PMOS晶體管的形成方法，其特征在于，在第二 溝槽側(cè)壁形成第二介質(zhì)層的工藝為氧化工藝，采用的氣體包括氧氣，氧氣的流量為800sccm～1000sccm，腔室的壓力為2torr～10torr，溫度為0攝氏度～100攝氏度。
15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的PMOS晶體管的形成方法，其特征在于，刻蝕第一介質(zhì)層，僅在第二溝槽兩側(cè)的尖端處留有第一介質(zhì)層的方法為：采用熱磷酸溶液刻蝕第一介質(zhì)層，僅在第二溝槽兩側(cè)的尖端留有第一介質(zhì)層，磷酸的濃度為70％～90％，刻蝕溫度為120攝氏度～200攝氏度。
16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的PMOS晶體管的形成方法，其特征在于，刻蝕去除所述尖端處留有的第一介質(zhì)層以形成所述開孔的方法為：采用磷酸溶液刻蝕去除所述尖端處留有的第一介質(zhì)層以形成所述開孔，磷酸的濃度為70％～90％，刻蝕溫度為120攝氏度～200攝氏度。
17.根據(jù)權(quán)利要求12所述的PMOS晶體管的形成方法，其特征在于，以第二介質(zhì)層為掩膜，沿著所述開孔刻蝕半導(dǎo)體襯底的方法為：以第二介質(zhì)層為掩膜，采用等離子體刻蝕工藝沿所述開孔刻蝕半導(dǎo)體襯底，刻蝕氣體包括NF3、HBr和N2，NF3的流量為10sccm～100sccm，HBr的流量為100sccm～500sccm，N2的流量為5sccm～200sccm，源射頻功率為100瓦～2000瓦，偏置射頻功率為100瓦～500瓦，刻蝕腔室壓力2毫托～50毫托。
18.根據(jù)權(quán)利要求12所述的PMOS晶體管的形成方法，其特征在于，去除所述第二介質(zhì)層的方法為：采用氫氟酸溶液刻蝕去除第二介質(zhì)層，氫氟酸的濃度為20％～50％，刻蝕溫度為10攝氏度～50攝氏度。
19.根據(jù)權(quán)利要求1至18任意一項形成的PMOS晶體管，其特征在于，包括：半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底表面具有柵極結(jié)構(gòu)；位于柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)半導(dǎo)體襯底中的第二溝槽；位于第二溝槽中的第一應(yīng)力層；位于所述第一應(yīng)力層頂部表面的覆蓋層，所述覆蓋層覆蓋第一應(yīng)力層的頂部表面；位于所述柵極結(jié)構(gòu)和所述覆蓋層之間的開口。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的PMOS晶體管，其特征在于，所述第二溝槽的兩側(cè)具有尖端；所述PMOS晶體管還包括：位于所述尖端接觸的半導(dǎo)體襯底中的第三溝槽；位于所述第三溝槽中的第二應(yīng)力層。